蓝宝石晶片抛光的目的是将衬底的最终厚度减小到所需的目标值，具有优于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。这些操作要求需要具有高精度，高效率和高稳定性的机器和工艺，使用吉致电子蓝宝石抛光液和抛光垫进行CMP研磨抛光即可实现这一过程。

  通过使用CMP抛光工艺，蓝宝石工件可以达到理想的表面粗糙度。每个抛光的蓝宝石晶片在加工过程中都会有均匀一致的材料去除，并且表面光洁度始终如一。通过改变压力负载，可以实现每小时1-2μm的材料去除率（MRR）。

  蓝宝石晶片抛光分为A向抛光和C向抛光。从蓝宝石的晶面属性来看，A向晶面的硬度高于C向晶面的硬度。而手机屏面属于A向蓝宝石晶面，其抛光难度最高。蓝宝石A向抛光一般分为研磨、铜抛和精抛三个阶段。研磨工段的作用在于，降低蓝宝石原料片切削过程产生的表面阶梯性划痕深度，更主要的是使批量蓝宝石原料片的厚度尽量达到一致。

 吉致电子蓝宝石晶圆CMP抛光产品：蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry/CMP化学机械抛光/液蓝宝石A向抛光液/蓝宝石C向抛光液

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