吉致电子碳化硅CMP研磨液采用多组分协同作用的设计理念，实现了材料去除率与表面质量的完美平衡。产品经过严格的质量控制和实际产线验证，具有以下核心优势：

1. 高效化学-机械协同抛光机制

吉致电子碳化硅研磨液/抛光液的独特之处在于其双重作用机制：高锰酸钾(KMnO4)作为强氧化剂，在抛光过程中将碳化硅表面氧化生成较软的SiO2层，这一氧化层硬度显著低于碳化硅基底，随后被氧化铝磨料高效机械去除。通过调节pH值(通常控制在10-11之间)，实现了氧化速率与机械去除的最佳匹配，既保证了高材料去除率，又避免了过度腐蚀导致的表面缺陷。

2. 多级抛光工艺系统集成

• 针对碳化硅衬底加工的不同阶段要求，吉致电子开发了完整的四级抛光系统，为客户提供端到端的解决方案

• 粗磨阶段：吉致电子粗磨液JZ-8003，配合研磨垫JZ-1020，快速去除大部分加工余量，抛光速率可达25-30μm/h，表面粗糙度1.22nm。

• 精磨阶段：吉致电子精磨液JZ-8001，研磨垫JZ-1020，平衡去除效率与表面质量，抛光速率达6.8μm/h，表面粗糙度0.45nm。

• 粗抛阶段：采用小粒径氧化铝与高锰酸钾组合的粗抛液JZ-8010，配合抛光垫JZ-2020（替代SUBA800抛光垫），抛光速率约2.5μm/h，表面粗糙度Ra0.13nm。

• 精抛阶段：使用纳米SiO2氧化硅精抛液吉致电子JZ-8020，配合软质精抛垫JZ-326（Politex抛光垫FUJIBO抛光垫替代），实现原子级表面平整度，抛光速率约0.25μm/hRa<0.06nm。

这种渐进式抛光策略可根据客户具体需求灵活调整，以满足半导体行业高精度加工要求。

3. 国产化创新与成本优势

作为国内CMP耗材供应商及生产厂家，吉致电子通过经验累计和自主创新，实现了碳化硅抛光液/抛光垫的国产化替代。相比进口产品，我们的优势体现在：

• 价格优势：本土化生产节省了关税和物流成本，产品价格比同类进口品牌低20-30%。

• 快速响应：国内生产基地真实工厂，确保供货周期缩短50%以上，紧急需求可实现72小时内交付。

• 定制服务：可根据客户工艺参数和设备特性，调整研磨液粒径分布、pH值和氧化剂浓度等指标，提供专属配方优化。

• 技术支持：配备专业应用工程师团队，从工艺调试到量产爬坡提供全程技术支持，帮助客户缩短产品上市时间。

吉致电子碳化硅CMP研磨液已通过多家主流半导体制造商的验证，在4H-SiC和6H-SiC等多种晶型上表现出优异的工艺稳定性和重复性，良率可达95%以上。

无锡吉致电子科技有限公司

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