吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

碳化硅衬底平坦化使用的是什么工艺？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。  第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导体器件，可有效突破传统硅基功率半导体器件及其材料的物理极限。  化学

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碳化硅SIC衬底的加工难度有哪些？

  衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。有数据显示，衬底成本大约占晶圆加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。  SiC碳化硅衬底不止贵生产工艺还复杂，与Si硅片相比，SiC很难处理。SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表

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氮化铝/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨抛光

  氮化铝/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨抛光，需要用粗抛和精抛两道工艺。粗抛液用来研磨快速去除表面缺陷和不良，精细抛光液用来平坦工件表面提升精度。吉致电子陶瓷专用研磨液/抛光液能减少研磨时间，同时提高陶瓷工件抛光的质量，帮助客户缩短工时提高工作效率。 陶瓷基板的研磨过程一般包括双面研磨（35-60分钟）和精细抛光（120分钟）。在不到2.5小时的时间里，得到10-15纳米的Ra。 氮化铝/氮化硅散热衬底抛光方案：①双面研磨（35-60分钟）搭配吉致电子类多晶研磨液 ②超精细抛

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吉致电子1um/3um/6um/7μm/9μm金刚石抛光液和研磨液

  吉致电子金刚石抛光液/研磨液包括单晶抛光液、多晶抛光液和类多晶抛光液。金刚石研磨液分为水基和油基两类。  吉致电子1um/3um/6um/7μm/9μm金刚石抛光液金刚石抛光液浓度高，金刚石粒径均匀，悬浮液分散充分。其特点是不结晶、不团聚，磨削力强，抛光效果好。可以满足高硬度材料、精密的微小元器件、高质量表面要求的材料抛光需求。  金刚石抛光液采用优质金刚石微粉，结合吉致专利配方工艺，调配的CMP专用抛光液可最大限度的提高切削力和抛光效率。在实际使用中工件研磨速率稳定，材料去除率高

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吉致电子荣获第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议“优秀组织奖”

  2023年11月8日-10日第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)在北京圆满落幕。本次会议聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者、龙头企业、资本机构莅临会议现场，通过大会报告、专场报告、高峰论坛、口头报告、项目路演和墙报等形式，分享全球宽禁带半导体技术最新研究进展，交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进行业互联互通。    吉致电子科技有限公司出席了此次会议，并在会议期间设有展台。吉致电子的代表们与全球各地的专家

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吉致电子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。  为获

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吉致电子手机中框抛光液及智能穿戴设备表面处理

手机中框、智能穿戴设备表面处理，有抛光、喷砂等工艺。吉致电子3C产品专用抛光液及抛光耗材，速率快效果好。手机中框对于镜面抛光要求非常高，需要达到镜面效果，钛合金相比其他铝合金、不锈钢等金属是相对较硬的材质手机中框镜面抛光可以用氧化铝抛光液搭配抛光皮达到一个高亮面的效果，其效果可达到：1.悬浮性好，不易沉淀；2.颗粒分散均匀，不团聚，软硬度适中，有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致 的工件表面划伤缺陷。3.运用抛光过程中的化学新作用，提高抛光速度，改善抛光表面的质量。4.分散性好、乳液均一，程度提升抛光速率的同时降低微

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蓝宝石衬底研磨用什么抛光液

  CMP工艺怎么研磨蓝宝石衬底？需要搭配什么抛光液？蓝宝石抛光万能公式：粗抛、中抛、精抛，每道工序使用不同磨料的抛光液和抛光PAD：①蓝宝石CMP粗磨：蓝宝石衬底粗磨可以选择硬度高切削力强的吉致金刚石研磨液，搭配金刚石磨盘，速率高效果好可有效去除蓝宝石表面的不平和划痕。②蓝宝石CMP中抛：这一步可以用铜盘+小粒径的金刚石研磨液，用来去除粗抛留下的纹路，为镜面抛光做前期准备。③蓝宝石CMP精抛：CMP精抛是蓝宝石衬底最后一道工序，需要用到抛光垫+纳米氧化硅抛光液来收光，呈现平坦无暇的镜面效果。 

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半导体先进制程PAD抛光垫国产替代进行中

  国内半导体制造的崛起加速推动了半导体材料的国产化进程。在政策、资金以及市场需求的带动下，我国集成电路产业迅猛发展，带动上游材料需求增长。先进制程CMP抛光液及CMP抛光垫用量大增，国产替代进行中。  CMP抛光垫（CMP PAD）一般分为聚氨酯抛光垫、无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫等，高精密研磨抛光垫应用于半导体制作、平面显示器、玻璃光学、各类晶圆衬底、高精密金属已经硬盘基板等产业，目前主要型号有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最广的。&n

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CMP在半导体晶圆制程中的作用

  化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲，半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造，后道工艺是芯片的封装测试。  前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。  晶圆制造前道加工环节主要包括 7 个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注

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TSV抛光液---半导体3D封装技术Slurry

  TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。  TSV工艺的优势：可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子JEEZ用于3D封装

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蓝宝石窗口平面加工--蓝宝石研磨液

 蓝宝石平面视窗、精密质量蓝宝石视窗、高精度质量蓝宝石视窗是为各种光学、机械和电子应用提供了强度、耐磨性、化学惰性适用于光学和激光应用，这些蓝宝石窗口设计用于关键的光学和激光应用。蓝宝石窗口的制程中关键步骤需要用到CMP研磨抛光工艺，蓝宝石研磨液适合用于大批量蓝宝石窗口的生产应用。  蓝宝石抛光液以高纯度氧化硅原料制备而成，具有悬浮性好，不易结晶，易清洗等特点。用于蓝宝石工件的镜面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，无划伤，表面质量度高。吉致电子生产研发的蓝宝石窗口CMP抛光研磨液，性能稳

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什么是OX研磨液?吉致电子氧化层抛光液性能有哪些？

  Oxide slurry 简称OX氧化物研磨液广泛用于氧化层材料的CMP抛光，抛光研磨后达到精准的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圆表面的氧化硅层或者上层金属与氧化硅之间的氧化硅层等。  吉致电子OX氧化层抛光液适用于4-12英寸氧化硅镀膜片的氧化层抛光液。JEEZ半导体抛光液性能优点：①使用纯度高的纳米抛光磨料，拥有高速率加工能力;②slurry粒径大小均匀因此能获得无缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗无残留，对后续工艺影响小。 

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半导体行业CMP化学机械平坦化工艺Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化学机械平坦化工艺，应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化加工。  CMP工艺融合了化学研磨和物理研磨的过程，而单一的化学或物理研磨在表面精度、粗糙度、均匀性、材料去除率及表面损失程度上都不能同时满足要求。CMP工艺兼具了二者的优点，通过抛光液/研磨液（slurry）与抛光垫（Pad）化学机械作用，在保证材料去除效率的同时，得到准确的表面材料层的厚度，获得较好的晶圆表面平坦度和均匀性，实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度，同

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CMP金刚石悬浮液/研磨液的特点及应用

吉致电子金刚石研磨液产品特点：（1）磨料类型多样化，包含单晶、多晶、类多晶及纳米级金刚石等；（2）金刚石悬浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金刚石研磨液粘度可调整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致电子金刚石悬浮液/研磨液应用领域：1、抛光液CMP半导体晶片加工：蓝宝石、碳化硅、氮化镓等半导体晶片;2、抛光液陶瓷加工：氧化锆指纹识别片、氧化锆陶瓷手机后壳及其它功能陶瓷;3、抛光液用于金属材料加工：不锈钢、模具钢、铝合金及其它金属材料。吉致电子CMP研发生产厂家，产品质量和效果媲美进口slurry，CMP抛光液粒度规

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研磨液厂家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化学机械平面工艺中的研磨材料和化学添加剂的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性剂、氧化剂、PH缓冲胶和防腐剂等成分组成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二铝（Al2O3）、 氧化铈（CeO2）,金刚石（单晶、多晶）等。  通俗来讲，芯片制造就像盖高楼，一层一层往上叠加，要想楼不塌，在制造下一层前必须确保本层的平坦度，这就是CMP平坦化的诉求。Wafer晶圆在制造过程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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铜化学机械抛光液---什么是TSV技术？

铜机械化学抛光液---什么是TSV技术？TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。TSV的显著优势：TSV可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子

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抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料？

  CMP抛光液用于几代半导体材料？  CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光，科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。  目前，第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力

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CMP抛光液厂家---苹果Logo专用抛光液

  果粉们时常被MacBook，Iphone上闪闪发光的Apple Logo所惊艳到，那么苹果手机和笔记本上的金属Logo是如何实现镜面工艺的呢？

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SIT Slurry平坦化流程与方法

浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，CMP抛光液平坦化。一，槽刻蚀1,隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体

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