吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

Apple Logo镜面抛光秘诀:吉致电子金属CMP抛光液解决方案

在高端消费电子领域，3C产品的每一个细节都至关重要。无论是iPhone的背面Logo，还是MacBook的金属标志，镜面级的抛光效果不仅提升了产品的质感，更代表了品牌对极致的追求。吉致电子金属Logo抛光液专为钛合金、铝合金、不锈钢等材质的标志抛光而研发，通过化学机械抛光（CMP）工艺，帮助客户实现高效、稳定的镜面效果，尤其适用于Apple产品标志的高标准要求。为什么选择吉致电子Logo抛光液？1. 纳米级抛光，镜面效果卓越采用纳米级磨料，确保抛光均匀性，避免划痕、麻点等问题。适用于粗磨、细磨、抛光全流程，显著提升

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吉致电子半导体晶圆无蜡吸附垫CMP专用

半导体晶圆化学机械抛光（CMP）工艺中，化学抗性无蜡吸附垫作为关键耗材，其核心作用在于解决传统吸附材料的局限性，同时满足先进制程对洁净度、稳定性和工艺兼容性的严苛要求。吉致电子半导体CMP专用无蜡吸附垫产品，解决了传统吸附垫在严苛化学环境下性能不足、适配性差的问题，还为碳化硅晶圆等精密元件的高效、高质量抛光提供了可靠的解决方案。材料抗性设计：采用高分子复合材料体系，通过交联密度调控和纳米填料改性，实现对KMnO4等强氧化性浆料的化学惰性。实验数据表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小时后，吸附垫的拉伸强

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光储行业玻璃硬盘CMP抛光解决方案

一、玻璃硬盘CMP抛光液的技术原理CMP抛光是一种结合化学腐蚀和机械研磨的精密表面处理技术。对于玻璃硬盘基板而言，CMP抛光过程涉及复杂的物理化学相互作用：化学作用：抛光液中的化学组分与玻璃表面发生反应，生成易于去除的软化层或反应产物。对于硅酸盐玻璃，通常涉及Si-O键的水解和离子交换反应。机械作用：抛光垫和研磨颗粒通过机械摩擦去除表面反应层，同时暴露出新鲜表面继续参与化学反应。协同效应：理想的抛光过程要求化学腐蚀速率与机械去除速率达到动态平衡，以获得超光滑无损伤的表面。二、玻璃硬盘对CMP抛光液的性能要求为满足高

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陶瓷基板无蜡吸附垫的优点与选型指南

在陶瓷基板（Al2O3、AlN、SiC等）的化学机械抛光CMP工艺中，无蜡吸附垫凭借其高精度、无污染的特性，成为替代传统蜡粘附工艺的理想选择。吉致电子为您解析Template这一关键耗材的技术优势及选型要点。一、为什么选择无蜡吸附垫？1. 杜绝污染，提升良率传统蜡粘附会残留有机物，导致陶瓷基板后续工艺（如金属化）失效。无蜡吸附垫通过真空吸附或微纹理固定，避免污染，特别适合高频/高功率电子器件等严苛应用场景。2. 均匀抛光，降低缺陷聚氨酯（PU）材质的弹性层可自适应基板形貌，配合多孔结构设计，确保压力分布均匀，减少划

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衬底与晶圆在半导体制造中的作用及CMP技术解析

在半导体制造领域，衬底和晶圆是两个密切相关但又各具功能的核心概念。衬底作为基础层材料，为整个芯片制造过程提供物理支撑；而晶圆则是从衬底材料中切割出来的圆形硅片，是半导体芯片制造的直接载体。衬底通常是硅或其他半导体材料的薄片，具有优异的机械性能和热稳定性。晶圆作为衬底的一部分，经过精密加工后具有特定的晶体取向和表面特性，能够满足后续复杂的半导体工艺要求。衬底的核心功能与应用承载功能：衬底为半导体芯片提供稳定的机械支撑平台，确保在整个制造过程中保持结构完整性。优质的衬底能够承受高温、化学腐蚀等严苛工艺条件而不变形或降解

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吉致电子化学抗性无蜡吸附垫：半导体晶圆抛光专属解决方案

在精密半导体制造领域，抛光工艺的洁净度与稳定性直接决定晶圆品质。吉致电子凭借对材料科学与工艺参数的深度理解，推出化学抗性无蜡吸附垫，以独家定制化设计打破传统模板局限，为碳化硅SiC晶圆及高锰酸钾（KMnO4）基浆料等严苛环境提供高耐久、超洁净的抛光背附解决方案。一，精准匹配：从工艺需求到定制化设计每一款抛光背附板的性能都需与客户的生产场景深度契合。化学抗性吸附垫的设计流程始于全面调研——从工件特性、浆料化学性质（pH值、腐蚀性）到设备参数（压力、温度），吉致电子通过定制化图纸，精准适配材料厚

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吉致电子：25 年CMP技术，铸就高端手机镜面质感

当高端手机的金属边框以镜面之姿映出光影流转，指尖划过的丝滑触感背后是3C行业精密制造的科技结晶。吉致电子深耕CMP化学机械抛光技术25年，作为3C行业抛光液及耗材的核心供应商与技术支持厂家，为华为、苹果等品牌定制不锈钢、钛合金、铝合金边框镜面抛光解决方案，解密手机「完美镜面」的诞生密码。一、手机边框镜面抛光的三大核心挑战与吉致电子方案手机金属边框的抛光工艺堪称精密制造的 “极限挑战”，吉致电子针对核心难点给出定制化解决方案：①材质差异大：不锈钢硬度高、钛合金易氧化、铝合金怕腐蚀，传统抛光液难

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硅晶圆芯片抛光如何选择无蜡吸附垫？

半导体制造领域，无蜡吸附垫Template正逐渐成为提升生产效率与加工精度的关键要素。相较于传统蜡模装夹工艺，无蜡吸附垫展现出诸多优势。如何挑选出契合晶圆、芯片CMP抛光需求的无蜡吸附垫，成为众多半导体企业关注的焦点。选择半导体无蜡吸附垫，吉致电子建议您可从以下几个方面考虑：考虑晶圆尺寸与类型：不同的半导体加工涉及不同尺寸的晶圆，如8英寸或12英寸等，需选择与之适配的无蜡吸附垫。同时，根据晶圆材料类型，如硅片、SiC、蓝宝石衬底等，选择具有相应材料兼容性的吸附垫，确保在加工过程中不会对晶圆造成化学腐蚀等损害。关注吸

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吉致电子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半导体制造升级

吉致电子碳化硅CMP研磨液采用多组分协同作用的设计理念，结合氧化铝磨料的高效机械作用与高锰酸钾的精密化学氧化，实现了材料去除率与表面质量的完美平衡。产品经过严格的质量控制和实际产线验证，具有以下核心优势：1. 高效化学-机械协同抛光机制吉致电子CMP研磨液的独特之处在于其双重作用机制：高锰酸钾(KMnO4)作为强氧化剂，在抛光过程中将碳化硅表面氧化生成较软的SiO2层，这一氧化层硬度显著低于碳化硅基底，随后被氧化铝磨料高效机械去除。通过调节pH值(通常控制在10-11之间)，实现了氧化速率与机械去除的最佳匹配，既保

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吉致电子：以创新CMP抛光液技术赋能碳化硅衬底新时代

随着第三代半导体产业的蓬勃发展，碳化硅(SiC)衬底凭借其卓越性能，正在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域掀起技术革命。作为国内领先的半导体材料解决方案提供商，吉致电子深耕碳化硅衬底CMP抛光液研发，为行业提供高性能、高稳定性的抛光解决方案。碳化硅衬底：高端应用行业的基石碳化硅衬底因其宽禁带、高导热等特性，成为制造高压、高温、高频器件的理想选择。在新能源汽车领域，采用SiC衬底的功率模块可使逆变器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC衬底的射频器件能显著提升信号传输效率。这些高端应用对衬底表面质量提出严苛要

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吉致电子无蜡吸附垫革新晶圆制造工艺：零残留·高平坦·更稳定

在半导体晶圆抛光领域传统蜡模装夹工艺存在效率低、良率受限等痛点，而半导体真空吸附垫Template技术的创新和使用正在推动行业变革。吉致电子通过定制化半导体晶圆抛光的CMP（化学机械平坦化）无蜡吸附垫、真空吸附板设计，可为半导体领域客户提升生产效率。吉致电子真空吸附垫/CMP抛光模版通过「无蜡革命」，为硅片、晶圆、SiC、蓝宝石衬底、光学玻璃等材料提供高精度抛光解决方案。传统蜡粘工艺的核心痛点效率瓶颈蜡模需加热/冷却固化，单次装夹耗时30分钟以上，影响产能。残留蜡清洗工序复杂，增加非生产

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国产替代｜吉致电子硅片CMP抛光液Slurry

一、CMP抛光技术：半导体制造的关键工艺化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半导体硅片制造的核心工艺之一，直接影响芯片性能与良率。在硅片加工过程中，CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现原子级表面平坦化（粗糙度<0.2nm），满足先进制程对晶圆表面超洁净、超平整的要求。吉致电子CMP抛光液的三大核心作用①高效抛光：纳米级磨料（如胶体SiO2）精准去除表面凸起，提升硅片平整度，减少微划痕。②润滑保护：特殊添加剂降低摩擦系数（<0.05），减少

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吉致电子：金刚石悬浮液的作用及功效（CMP抛光专用）

在半导体制造、精密光学、硬质合金加工等领域，材料表面的超精密抛光直接决定了产品的性能与可靠性。吉致电子凭借先进的研发实力和成熟的工艺技术，推出高性能金刚石抛光液/研磨液系列产品，为高硬度材料提供高效、稳定的抛光解决方案。吉致电子金刚石悬浮液产品（研磨液/抛光液）可满足不同抛光需求，根据材料特性和工艺要求分为以下几类：1. 按晶体结构分类单晶金刚石抛光液：晶体结构单一，切削力均匀，适合高精度表面抛光，减少亚表面损伤。多晶金刚石抛光液：由多向晶粒组成，材料去除率高，适用于高效粗抛和中抛。类多晶金刚石抛光液：兼具单晶和多

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3C产品镜面抛光解决方案：无麻点SiO2氧化硅抛光液

为什么3C产品镜面抛光首选CMP而非电解抛光？在3C行业（手机、笔记本、智能穿戴等），电解抛光因易导致边缘过蚀、材料限制等问题，逐渐被CMP（化学机械抛光）取代。吉致电子通过纳米级SiO?抛光液的机械-化学协同作用，可实现：①纳米级精度：表面粗糙度Ra＜2nm，满足光学级镜面要求②复杂结构适配：适用于铝合金中框、不锈钢按键等异形件③效率提升：较传统工艺缩短30%工时二氧化硅抛光液麻点问题深度解析客户反馈的麻点问题多源于：硅溶胶腐蚀：低纯度浆料中的Na?、Cl?引发金属电化学腐蚀工艺缺陷：前道粗抛残留划痕＞0.1μm

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Fujibo抛光垫国产替代挑战与吉致电子解决方案

Fujibo（日本富士纺）是知名的抛光垫制造商，其产品广泛应用于半导体、液晶显示器（LCD）、硬盘（HDD）蓝宝石衬底等精密加工领域。Fujibo抛光垫因其高精度抛光、均匀性、耐磨性好等特点，长期以来占据市场主导地位，但随着国内技术的突破和产业链的完善，国产抛光垫正逐步实现对进口产品的替代。吉致电子作为国内经验丰富的电子行业CMP抛光材料供应商，致力于为客户提供高性价比的国产抛光垫解决方案，助力企业降本增效，保障供应链安全。国产抛光垫替代Fujibo的五大优势1. 显著降低成本，提升竞争力国产抛光垫价格比Fujib

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化学机械CMPAl2O3氧化铝精抛液

吉致电子氧化铝精抛液（CMP Slurry）采用高纯度分级氧化铝微粉为原料，经特殊表面改性工艺处理，通过科学配方精密配制而成。具有以下显著优势：适用于化学机械平面研磨工艺CMP场景---铝合金、不锈钢、钨钢、铸铁件等金属材质;以及蓝宝石、碳化硅衬底、光学玻璃、精密陶瓷基板等半导体衬底材料的精密抛光加工。氧化铝精抛液性能优势突出：独特的抗结晶配方，确保抛光过程稳定对抛光设备无腐蚀，维护简便残留物易清洗，提高生产效率氧化铝精抛液效果卓越：创新的化学机械协同作用机制，显著提升抛光效率优化的表面处理工艺，确保抛光面质量达到

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化学机械抛光（CMP）如何优化陶瓷覆铜板平坦化？

陶瓷覆铜板（Ceramic Copper-Clad Laminate，简称陶瓷基覆铜板或DBC/DPC）是一种高性能电子基板材料，广泛应用于高功率、高温、高频等苛刻环境下的电子器件中。它由陶瓷基板和覆铜层通过特殊工艺结合而成，兼具陶瓷的优异性能和金属铜的导电特性。陶瓷覆铜板CMP研磨液是一种专用于化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工艺的特殊液体，用于对陶瓷覆铜板（如DBC、DPC等）表面进行高精度平坦化处理。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，去除铜层和陶

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从衬底到外延片：半导体材料的层级关系与作用

半导体衬底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半导体制造中的两种关键材料，它们的区别主要体现在定义、结构、用途和制备工艺上：1. 定义与作用衬底（Substrate）是半导体器件的“基础载体”，通常为单晶圆片（如硅、碳化硅、蓝宝石等），提供机械支撑和晶体结构模板。功能：确保后续外延生长或器件加工的晶体结构一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在衬底表面通过外延生长技术（如气相外延、分子束外延）沉积的一层单晶薄膜。功能：优化电学性能（如纯度、掺杂浓度）

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吉致电子：半导体陶瓷CMP工艺抛光耗材解析

在半导体陶瓷的化学机械抛光（CMP）工艺中，吉致电子（JEEZ Electronics）作为国产CMP耗材供应商，其抛光液（Slurry）和抛光垫（Polishing Pad）等产品可应用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是结合吉致电子的技术特点，半导体陶瓷CMP中的潜在应用方案：吉致电子CMP抛光液在半导体陶瓷中的应用半导体陶瓷CMP研磨抛光浆料特性与适配性CMP Slurry磨料类型：纳米氧化硅（SiO2）浆料：适用于SiC、GaN等硬质陶瓷，通过表面氧化反应（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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CMP阻尼布抛光垫：多材料精密抛光的解决方案

阻尼布抛光垫/精抛垫是CMP工艺中材料纳米级精度的关键保障：在半导体化学机械抛光（CMP）工艺的最后精抛阶段，阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）扮演着决定晶圆最终表面质量的关键角色。这种特殊丝绒状材料的CMP抛光垫，质地细腻、柔软，表面多孔呈弹性，使用周期长。阻尼布抛光垫可对碳化硅衬底、精密陶瓷、砷化镓、磷化铟、玻璃硬盘、光学玻璃、金属制品、蓝宝石衬底等材质或工件进行精密终道抛光，在去除纳米级材料的同时，实现原子级表面平整度，是先进制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精抛阶段的特殊挑战与需求与粗抛或中抛阶段不同，精抛工艺面临

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