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吉致电子抛光材料 源头厂家
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SIT Slurry平坦化流程与方法
SIT Slurry平坦化流程与方法

浅槽隔离(shallow trench isolation),简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺,通常用于亚0.25um工艺以下,利用掩模完成选择性氧化,主要绝缘材料是淀积SiO?,浅槽隔离主要分为三个部分:槽刻蚀,氧化硅填充,CMP抛光液平坦化。一,槽刻蚀1,隔离氧化硅生成:氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积:氮化硅是坚硬的掩模材料,有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区;在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀:用氟基和氯基气体

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吉致电子蓝宝石研磨液CMP减薄工艺
吉致电子蓝宝石研磨液CMP减薄工艺

  蓝宝石研磨液/抛光液,是通过化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing ) 用于蓝宝石衬底、窗口片的研磨和减薄,达到减薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致电子蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。  吉致电子蓝宝石研磨液、CMP抛光液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研

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稀土抛光液--氧化铈抛光液的种类
稀土抛光液--氧化铈抛光液的种类

  随着光学技术和集成电路技术的飞速发展,对光学元件的精密和超精密抛光以及集成电路的CMP抛光工艺的要求越来越高,甚至达到了极其苛刻的程度,尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。铈系稀土抛光液因其切削能力强、抛光精度高、抛光质量好、使用寿命长,在光学精密抛光领域发挥了极其重要的作用。吉致电子氧化铈抛光液的种类和固含量可按抛光工件的用途来分:根据氧化铈的含量,氧化铈抛光液可分为低铈、中铈和高铈抛光液,其切削力和使用寿命也由低到高。1.含95%以上氧化铈的铈抛光液呈淡黄色,比重约7.3。主要适用于精密光学镜片的

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半导体抛光液--球型二氧化硅抛光液的用途
半导体抛光液--球型二氧化硅抛光液的用途

  球形硅微粉作为抛光液磨料,可大大提高产品的刚性、耐磨性、耐候性、抗冲击性、耐压性、抗拉性、阻燃性、良好的耐电弧绝缘性和耐紫外线辐射性。让我们来看看球型二氧化硅抛光液在电子芯片中的一些应用。  精密研磨粉高纯球形硅粉用于光学器件和光电行业的精密研磨,特别适用于半导体单晶多晶硅片、显像管玻壳玻屏、光学玻璃、液晶显示器(LCD、LED)玻璃基板、压电晶体、化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)、磁性材料等半导体行业的研磨抛光。  吉致电子用高纯球形硅粉制备成的超高纯硅溶胶抛光液slurry,

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纳米氧化硅抛光液的特点
纳米氧化硅抛光液的特点

  纳米二氧化硅抛光液由高纯纳米氧化硅SiO2等多种复合材料配置而成,通过电解法或离子交换法制备成纳米抛光液,硅抛光液磨料分散性好,具有高强度、高附着力、成膜性好、高渗透、高耐候性、高耐磨性等特点,是一种性能优良的CMP抛光材料。广泛应用于金属或半导体电子封装抛光工艺中。吉致电子硅抛光液,CMP抛光slurry应用范围:1、可用于微晶玻璃的表面抛光加工中。2、用于硅片的粗抛和精抛以及IC加工过程,适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圆的后道CMP清洗等半导体器件的加工过程、平面显示器、多

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半导体抛光液---半导体材料有哪些?
半导体抛光液---半导体材料有哪些?

  半导体业内从材料端分为:第一代元素半导体材料,如硅(Si)和锗(Ge);第二代化合物半导体材料:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;第三代宽禁带材料:如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等。  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道&

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陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺
陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺

  陶瓷覆铜板的制作工艺主要是DPC工艺和DBC工艺,DPC产品具备线路精准度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是最适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。陶瓷覆铜基板需要用到CMP抛光工艺,利用抛光液和抛光垫达到表面光洁度或镜面效果。  CMP抛光液对陶瓷覆铜基板的抛光研磨,可以做到粗抛、中抛、精抛效果。粗抛工艺,陶瓷覆铜板表面去除率高,快速抛磨。精抛工艺,基板表面无划痕,可达反光镜面效果。吉致电子针对陶瓷覆铜板制备的抛光研

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金属手机边框的镜面抛光方法是什么?
金属手机边框的镜面抛光方法是什么?

  手机金属外壳/手机边框材质一般为不锈钢、钛合金、铝合金等,如华为\Iphone手机金属边框要达到完美的镜面效果需要精抛步骤----手机镜面抛光液slurry的主要成份是二氧化硅,二氧化硅抛光液外观为乳白色,呈悬浮液状态,在抛光过程中起到收光磨料的作用。  金属手机精抛液的主要技术要求是什么呢?①镜面抛光液PH值的选择:PH值高低很可能会影响到最终的抛光效果,高低差别会导致手机金属工件发黑氧化,以及麻点和起雾,所以如何控制PH值非常重要。②镜面抛光液磨粒大小的选择:氧化硅磨料颗粒大小,直接影响

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碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程
碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫,抛磨工艺一般分为3道流程:双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨:一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工;主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺:针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率(与精磨基本相当)又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺:SIC晶圆精

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碳化硅衬底抛光液的特点
碳化硅衬底抛光液的特点

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光,以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅(Sic)晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料,采用物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)等生成外延片,最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面,因为碳面与硅面的极性不同,所以化学活性也不同,故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液(Sic Slurry)为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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氧化铝抛光液在蓝宝石窗口中的应用
氧化铝抛光液在蓝宝石窗口中的应用

  α -氧化铝(Al2O3)是众多氧化铝晶相中的最稳定的晶体相,它由其他晶相的氧化铝在高温下转变而成,是天然氧化物晶体中硬度最高的物质,硬度仅次于金刚石,远远大于二氧化硅溶胶颗粒,它是一种常用的抛光用磨料,被广泛用于许多硬质材料的抛光上。应用于CMP抛光液制备中,常用于在蓝宝石窗口的镜面抛光工艺中。 α -氧化铝(Al2O3)其实与蓝宝石是同一种物质或材料,材料结构中的原子排列模式完全相同,区别在于多晶体与单晶体。因此,从硬度上讲α-氧化铝(Al2O3)纳米粉体与蓝宝石晶体的硬度相当,可以用于

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蓝宝石抛光液的成分
蓝宝石抛光液的成分

  蓝宝石抛光液中的主要成分有磨料、表面活性剂、螯合剂、PH调节剂等,抛光液是影响CMP(化学机械抛光)效果最重要的因素之一。评价抛光液性能好坏的指标是流动性好,分散均匀,在规定时间内不能产生团聚、沉淀、分层等问题,磨料悬浮性能好,抛光速率快,易清洗且绿色环保等。  其中,磨料主要影响化学机械抛光中的机械作用。磨料的选用主要从磨料的种类、浓度以及粒径三个方面来考虑。目前CMP抛光液中常用的磨料主要有金刚石、氧化铝、氧化硅等单一磨料,也有氧化硅/氧化铝混合磨料以及核壳型的复合磨料等。行业内主流抛光

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CMP抛光液---复合磨料抛光液
CMP抛光液---复合磨料抛光液

  复合磨料抛光液  CMP抛光液产品除了混合磨料外,也有利用各种新兴材料制备复合磨料,常用的方法有纳米粒子包覆和掺杂等。如通过结构修饰改善纳米粒子的分散性、复合其他类型材料提升在酸、碱性抛光液中的综合性能等。  复合磨料抛光液相比混合磨料和单一磨料,在材料去除率及表面粗糙度方面均有明显的优势,能实现纳米级或亚纳米级超低损伤的表面形貌。但复合磨料的制备工艺相对比较复杂,目前仅处于实验室探索阶段,距离复合磨料在大规模生产上的应用还有较远的距离。  吉致电子科技25年抛光液生产厂

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蓝宝石抛光液如何选?
蓝宝石抛光液如何选?

  随着科技的发展和迭代,3C科技产品对玻璃面板的要求越来越高,需要硬度更高且不容易划伤的玻璃,因此蓝宝石材质的应用和需求越来越广泛,如手机蓝宝石屏幕、蓝宝石摄像头、蓝宝石手表等。蓝宝石的特点是硬度高,脆性大,所以加工难度也大。  因此,很有必要研究并升级CMP抛光工艺在蓝宝石窗口上的应用。目前国内批量生产蓝宝石衬底的技术还不成熟,切割出来的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹,抛光后容易形成麻点或划痕。在蓝宝石衬底的生产中,裂纹和崩边的情况比较高,占总数的5%-8%。抛光过程中影响抛光质量的因素很多,如

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吉致电子--抛光液的主要成分和功能有哪些?
吉致电子--抛光液的主要成分和功能有哪些?

  抛光液的主要成分可分为以下几类:氧化铝抛光液、氧化铈抛光液、金刚石研磨液(聚晶钻石抛光液、单晶金刚石抛光液、纳米金刚石抛光液)、氧化硅抛光液、碳化硅抛光液。  硅溶胶抛光液(氧化硅抛光液)是以高纯硅粉为原料,通过特殊工艺(如水解法)生产的高纯度低金属离子型抛光产品。广泛应用于多种纳米级材料的高平坦化抛光,如硅晶片、锗晶片、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料、精密光学器件、蓝宝石衬底、蓝宝石窗口等。  金刚石抛光液以金刚石微粉为主要成分,高分散配方,硬度高韧性好,有良好的高切削率,不易

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CMP抛光液的抛光磨料有哪些?
CMP抛光液的抛光磨料有哪些?

CMP抛光液的抛光磨料有哪些?抛光液中常用的抛光磨料种类可分为天然磨料和人造磨料。1.天然磨料:自然界中所有可用于研磨或磨削的材料统称为天然磨料。常用的天然磨料如下:金刚石、天然刚玉、石榴石和石英。2.人造磨料:人造磨料分为刚玉系列、碳化物系列、硬质系列。刚玉系人造磨料:包括棕刚玉、白刚玉、锆刚玉、微晶刚玉、单晶刚玉、铬刚玉、镨钕刚玉、黑刚玉和矾土烧结刚玉。碳化硅系人造磨料:碳化硅、铈碳化硅、碳化硼、碳硅硼。硬质人造磨料系列:金刚石(人造钻石)和立方氮化硼。随着科学技术的发展,人造磨料品种已达几十种,天然磨料由于自

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温度对CMP抛光的影响有哪些
温度对CMP抛光的影响有哪些

  化学机械抛光(CMP)中,抛光垫大面积接触工件,提高了一致性和抛磨效率,然而在抛光过程中,抛光垫也会不断地磨损和消耗,各种因素都会影响抛光垫的性能和使用寿命,其中直接的因素就是温度。  在化学机械抛光过程中,抛光垫的温度通常会在两种情况下升高。一个是固体和固体之间的物理摩擦接触。摩擦力引起的温度上升可能导致抛光垫的局部温度上升到30℃。当抛光在液压释放模式下进行时,热量释放将被释放。另一种是抛光液和抛光垫之间的化学反应释放的热量引起的温度升高。当抛光垫的温度超过一定限度时,抛光垫的聚氨酯材料

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铝合金抛光液配方是什么
铝合金抛光液配方是什么

  铝合金抛光液配方是什么?铝材镜面抛光用什么研磨液呢?  铝材硬度相对来说较软,软质金属是不建议用金刚研进行抛磨的,表面会造成很大的刮痕。那么铝合金抛光用什么抛光液呢?铝材工件镜面抛光一般有粗抛和精抛两次抛光步骤。当然铝合金抛光液的配液方法在行业中难度较大,对工件镜面要求非常高的企业比如富士康,还是依赖日本进口抛光液产品,价格非常昂贵。  随着国内CMP技术发展和不断研发,正逐步缩小与国际技术的差距,吉致电子铝合金抛光剂以分级后的磨料微粉为原料,颗粒经表面改性处理,按特殊化学配方充分

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不锈钢抛光液配方
不锈钢抛光液配方

  不锈钢工件一般硬度较高,大概在35-50度左右,常见的主要有304不锈钢、316不锈钢等。就不锈钢抛光液而言,在抛光过程中,除了注重最终的镜面效果,还需要提高生产效率。  那么不锈钢抛光液配方是什么?或者怎么搭配才能更好的提高不锈钢件的速度?其实对于硬质金属,我们一般用金刚石做磨料,调配相应的比例。金刚石研磨液可做粗磨液,其优点是去除率高,磨削速度快。在抛磨工件的时候,客户对金刚石微粉放量较少,这种操作是错误的。金刚石粉用量太少会导致磨削力不足。重要的是不锈钢粗磨液一般要求比较稠,这样抛磨的

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CMP抛光液的流速快慢会有什么影响?
CMP抛光液的流速快慢会有什么影响?

  CMP抛光液的流速快慢会有什么影响?今天,吉致电子小编就给大家解释一下抛光液流动性的影响。  现代芯片制造领域有两种相互矛盾的趋势:待加工的工件尺寸越来越大,但要求的加工精度却越来越高。比如下一代集成电路中的晶圆直径要大于300mm,但表面粗糙度和波纹度要小于几埃,下一代磁盘的划痕深度和粗糙度要≤1nm和≤0.1nm,因此有必要对材料进行分子去除。  抛光液中所含的化学物质与晶片表面或亚表面相互作用,形成软化层或弱结合,或在晶片表面产生钝化反应,使材料被平滑均匀地去除,

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