吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

CMP抛光液厂家：半导体抛光液解决方案--吉致电子科技

无锡吉致电子科技有限公司作为国内CMP抛光耗材专业制造商，多年研发生产经验，致力于为半导体、集成电路、3D封装等领域提供高性能化学机械抛光解决方案。CMP Slurry系列涵盖射频滤波器抛光液、钨抛光液、铜抛光液、浅槽隔离(STI)抛光液以及TSV硅通孔专用抛光液等，广泛应用于逻辑芯片、3D NAND、DRAM等先进制程的量产环节。一、吉致电子半导体抛光液产品特点CMP抛光液产品具备以下优势：卓越的悬浮稳定性：颗粒分散均匀，不易沉淀和团聚，使用方便，有效避免因颗粒团聚导致的工件表面划伤缺陷。化学-机械协同作用：通过

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CMP抛光液断供危机？吉致电子国产替代方案降本30%+

在半导体制造过程中，CMP化学机械平坦化抛光液（Slurry）是晶圆表面平坦化的关键材料，直接影响芯片的性能和良率。长期以来，这一市场被海外巨头垄断，主要供应商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦断供可能导致生产线停滞，严重影响芯片交付。面对这一挑战，吉致电子作为国内高端电子材料供应商，已实现中高端CMP抛光液的自主研发与量产，为国产半导体产业链的自主可控提供坚实保障。国产CMP抛光液的六大核心优势1. 显著成本优势，降低企业采购压力价格竞争力强：吉致电子CMP抛光液比进口产品低20%-30%，大幅降低半导体厂商的材

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多晶金刚石和单晶金刚石抛光液哪个好？

金刚石抛光液的性能差异根源在于其磨料颗粒的微观结构。多晶金刚石（又称聚晶金刚石）由纳米级金刚石微晶聚合而成，形成具有多棱面结构的颗粒；而单晶金刚石则是完整的单晶体结构，具有规则的几何外形和一致的晶体取向。这种结构差异直接导致了两类抛光液在硬度、形貌和耐磨性方面的不同表现。一、单晶金刚石VS多晶金刚石的颗粒形貌与切削机理：单晶金刚石磨粒棱角尖锐，初期切削速率高，但磨损后效率下降明显，4小时抛光去除率波动±15%。多晶金刚石颗粒因微晶随机取向，持续暴露新切削面，自锐性强，去除率波动仅 ±5%

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硫化锌(ZnS)光学窗口片的化学机械抛光CMP工艺

硫化锌(ZnS)光学窗口片是一种重要的红外光学材料，广泛应用于热成像、导弹整流罩、激光窗口等领域。为确保ZnS光学窗口片具备超高表面平整度、优异红外透过率和低缺陷率，化学机械抛光（CMP）成为其精密加工的核心工艺。吉致电子凭借先进的CMP技术，为硫化锌光学元件提供高精度抛光解决方案，满足军工、光电、半导体等行业的高标准需求。一、硫化锌CMP抛光的关键挑战硫化锌材料的特性:①硬度适中但脆性高(莫氏硬度3-4)，易产生划痕或亚表面损伤。②化学活性较高，需避免

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碲锌镉CZT单晶衬底抛光液CMP Slurry

碲锌镉（CdZnTe，CZT）晶体属于典型的软脆晶体，其力学特性介于软质和脆性材料之间。软脆晶体的定义与特征：软质材料：硬度较低（莫氏硬度约2.0–2.5，接近石膏或滑石），易划伤或塑性变形。脆性材料：断裂韧性低，易产生裂纹或解理断裂（类似玻璃或硅）。CZT同时具备这两种特性，属于软而脆的半导体晶体。CdZnTe单晶衬底加工困难：切割、抛光过程中易产生裂纹、边缘崩缺或表面损伤。吉致电子的碲锌镉（CdZnTe）单晶衬底抛光液针对CZT材料软脆、易损伤及表面高要求的特点，采用低损伤纳米磨料技术（如超细胶体S

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Apple Logo镜面抛光秘诀:吉致电子金属CMP抛光液解决方案

在高端消费电子领域，3C产品的每一个细节都至关重要。无论是iPhone的背面Logo，还是MacBook的金属标志，镜面级的抛光效果不仅提升了产品的质感，更代表了品牌对极致的追求。吉致电子金属Logo抛光液专为钛合金、铝合金、不锈钢等材质的标志抛光而研发，通过化学机械抛光（CMP）工艺，帮助客户实现高效、稳定的镜面效果，尤其适用于Apple产品标志的高标准要求。为什么选择吉致电子Logo抛光液？1. 纳米级抛光，镜面效果卓越采用纳米级磨料，确保抛光均匀性，避免划痕、麻点等问题。适用于粗磨、细磨、抛光全流程，显著提升

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吉致电子半导体晶圆无蜡吸附垫CMP专用

半导体晶圆化学机械抛光（CMP）工艺中，化学抗性无蜡吸附垫作为关键耗材，其核心作用在于解决传统吸附材料的局限性，同时满足先进制程对洁净度、稳定性和工艺兼容性的严苛要求。吉致电子半导体CMP专用无蜡吸附垫产品，解决了传统吸附垫在严苛化学环境下性能不足、适配性差的问题，还为碳化硅晶圆等精密元件的高效、高质量抛光提供了可靠的解决方案。材料抗性设计：采用高分子复合材料体系，通过交联密度调控和纳米填料改性，实现对KMnO4等强氧化性浆料的化学惰性。实验数据表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小时后，吸附垫的拉伸强

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光储行业玻璃硬盘CMP抛光解决方案

一、玻璃硬盘CMP抛光液的技术原理CMP抛光是一种结合化学腐蚀和机械研磨的精密表面处理技术。对于玻璃硬盘基板而言，CMP抛光过程涉及复杂的物理化学相互作用：化学作用：抛光液中的化学组分与玻璃表面发生反应，生成易于去除的软化层或反应产物。对于硅酸盐玻璃，通常涉及Si-O键的水解和离子交换反应。机械作用：抛光垫和研磨颗粒通过机械摩擦去除表面反应层，同时暴露出新鲜表面继续参与化学反应。协同效应：理想的抛光过程要求化学腐蚀速率与机械去除速率达到动态平衡，以获得超光滑无损伤的表面。二、玻璃硬盘对CMP抛光液的性能要求为满足高

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陶瓷基板无蜡吸附垫的优点与选型指南

在陶瓷基板（Al2O3、AlN、SiC等）的化学机械抛光CMP工艺中，无蜡吸附垫凭借其高精度、无污染的特性，成为替代传统蜡粘附工艺的理想选择。吉致电子为您解析Template这一关键耗材的技术优势及选型要点。一、为什么选择无蜡吸附垫？1. 杜绝污染，提升良率传统蜡粘附会残留有机物，导致陶瓷基板后续工艺（如金属化）失效。无蜡吸附垫通过真空吸附或微纹理固定，避免污染，特别适合高频/高功率电子器件等严苛应用场景。2. 均匀抛光，降低缺陷聚氨酯（PU）材质的弹性层可自适应基板形貌，配合多孔结构设计，确保压力分布均匀，减少划

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衬底与晶圆在半导体制造中的作用及CMP技术解析

在半导体制造领域，衬底和晶圆是两个密切相关但又各具功能的核心概念。衬底作为基础层材料，为整个芯片制造过程提供物理支撑；而晶圆则是从衬底材料中切割出来的圆形硅片，是半导体芯片制造的直接载体。衬底通常是硅或其他半导体材料的薄片，具有优异的机械性能和热稳定性。晶圆作为衬底的一部分，经过精密加工后具有特定的晶体取向和表面特性，能够满足后续复杂的半导体工艺要求。衬底的核心功能与应用承载功能：衬底为半导体芯片提供稳定的机械支撑平台，确保在整个制造过程中保持结构完整性。优质的衬底能够承受高温、化学腐蚀等严苛工艺条件而不变形或降解

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吉致电子化学抗性无蜡吸附垫：半导体晶圆抛光专属解决方案

在精密半导体制造领域，抛光工艺的洁净度与稳定性直接决定晶圆品质。吉致电子凭借对材料科学与工艺参数的深度理解，推出化学抗性无蜡吸附垫，以独家定制化设计打破传统模板局限，为碳化硅SiC晶圆及高锰酸钾（KMnO4）基浆料等严苛环境提供高耐久、超洁净的抛光背附解决方案。一，精准匹配：从工艺需求到定制化设计每一款抛光背附板的性能都需与客户的生产场景深度契合。化学抗性吸附垫的设计流程始于全面调研——从工件特性、浆料化学性质（pH值、腐蚀性）到设备参数（压力、温度），吉致电子通过定制化图纸，精准适配材料厚

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吉致电子：25 年CMP技术，铸就高端手机镜面质感

当高端手机的金属边框以镜面之姿映出光影流转，指尖划过的丝滑触感背后是3C行业精密制造的科技结晶。吉致电子深耕CMP化学机械抛光技术25年，作为3C行业抛光液及耗材的核心供应商与技术支持厂家，为华为、苹果等品牌定制不锈钢、钛合金、铝合金边框镜面抛光解决方案，解密手机「完美镜面」的诞生密码。一、手机边框镜面抛光的三大核心挑战与吉致电子方案手机金属边框的抛光工艺堪称精密制造的 “极限挑战”，吉致电子针对核心难点给出定制化解决方案：①材质差异大：不锈钢硬度高、钛合金易氧化、铝合金怕腐蚀，传统抛光液难

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吉致电子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半导体制造升级

吉致电子碳化硅CMP研磨液采用多组分协同作用的设计理念，结合氧化铝磨料的高效机械作用与高锰酸钾的精密化学氧化，实现了材料去除率与表面质量的完美平衡。产品经过严格的质量控制和实际产线验证，具有以下核心优势：1. 高效化学-机械协同抛光机制吉致电子CMP研磨液的独特之处在于其双重作用机制：高锰酸钾(KMnO4)作为强氧化剂，在抛光过程中将碳化硅表面氧化生成较软的SiO2层，这一氧化层硬度显著低于碳化硅基底，随后被氧化铝磨料高效机械去除。通过调节pH值(通常控制在10-11之间)，实现了氧化速率与机械去除的最佳匹配，既保

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吉致电子：以创新CMP抛光液技术赋能碳化硅衬底新时代

随着第三代半导体产业的蓬勃发展，碳化硅(SiC)衬底凭借其卓越性能，正在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域掀起技术革命。作为国内领先的半导体材料解决方案提供商，吉致电子深耕碳化硅衬底CMP抛光液研发，为行业提供高性能、高稳定性的抛光解决方案。碳化硅衬底：高端应用行业的基石碳化硅衬底因其宽禁带、高导热等特性，成为制造高压、高温、高频器件的理想选择。在新能源汽车领域，采用SiC衬底的功率模块可使逆变器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC衬底的射频器件能显著提升信号传输效率。这些高端应用对衬底表面质量提出严苛要

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吉致电子无蜡吸附垫革新晶圆制造工艺：零残留·高平坦·更稳定

在半导体晶圆抛光领域传统蜡模装夹工艺存在效率低、良率受限等痛点，而半导体真空吸附垫Template技术的创新和使用正在推动行业变革。吉致电子通过定制化半导体晶圆抛光的CMP（化学机械平坦化）无蜡吸附垫、真空吸附板设计，可为半导体领域客户提升生产效率。吉致电子真空吸附垫/CMP抛光模版通过「无蜡革命」，为硅片、晶圆、SiC、蓝宝石衬底、光学玻璃等材料提供高精度抛光解决方案。传统蜡粘工艺的核心痛点效率瓶颈蜡模需加热/冷却固化，单次装夹耗时30分钟以上，影响产能。残留蜡清洗工序复杂，增加非生产

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化学机械CMPAl2O3氧化铝精抛液

吉致电子氧化铝精抛液（CMP Slurry）采用高纯度分级氧化铝微粉为原料，经特殊表面改性工艺处理，通过科学配方精密配制而成。具有以下显著优势：适用于化学机械平面研磨工艺CMP场景---铝合金、不锈钢、钨钢、铸铁件等金属材质;以及蓝宝石、碳化硅衬底、光学玻璃、精密陶瓷基板等半导体衬底材料的精密抛光加工。氧化铝精抛液性能优势突出：独特的抗结晶配方，确保抛光过程稳定对抛光设备无腐蚀，维护简便残留物易清洗，提高生产效率氧化铝精抛液效果卓越：创新的化学机械协同作用机制，显著提升抛光效率优化的表面处理工艺，确保抛光面质量达到

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从衬底到外延片：半导体材料的层级关系与作用

半导体衬底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半导体制造中的两种关键材料，它们的区别主要体现在定义、结构、用途和制备工艺上：1. 定义与作用衬底（Substrate）是半导体器件的“基础载体”，通常为单晶圆片（如硅、碳化硅、蓝宝石等），提供机械支撑和晶体结构模板。功能：确保后续外延生长或器件加工的晶体结构一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在衬底表面通过外延生长技术（如气相外延、分子束外延）沉积的一层单晶薄膜。功能：优化电学性能（如纯度、掺杂浓度）

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CMP阻尼布抛光垫：多材料精密抛光的解决方案

阻尼布抛光垫/精抛垫是CMP工艺中材料纳米级精度的关键保障：在半导体化学机械抛光（CMP）工艺的最后精抛阶段，阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）扮演着决定晶圆最终表面质量的关键角色。这种特殊丝绒状材料的CMP抛光垫，质地细腻、柔软，表面多孔呈弹性，使用周期长。阻尼布抛光垫可对碳化硅衬底、精密陶瓷、砷化镓、磷化铟、玻璃硬盘、光学玻璃、金属制品、蓝宝石衬底等材质或工件进行精密终道抛光，在去除纳米级材料的同时，实现原子级表面平整度，是先进制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精抛阶段的特殊挑战与需求与粗抛或中抛阶段不同，精抛工艺面临

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吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

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先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展

化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可

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