搜索资讯 - 无锡吉致电子科技有限公司

[吉致动态]碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

http://www.jzdz-wx.com/Article/thgdjcdjgj_1.html

[常见问题]CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]

化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造的关键步骤，这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整，达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，CMP耗材品质直接影响抛光效果，对提高晶圆制造质量至关重要。 CMP抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。&nbs

http://www.jzdz-wx.com/Article/cmphxjxpgz_1.html

[应用案例]吉致电子--CMP不锈钢表面快速抛光[ 2023-12-18 17:58 ]

不锈钢获取高质量的镜面的传统工艺主要采用的抛光技术:电解抛光、化学抛光和机械抛光。随着对镜面不锈钢表面质量要求的不断提高，同时为了提高抛光效率，新型不锈钢抛光工艺----CMP化学机械抛光被广泛应用。吉致电子针对不锈钢表面镜面处理，配制组成的CMP抛光液，通过化学溶液提高不锈钢表面活性，同时进行高速的机械抛光，用来消除表面凹凸而获得更高质量的光洁镜面。CMP化学机械抛光对环境污染最小，不锈钢镜面抛光质量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，经过粗抛和精抛工艺能达到镜面效果，无划伤、无凹坑、无麻点橘皮。根据金属的种

http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzcmpbxg_1.html

[吉致动态]金属钼片的CMP抛光工艺[ 2023-12-13 17:09 ]

工厂的钼片加工工艺采用粗磨、双端面立磨等研磨工艺，粗磨的合格率仅在85％左右，整体平行度不良居多，造成产品合格率下降，也造成后续加工难度，这与金属钼的特性有关，目前钼片采用CMP抛光工艺（抛光液+抛光垫）能达到镜面效果。钼的特点：钼是一种难溶金属，具有很多优良的物力化学和机械性能。由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度均非常高。它的膨胀系数低，导电率大，导热性好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。&

http://www.jzdz-wx.com/Article/jsmpdcmppg_1.html

[吉致动态]吉致电子氮化铝陶瓷基片抛光[ 2023-12-08 16:41 ]

氮化铝陶瓷基板具有高导热率、低介电常数、低热膨胀系数、高机械强度、高耐腐蚀性等特点。其作为电路元件及互连线承载体，广泛应用再军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、半导体电子设备、汽车等各个领域。氮化铝陶瓷经过CMP抛光后可用于半导体激光器、固体继电器、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。吉致电子氮化铝陶瓷抛光液可达镜面效果，特点如下：1、纳米级抛光液，抛光后具有较优的粗糙度2、陶瓷基片抛光液绿色无污染、不含卤素及重金属元素3、抛光液可循环使用，根据工艺要求可添加去离子水稀释氮化铝陶瓷基板通过CMP

http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzdhltcj_1.html

[吉致动态]半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液[ 2023-10-31 17:20 ]

抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtcdpggyl_1.html

[常见问题]蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]

氧化铝抛光液在LED行业的应用广泛，如蓝宝石衬底的CMP抛光，为避免大粒径磨料对工件造成划伤，通常选用粒径为50∼200nm，且粒径分布均匀的纳米α-Al2O3磨料。为了确保蓝宝石衬底能抛出均匀的镜面光泽，需要提升CMP抛光液的切削速率及平坦化效果，吉致电子科技生产的氧化铝抛光液/研磨液可专业用于蓝宝石抛光，氧化铝磨料具有分布窄，粒径小，硬度高、尺寸稳定性好，α相转晶完全，团聚小易分散等特点。吉致电子对α-Al2O3颗粒的Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量都有

http://www.jzdz-wx.com/Article/lbscdpgynm_1.html

[应用案例]氧化铝陶瓷抛光液镜面抛光[ 2023-10-20 16:16 ]

氧化铝陶瓷片的表面抛光具有一定难度，原因有两个，一是氧化铝材质硬度较高，难以研磨。其二，氧化铝陶瓷表面吸光性较强，普通抛光难以达到镜面效果。这就使得氧化铝陶瓷抛光的难度无限扩大，针对这些加工难点，吉致电子已经具备成熟的抛光工艺和产品，有完善的氧化铝陶瓷抛光方案。客户的氧化铝陶瓷片，要求做镜面加工。抛光氧化铝陶瓷都是采用铁盘开粗，然后用白布抛光，但是这种效率非常慢，白布抛光要耗费30-40分钟后才能达到镜面，效率太低是批量加工无法接受的。吉致电子CMP抛光液和抛光垫结合，可以快速磨抛氧化铝

http://www.jzdz-wx.com/Article/yhltcpgyjm_1.html

[吉致动态]生物芯片抛光---吉致碳酸钙抛光液[ 2023-09-28 16:01 ]

生物基因芯片抛光该选择什么类型的研磨液/抛光液呢？通常CMP抛光液磨料为氧化硅、氧化铝、金刚石、氧化铈等，但用于基因芯片玻璃基底水凝层的去除效果不太理想。经过吉致电子研发和实验，配制的碳酸抛光液可有效抛光生物基因芯片达到理想的平坦度。吉致电子基因芯片抛光液 DNA Slurry选用微米级磨料，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝胶、纳米压印、抗蚀剂材料等。通过CMP工艺可有效去除基底涂层，对基底无划伤无残留，吉致电子碳酸钙抛光液、DNA芯片抛光液与国内外同类产品相比，具有易清洗、表面粗糙度

http://www.jzdz-wx.com/Article/swxppgjzts_1.html

[常见问题]半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别[ 2023-08-18 16:58 ]

常用的半导体抛光液，按抛光对象的不同分W钨抛光液、CU铜抛光液、氧化层抛光液、STI抛光液等。其中铜抛光液slurry主要应用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺，而钨抛光液W slurry则大量应用于存储芯片制造工艺，在逻辑芯片中用量较少。铜抛光液，主要由腐蚀剂、成膜剂和纳米磨料组成。腐蚀剂用来腐蚀溶解铜表面，成膜剂用于形成铜表面的钝化膜，钝化膜的形成可以保护腐蚀剂的进一步腐蚀，并可有效地降低金属表面硬度。除此之外，CMP抛光液中经常添加一些化学试剂以调节PH值，为抛光过程

http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtpgztpgy_1.html

[常见问题]打磨碳化硅需要哪种抛光垫？[ 2023-08-17 16:41 ]

打磨碳化硅需要哪种抛光垫？打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

http://www.jzdz-wx.com/Article/dmthgxynzp_1.html

[常见问题]二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同[ 2023-08-11 16:04 ]

二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子高纯度CMP抛光产品。硅溶胶抛光液是以液体形式存在，直径为10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有机液体（分散介质）里的分散体系，粒子的形貌多为球形，适用于各类工件的镜面抛光，如金属、蓝宝石衬底、半导体、光学玻璃、精密电子元器件等的镜面抛光。本质上讲二氧化硅抛光液、硅溶胶抛光液都是一种东西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨抛光工艺中，机器通过压力泵把氧化硅抛光液输送到抛光槽内进行循环使用，

http://www.jzdz-wx.com/Article/eyhgpgyygr_1.html

[常见问题]半导体抛光---硅片抛光垫怎么选[ 2023-08-08 16:31 ]

硅片抛光涉及到半导体工件的技术加工领域，硅片抛光垫的多孔结构和软性磨料材料，可以适应不同硅片材料的表面结构，达到不同表面加工的需求。在微电子、半导体、光电等领域中，CMP抛光垫的使用越来越广泛，尤其是在制造高性能晶体管、集成电路和MEMS等微纳米器件中，CMP抛光垫的质量和性能至关重要。硅片抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的

http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtpggppgd_1.html

[行业资讯]半导体先进制程PAD抛光垫国产替代进行中[ 2023-06-23 11:09 ]

国内半导体制造的崛起加速推动了半导体材料的国产化进程。在政策、资金以及市场需求的带动下，我国集成电路产业迅猛发展，带动上游材料需求增长。先进制程CMP抛光液及CMP抛光垫用量大增，国产替代进行中。 CMP抛光垫（CMP PAD）一般分为聚氨酯抛光垫、无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫等，高精密研磨抛光垫应用于半导体制作、平面显示器、玻璃光学、各类晶圆衬底、高精密金属已经硬盘基板等产业，目前主要型号有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最广的。&n

http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtxjzcpad_1.html

[行业资讯]CMP在半导体晶圆制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]

化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲，半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造，后道工艺是芯片的封装测试。前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。晶圆制造前道加工环节主要包括 7 个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注

http://www.jzdz-wx.com/Article/cmpzbdtjyz_1.html

[常见问题]CMP常用化学抛光液有哪些[ 2023-05-17 10:42 ]

CMP技术（化学机械研磨）是现代半导体制造中非常重要的一项技术，在半导体制造中的应用最多，通过CMP工艺使用抛光液和抛光垫可以去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，达到工件表面平坦化，保证晶体管等器件的性能稳定性。抛光磨料是CMP抛光液中最重要的组成部分，它能够去除硅片表面的氧化物和金属残留物，以达到平坦化的效果。CMP常用化学抛光液有哪些？常见的CMP化学抛光液有氧化铝（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化铈（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

http://www.jzdz-wx.com/Article/cmpcyhxpgy_1.html

[常见问题]如何解决氧化硅抛光液结晶问题[ 2023-05-09 17:17 ]

二氧化硅抛光液在抛光过程中会出现结晶结块的现象，虽然不是大问题但如果处理不当，很可能会导致工件表面划伤甚至报废，那么怎么解决氧化硅抛光液结晶问题呢？首先要了解硅溶胶抛光液的特点属性。二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经水解法离子、交换法制备成的一种高纯度低金属离子型产品。在水性环境中容易形成一种离子网状结构，而一脱离了水份，表面积迅速凝结形成结晶块，所以只要保持水分基本上是不会出现结晶现象。在实际CMP抛光工艺当中硅溶胶抛光液会一直在研磨盘转动、流动，结晶情况较少。因此氧化

http://www.jzdz-wx.com/Article/rhjjyhgpgy_1.html

[行业资讯]蓝宝石窗口平面加工--蓝宝石研磨液[ 2023-05-09 17:07 ]

蓝宝石平面视窗、精密质量蓝宝石视窗、高精度质量蓝宝石视窗是为各种光学、机械和电子应用提供了强度、耐磨性、化学惰性适用于光学和激光应用，这些蓝宝石窗口设计用于关键的光学和激光应用。蓝宝石窗口的制程中关键步骤需要用到CMP研磨抛光工艺，蓝宝石研磨液适合用于大批量蓝宝石窗口的生产应用。蓝宝石抛光液以高纯度氧化硅原料制备而成，具有悬浮性好，不易结晶，易清洗等特点。用于蓝宝石工件的镜面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，无划伤，表面质量度高。吉致电子生产研发的蓝宝石窗口CMP抛光研磨液，性能稳

http://www.jzdz-wx.com/Article/lbsckpmjgl_1.html

[常见问题]蓝宝石晶圆怎么研磨--sapphire wafer抛光液实现高平坦度表面[ 2023-04-26 11:10 ]

吉致电子蓝宝石研磨液sapphire slurry又称为蓝宝石抛光液。专业用于蓝宝石衬底、外延片、窗口、蓝宝石wafer的减薄和抛光。蓝宝石抛光液由纯度高的磨粒、复合分散剂和分散介质组成，具有稳定性高、不沉降不易结晶、抛光速度快的优点。通过CMP工艺搭配蓝宝石专用slurry可实现蓝宝石晶圆的高平坦度加工,吉致电子抛光液利用纳米SiO2粒子研磨表面,不会对加工件造成物理损伤,达到精密加工。蓝宝石CMP抛光液的低金属的成分，可以有效防止产品受到污染。 &n

http://www.jzdz-wx.com/Article/lbsjyzmyms_1.html

[应用案例]碳化硅SiC抛光工艺[ 2023-04-19 17:08 ]

根据半导体行业工艺不同，CMP抛光液可分为介质层化学机械抛光液、阻挡层化学机械抛光液、铜化学机械抛光液、硅化学机械抛光液、钨化学机械抛光液、TSV化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液等。 SIC CMP抛光液是半导体晶圆制造过程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨过程中起着关键作用，抛光液的种类、颗粒分散度、粒径大小、物理化学性质及稳定性等均与抛光效果紧密相关。近年来，在人工智能、5G、数据中心等技术不断发展背景下，碳化硅衬底应用领域不断扩大、市场规模不断扩大，进而带动

http://www.jzdz-wx.com/Article/thgsicpggy_1.html

吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产

相关搜索

吉致热门资讯

吉致电子抛光材料 源头厂家 25年 专注CMP抛光材料研发与生产

相关搜索

吉致热门资讯

吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产