半导体晶圆化学机械抛光（CMP）工艺中，化学抗性无蜡吸附垫作为关键耗材，其核心作用在于解决传统吸附材料的局限性，同时满足先进制程对洁净度、稳定性和工艺兼容性的严苛要求。吉致电子半导体CMP专用无蜡吸附垫产品，解决了传统吸附垫在严苛化学环境下性能不足、适配性差的问题，还为碳化硅晶圆等精密元件的高效、高质量抛光提供了可靠的解决方案。

材料抗性设计：

采用高分子复合材料体系，通过交联密度调控和纳米填料改性，实现对KMnO₄等强氧化性浆料的化学惰性。实验数据表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小时后，吸附垫的拉伸强度保持率＞90%，远超传统PVC材料的35%。

针对SiC晶圆抛光时产生的微米级磨料冲击，表面采用梯度弹性模量设计，兼顾抗划伤性和应力缓冲。

洁净度保障机制：

• 创新性开发"物理-化学双锁止"防污染结构：

物理层：3D网状结构将颗粒物截留效率提升。

化学层：表面离子聚合物有效抑制颗粒静电吸附。

市场应用前景：

解决第三代半导体痛点：SiC晶圆抛光过程中，传统石蜡粘接剂在＞200N压力下易发生熔渗污染。吉致电子方案可将污染风险降低，帮助客户提升抛光良率。

经济效益测算：单片晶圆可减少无蜡垫更换次数3-5次，按年产10万片的6英寸SiC产线计算，年节约耗材成本约$2.5M，同时减少设备停机时间。

吉致电子无蜡吸附垫核心亮点

化学抗性突出：作为无蜡吸附垫，其关键特性在于具备优异的化学抗性，这使其能够在接触具有强氧化性的高锰酸钾KMnO₄基浆料时保持稳定性能，避免因化学腐蚀而影响使用寿命或产生污染。

定制化设计：采用独家定制化设计，突破了传统模板的局限。这意味着可以根据不同规格的碳化硅（SiC）晶圆以及具体的抛光工艺需求，灵活调整吸附垫的参数和结构，从而更好地适配应用场景。

高耐久与超洁净：能保持高耐久性，减少了频繁更换的频率，降低了使用成本；同时，超洁净的特性可确保在抛光过程中不会引入杂质，保障晶圆等精密元件的加工质量。

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