吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

TSV抛光液---半导体3D封装技术Slurry

  TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。  TSV工艺的优势：可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子JEEZ用于3D封装

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CMP常用化学抛光液有哪些

   CMP技术（化学机械研磨）是现代半导体制造中非常重要的一项技术，在半导体制造中的应用最多，通过CMP工艺使用抛光液和抛光垫可以去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，达到工件表面平坦化，保证晶体管等器件的性能稳定性。   抛光磨料是CMP抛光液中最重要的组成部分，它能够去除硅片表面的氧化物和金属残留物，以达到平坦化的效果。CMP常用化学抛光液有哪些？常见的CMP化学抛光液有氧化铝（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化铈（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

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如何解决氧化硅抛光液结晶问题

 二氧化硅抛光液在抛光过程中会出现结晶结块的现象，虽然不是大问题但如果处理不当，很可能会导致工件表面划伤甚至报废，那么怎么解决氧化硅抛光液结晶问题呢？  首先要了解硅溶胶抛光液的特点属性。二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经水解法离子、交换法制备成的一种高纯度低金属离子型产品。在水性环境中容易形成一种离子网状结构，而一脱离了水份，表面积迅速凝结形成结晶块，所以只要保持水分基本上是不会出现结晶现象。在实际CMP抛光工艺当中硅溶胶抛光液会一直在研磨盘转动、流动，结晶情况较少。  因此氧化

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蓝宝石窗口平面加工--蓝宝石研磨液

 蓝宝石平面视窗、精密质量蓝宝石视窗、高精度质量蓝宝石视窗是为各种光学、机械和电子应用提供了强度、耐磨性、化学惰性适用于光学和激光应用，这些蓝宝石窗口设计用于关键的光学和激光应用。蓝宝石窗口的制程中关键步骤需要用到CMP研磨抛光工艺，蓝宝石研磨液适合用于大批量蓝宝石窗口的生产应用。  蓝宝石抛光液以高纯度氧化硅原料制备而成，具有悬浮性好，不易结晶，易清洗等特点。用于蓝宝石工件的镜面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，无划伤，表面质量度高。吉致电子生产研发的蓝宝石窗口CMP抛光研磨液，性能稳

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蓝宝石晶圆怎么研磨--sapphire wafer抛光液实现高平坦度表面

  吉致电子蓝宝石研磨液sapphire slurry又称为蓝宝石抛光液。专业用于蓝宝石衬底、外延片、窗口、蓝宝石wafer的减薄和抛光。蓝宝石抛光液由纯度高的磨粒、复合分散剂和分散介质组成，具有稳定性高、不沉降不易结晶、抛光速度快的优点。   通过CMP工艺搭配蓝宝石专用slurry可实现蓝宝石晶圆的高平坦度加工,吉致电子抛光液利用纳米SiO2粒子研磨表面,不会对加工件造成物理损伤,达到精密加工。蓝宝石CMP抛光液的低金属的成分，可以有效防止产品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致电子氧化层抛光液性能有哪些？

  Oxide slurry 简称OX氧化物研磨液广泛用于氧化层材料的CMP抛光，抛光研磨后达到精准的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圆表面的氧化硅层或者上层金属与氧化硅之间的氧化硅层等。  吉致电子OX氧化层抛光液适用于4-12英寸氧化硅镀膜片的氧化层抛光液。JEEZ半导体抛光液性能优点：①使用纯度高的纳米抛光磨料，拥有高速率加工能力;②slurry粒径大小均匀因此能获得无缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗无残留，对后续工艺影响小。 

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第三代半导体材料--碳化硅晶圆SiC抛光液

  随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起。  碳化硅是新型电力系统，特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料，同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”。从国际技术发展水平来看，碳化硅方面，8英寸衬底开始产业化，车规级功率器件是当前开发重点，多家厂商已推出大功率模组及高温封装产品，碳化硅器件正向耐受更高电压

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吉致电子手机取卡针抛光液

  吉致电子手机液态金属抛光液，手机取卡针抛光液，研磨抛光浆料为粗抛、中抛、精抛浆料悬浮性好，特点是不易沉淀、不结晶、不腐蚀机台，易于清洗。  适用于3C电子产品，手机电子元器件、液态金属、喇叭网听筒/手机音量键、碳素钢抛光液可以迅速去除CNC刀纹、底纹等，抛光后无划伤、橘皮、坑点、针眼等缺陷不含重金属以及有害物质、环保无危害，可接触皮肤。  产品运用抛光液中的CMP化学机械作用，提高抛光速率改善抛光表面的质量颗粒粒径分布适中，最大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率颗粒分散性好，有

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半导体行业CMP化学机械平坦化工艺Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化学机械平坦化工艺，应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化加工。  CMP工艺融合了化学研磨和物理研磨的过程，而单一的化学或物理研磨在表面精度、粗糙度、均匀性、材料去除率及表面损失程度上都不能同时满足要求。CMP工艺兼具了二者的优点，通过抛光液/研磨液（slurry）与抛光垫（Pad）化学机械作用，在保证材料去除效率的同时，得到准确的表面材料层的厚度，获得较好的晶圆表面平坦度和均匀性，实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度，同

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CMP金刚石悬浮液/研磨液的特点及应用

吉致电子金刚石研磨液产品特点：（1）磨料类型多样化，包含单晶、多晶、类多晶及纳米级金刚石等；（2）金刚石悬浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金刚石研磨液粘度可调整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致电子金刚石悬浮液/研磨液应用领域：1、抛光液CMP半导体晶片加工：蓝宝石、碳化硅、氮化镓等半导体晶片;2、抛光液陶瓷加工：氧化锆指纹识别片、氧化锆陶瓷手机后壳及其它功能陶瓷;3、抛光液用于金属材料加工：不锈钢、模具钢、铝合金及其它金属材料。吉致电子CMP研发生产厂家，产品质量和效果媲美进口slurry，CMP抛光液粒度规

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CMP抛光液---纳米氧化铈抛光液的优点

  通常化学机械研磨抛光工艺使用的CMP抛光液有金刚石抛光液、氧化硅抛光液、氧化铝抛光液及氧化铈抛光液（又称稀土抛光液）。  纳米氧化铈为水性液体是吉致电子采用先进的分散工艺，将纳米氧化铈粉体分散在水相介质中，形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米氧化铈水性悬浮液。1.在抛光材料应用中，纳米CeO2抛光液相对硅溶胶，具有抛光划伤少、抛光速度快、易清洗良品率高等优势，且PH中性，使用寿命长、对抛光表面污染小，不易风干。2.在抛光军用红外激光硅片、异型硅、超薄硅片方面上，尤其是抛光超薄硅片，纳米氧化铈

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吉致电子常见的CMP研磨液

  CMP 化学机械抛光液slurry的主要成分包括：磨料、添加剂和分散液。添加剂的种类根据产品适用场景也有所不同，分金属抛光液和非金属抛光液。金属CMP抛光液含：金属络合剂、腐蚀抑制剂等。非金属CMP抛光液含：各种调节去除速率和选择比的添加剂。  根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中，铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm 及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线；硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。吉致电子常见的CMP研

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研磨液厂家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化学机械平面工艺中的研磨材料和化学添加剂的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性剂、氧化剂、PH缓冲胶和防腐剂等成分组成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二铝（Al2O3）、 氧化铈（CeO2）,金刚石（单晶、多晶）等。  通俗来讲，芯片制造就像盖高楼，一层一层往上叠加，要想楼不塌，在制造下一层前必须确保本层的平坦度，这就是CMP平坦化的诉求。Wafer晶圆在制造过程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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铜化学机械抛光液---什么是TSV技术？

铜机械化学抛光液---什么是TSV技术？TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。TSV的显著优势：TSV可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子

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抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料？

  CMP抛光液用于几代半导体材料？  CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光，科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。  目前，第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力

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不锈钢工件原始品质对CMP抛光效果的影响

  不锈钢镜面抛光效果的优良，不仅取决于抛光方案设计、抛光耗材（CMP抛光液、抛光垫）选择和抛光参数设置，不锈钢抛光工件的原始品质也影响到最终的抛光的效果。当抛光效果不尽人意时，不仅要对抛光方案、所使用耗材的品质进行评估和优化，同时对于工件的质量也要有所考虑。  不锈钢工件品质对CMP抛光工艺的影响1.优质的的不锈钢工件是获得良好抛光质量的前提条件，工件表面硬度不均或特性上有差异都会对抛光产生一定的困难。金属工件中的夹杂物和气孔都是影响抛光的不利因素。2.电火花加工后的金属表面难以研磨，若未在加

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吉致电子---氧化铈研磨液在半导体CMP制程中的作用

  粒径30-50nm的球形氧化铈研磨液用于半导体芯片制程：应用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成电路STI(浅沟槽隔离层)CMP  STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。  纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异  粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面C

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CMP抛光液厂家---苹果Logo专用抛光液

  果粉们时常被MacBook，Iphone上闪闪发光的Apple Logo所惊艳到，那么苹果手机和笔记本上的金属Logo是如何实现镜面工艺的呢？

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吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用

  CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光，吉致电子抛光液在半导体行业的应用，主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。  CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。  在半导体行业CMP环节之中，也存在

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蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液

蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液？蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子CMP抛光液，是一种高纯度的氧化硅抛光液，广泛应用于多种材料的纳米级高平坦化抛光。吉致电子生产的蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底研磨减薄，蓝宝石A向抛光液，蓝宝石C向抛光液等。抛光范围如：硅片、锗片、化合物晶体磷化铟、砷化镓、精密光学器件、宝石饰品、金属镜面等研磨抛光加工。蓝宝石抛光液Sapphire Slurry的特点：1.高纯度（Cu含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的污染。2.高抛光速率，利用大粒径的胶

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