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3D先进封装TSV CMP CU Slurry 铜化学机械抛光液
磨料类型：半导体cmp抛光液slurry
磨料粒径：专利化学配方/可定制
TSV（硅通孔）Cu铜CMP抛光液·参数吉致电子，TSV CU Slurry 可定制·速率高·效果好·专利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA
产品名称：3D先进封装TSV CMP CU Slurry/TSV铜化学机械抛光液/半导体cmp抛光液slurry
TSV硅通孔的作用: 提高集成度、降低功耗系统地集成数字电路、模拟电路。通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充实现硅通孔的垂直电气互连，用于3D封装TSV阻挡层化学机械抛光液。
Front-side TSV Cu slurry----核心任务:快速去除Cu RRCu超快！
Removal Rate：
吉致电子JZ-1238与竞品AXXX 相当，2.2psi时为竞品的 99.2%;加入 H2O2 24hRR 仍很稳定，为原来的 96%。
吉致电子JZ-1238 的表面粗度 Ra 与竞品相当，批次测试结果的稳定性也较好!
吉致电子TSV Cu Slurry RR选择比：
JZ-1238在1.0和.5psi时对于Cu和Tin,Ti,TEOS的RR与AXXX均相当，速率选择比比AXXX稍高；对TaRR为
1.0psi时AXXX的速率选择比: Cu:TiN=7.83:1，Cu:Ti=85.13:1， Cu:TEOS=119.03:1
JZ-1238的速率选择比: Cu:TiN=8.22:1， Cu:Ti=140.90:1，Cu:TEOS=133.39:1
0.5psi时AXXX的速率选择比: Cu:TiN=5.54:1，Cu:Ti=68.51:1，Cu:TEOS=48.21:1
JZ-1238的速率选择比: Cu:TiN=6.01:1， Cu:Ti=98.81:1，Cu:TEOS=111.56:1
吉致电子JEEZ用于3D封装TSV化学机械抛光液：
可定制选择稳定的选择比，去除速率，对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。Cu抛光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和选择比。涵盖TSV铜/阻挡层Slurry，TSV晶背铜/介质层抛Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/铜Slurry等。具有高去除速率、选择比可调等优点。以及集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光等等。
吉致电子研发团队--15年经验CMP抛光液配方工程师，为您攻克抛光难题！
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