吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

化学机械CMPAl2O3氧化铝精抛液

吉致电子氧化铝精抛液（CMP Slurry）采用高纯度分级氧化铝微粉为原料，经特殊表面改性工艺处理，通过科学配方精密配制而成。具有以下显著优势：适用于化学机械平面研磨工艺CMP场景---铝合金、不锈钢、钨钢、铸铁件等金属材质;以及蓝宝石、碳化硅衬底、光学玻璃、精密陶瓷基板等半导体衬底材料的精密抛光加工。氧化铝精抛液性能优势突出：独特的抗结晶配方，确保抛光过程稳定对抛光设备无腐蚀，维护简便残留物易清洗，提高生产效率氧化铝精抛液效果卓越：创新的化学机械协同作用机制，显著提升抛光效率优化的表面处理工艺，确保抛光面质量达到

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从衬底到外延片：半导体材料的层级关系与作用

半导体衬底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半导体制造中的两种关键材料，它们的区别主要体现在定义、结构、用途和制备工艺上：1. 定义与作用衬底（Substrate）是半导体器件的“基础载体”，通常为单晶圆片（如硅、碳化硅、蓝宝石等），提供机械支撑和晶体结构模板。功能：确保后续外延生长或器件加工的晶体结构一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在衬底表面通过外延生长技术（如气相外延、分子束外延）沉积的一层单晶薄膜。功能：优化电学性能（如纯度、掺杂浓度）

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CMP阻尼布抛光垫：多材料精密抛光的解决方案

阻尼布抛光垫/精抛垫是CMP工艺中材料纳米级精度的关键保障：在半导体化学机械抛光（CMP）工艺的最后精抛阶段，阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）扮演着决定晶圆最终表面质量的关键角色。这种特殊丝绒状材料的CMP抛光垫，质地细腻、柔软，表面多孔呈弹性，使用周期长。阻尼布抛光垫可对碳化硅衬底、精密陶瓷、砷化镓、磷化铟、玻璃硬盘、光学玻璃、金属制品、蓝宝石衬底等材质或工件进行精密终道抛光，在去除纳米级材料的同时，实现原子级表面平整度，是先进制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精抛阶段的特殊挑战与需求与粗抛或中抛阶段不同，精抛工艺面临

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吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

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【国产替代新选择】吉致电子IC1000级抛光垫——打破垄断，助力中国“芯”制造！

半导体CMP工艺中,抛光垫是关键耗材，但进口品牌长期占据市场主导。吉致电子作为国内领先的半导体材料供应商，成功研发生产高性能国产替代IC1000级抛光垫，以稳定、耐用、均匀性好的获得客户好评及推荐，为芯片制造企业提供更优成本与稳定供应！为什么选择吉致电子IC1000抛光垫？①媲美国际大牌——采用高精度聚氨酯材质与微孔结构设计，抛光均匀性、去除率对标进口产品，满足铜、钨、硅等材料的CMP工艺需求。②成本优势显著——国产化生产，减少供应链依赖，价格更具竞争力，降低企业综合

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吉致电子：高稳定聚氨酯抛光垫定制专家

吉致电子聚氨酯抛光垫选用优质基础材质，历经多道复杂且精密的工艺打造。聚氨酯抛光垫具备卓越的高弹性、高耐磨性、高平坦度以及高稳定性等特性，专为金属、光学玻璃、陶瓷、半导体芯片等对表面精度要求极高的精密部件抛光作业量身定制，能够充分应对并满足严苛的工业级抛光需求。吉致电子聚氨酯抛光垫的核心优势①聚氨酯高效抛光性能氧化铈抛光垫：其工作原理基于氧化铈微粒与被加工材料表面的化学机械作用，可显著提升材料去除速率，在对材料去除率有较高要求的场景中，能极大地缩短抛光时间，提升整体生产效率。氧化锆抛光垫：氧化锆材料凭借其独特的微观结

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芯片抛光液（CMP Slurry）：半导体平坦化的核心驱动力

在半导体制造的精密世界里，纳米级别的表面平整度宛如一把精准的标尺，直接主宰着芯片的性能与良率。化学机械抛光（CMP）工艺宛如一位技艺精湛的大师，借助化学与机械的协同之力，达成晶圆表面的全局平坦化。而芯片抛光液（CMP Slurry），无疑是这一工艺得以顺畅运行的 “血液”，发挥着无可替代的关键作用。吉致电子，作为深耕半导体材料领域的佼佼者，在此为您深度解析抛光液背后的技术奥秘，以及洞察其前沿发展趋势。一、芯片抛光液的核心作用在CMP过程中，抛光液肩负着至关重要的双重功能：化学腐蚀其所含的活性

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金刚石研磨液在CMP工艺中的应用与优势

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半导体、光学玻璃、陶瓷、硬质合金及精密制造行业的关键工艺，用于实现材料表面的超精密平坦化。针对蓝宝石、碳化硅（SiC）、硬质合金等高硬度材料的加工需求，传统研磨液难以满足高精度、低损伤的要求，因此CMP抛光液、CMP抛光垫是满足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金刚石研磨液凭借其超硬特性和稳定可控性，通过精准调控化学腐蚀与机械研磨的协同效应（Chemo-Mechanical Synergy）实现实现亚纳米级表面。1. 金刚石CMP研

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陶瓷基板CMP工艺：无蜡吸附垫技术解析与应用优势

在半导体、LED、功率电子等领域，陶瓷基板因其优异的导热性、绝缘性和机械强度被广泛应用。化学机械抛光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的关键工艺，而传统的蜡粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等问题。无蜡吸附垫技术作为新一代CMP固定方案，凭借其高精度、环保性和成本优势，正逐步成为行业新标准。无蜡吸附垫技术原理无蜡吸附垫通过非接触式固定技术取代传统蜡粘接，主要采用以下两种方式：一、真空吸附技术①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通过真空负压均匀吸附基板②适用于各类硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可调节吸附力，

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半导体CMP抛光液Slurry：精密制造的核心材料

在半导体制造领域，半导体CMP抛光液Slurry是一种不可或缺的关键材料，广泛应用于化学机械抛光CMP工艺中。它通过独特的机械研磨与化学反应相结合的方式，帮助实现晶圆表面的纳米级平坦化，为高性能半导体器件的制造提供了重要保障。什么是半导体CMP抛光液Slurry？ 半导体Slurry是一种由研磨颗粒、化学添加剂和液体介质组成的精密材料。在CMP工艺中

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CMP化学机械工艺中金刚石研磨液的关键特性剖析

在现代先进制造领域，CMP 化工学机械工艺作为实现材料表面高精度加工的核心技术，发挥着举足轻重的作用。该工艺融合了化学作用与机械磨削，能够在原子尺度上对材料表面进行精确修整，广泛应用于半导体、光学元件、精密模具等众多高端产业。而在 CMP 工艺的复杂体系中，金刚石抛光液堪称其中的关键要素，其性能优劣直接关乎最终的抛光质量与加工效率。用于 CMP 化工学机械工艺的金刚石抛光液，其粒径大小通常在 10 - 150nm 之间。该抛光液具有以下特点：高硬度与强切削力，金刚石是自然界硬度最高的物质，具有出色的切削能力。在 C

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CMP抛光液：从第一代到第三代半导体材料的精密抛光利器

随着半导体技术的飞速发展，化学机械抛光（CMP）工艺在集成电路制造中的地位愈发重要。CMP抛光液作为这一工艺的核心材料，不仅广泛应用于传统的第一代和第二代半导体材料，如硅（Si）和砷化镓（GaAs），更在第三代半导体材料的抛光中展现出巨大的潜力。CMP抛光液在第三代半导体材料中的应用第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）为代表，具有宽禁带、高导热率、抗辐射能力强、电子饱和漂移速率大等优异特性。这些材料在高温、高频、大功率电子器件中表现突出，成为5G基站、新能

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精密制造新标杆：吉致电子蓝宝石研磨液技术解析

蓝宝石研磨液Sapphire Slurry，也称为蓝宝石抛光液，是专为蓝宝石材料精密加工而设计的高性能抛光液。产品广泛应用于蓝宝石衬底、外延片、光学窗口、蓝宝石晶圆（Wafer）的减薄和抛光工艺，能够满足高平坦度、高表面质量的加工需求。吉致电子蓝宝石抛光液由高纯度磨粒、复合分散剂和分散介质精心配制而成，具有以下显著优势：1.高稳定性：悬浮体系稳定，不易沉降或结晶，确保抛光过程的一致性；2.高效抛光：抛光速度快，显著提升加工效率；3.精密加工：采用纳米SiO2粒子作为磨料，可在高效研磨的同时避免对工件表面造成物理损伤

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突破技术壁垒：国产抛光垫替代Suba800的崛起之路

国产替代Suba800抛光垫（CMP Pad）的产品在近年来取得了显著的技术进步，逐渐在半导体集成电路市场上占据一席之地。以下是Suba抛光垫国产替代产品的优势和特点：一、Suba抛光垫国产替代产品的优势1.成本优势?国产CMP抛光垫的价格通常比进口产品低，能够显著降低生产成本，尤其适合对成本敏感的企业。?减少了进口关税和物流费用，进一步降低了采购成本。2.供应链稳定?国产化生产避免了国际供应链的不确定性（如贸易摩擦、物流延迟等），供货周期更短，响应速度更快。?国内厂商通常能提供更灵活的CMP抛光耗材订单服务，支持

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CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄

CMP（化学机械抛光）技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色，尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合，能够实现光学玻璃表面的超平滑处理，满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。 吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域：①精密光学镜头：在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中，通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化，成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口：航空航天光学窗口面临复杂空间环

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无蜡吸附垫：精密制造的卓越之选

无蜡吸附垫的设计充分考虑了不同行业、不同工艺的实际需求，具有高度的通用性和灵活性。提高吸附稳定性，还能起到良好的排屑作用，防止加工过程中产生的碎屑堆积在吸附垫表面，影响加工精度和吸附效果。 以下是吉致电子无蜡吸附垫的介绍：组合式无蜡抛光吸附垫 结构：包括基布、吸附结构和粘贴结构。吸附结构由聚氨酯吸附层和环形气腔组成，聚氨酯吸附层粘贴在基布上，环形气腔设置在聚氨酯吸附层上，起到吸附固定且揭开时减少吸附力的作用；粘贴结构包括无残留双面胶和离型纸，无残留双面胶粘贴在基布上，离型纸粘贴在无残留双面胶上 。 优点：

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吉致电子：SIC碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案

SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强

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半导体CMP--碳化硅衬底无蜡吸附垫的特点

碳化硅SiC衬底在CMP研磨抛光工艺中使用吉致无蜡吸附垫的好处主要体现在以下几个方面：①稳定性与吸附力真空吸附原理优势：利用真空吸附，可在吸附垫与衬底间形成强大负压，使衬底与吸附垫紧密贴合。如在化学机械抛光（CMP）中，能让晶圆衬底在高速旋转和研磨压力下保持原位，避免位移和晃动，确保抛光均匀性。②降低破片率：吉致电子半导体无蜡吸附垫强而稳定的吸附力可均匀分散外力，防止局部受力过大。在超薄晶圆或大尺寸晶圆抛光时，能有效避免因吸附不稳导致的晶圆破裂，提高生产效益。③简化工艺流程无需除蜡环节：传统吸附垫常需涂蜡辅助吸附，

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吉致电子SiC碳化硅研磨垫国产替代

  在碳化硅抛光垫/研磨垫（SiC CMP Pad）市场中，高端领域呈现出寡头垄断的格局。其中，杜邦Suba800系列产品被广泛采用，同时也有部分客户选择杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等产品。此外，日本厂商Fujibo也在市场中扮演着关键角色，其主打产品包括G804W、728NX和FPK66等型号。  在竞争激烈的半导体集成电路市场中，除了上述提到的几款CMP抛光垫产品外，国内一些新兴企业也在不断研发创新，试图打破现有的市场格局，为

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吉致电子：碲锌镉衬底用什么抛光液？

  碲锌镉晶体是一种具有优异光电性能的半导体材料，其化学式为CdZnTe，也被称为CZT。这种材料在核辐射探测器、X射线和伽马射线探测器以及红外探测器等领域有着广泛的应用。由于其高电阻率、高原子序数和良好的能量分辨率，碲锌镉晶体特别适合用于高分辨率的放射线成像设备。此外，它还具有良好的化学稳定性和机械加工性能，使其在制造过程中易于加工成各种形状和尺寸。那么碲锌镉衬底用什么抛光液进行CMP加工呢？   碲锌镉CMP研磨抛光一般采用化学机械抛光（Chemical Mechanical Pl

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