吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

吉致电子抛光液----碳化硅SiC衬底CMP研磨/抛光方案详解

  吉致电子以帮助用户持续提升效率及良品率为目标，针对碳化硅衬底DMP和CMP工艺不断优化研发和改善。通过长期的研发积累，打破长期被国外垄断的关键耗材，实现国产化替代。SIC衬底研磨抛光工艺使用的研磨液、抛光液、研磨垫、抛光垫该怎么选择搭配，以及CMP产品使用效果如何，碳化硅研磨/抛光工艺产品推荐及参数详解如下：

  碳化硅衬底简要加工流程：混料→晶体生长→切片→MP研磨OR砂轮研磨→CMP抛光→清洗检测。

  碳化硅衬底研磨液一般选用优质类多晶金刚石，有较高的强度、韧性和自锐性，在研磨抛光应用中可实现碳化硅晶圆非常高的表面质量，同时显著提升材料去除率。吉致电子可根据要求定制slurry产品，一般粒度为：1.5-1μm、1μm、2-4μm、5μm等。

Step 1:碳化硅SIC粗磨工艺测试数据---6吋碳化硅晶片 抛光液：JZ-8003 抛光垫：JZ-2020 压力：3psi 抛光速率：25-30μm/H 表面粗糙度RA：1.22nm

Step 2:碳化硅SIC精磨工艺测试数据---6吋碳化硅晶片 抛光液：JZ-8001 抛光垫：JZ-2020 压力：3psi 抛光速率：6.8μm/H 表面粗糙度RA：0.45nm

Step 3:碳化硅SIC粗抛工艺测试数据---6吋碳化硅晶片 抛光液：JZ-8010 抛光垫：JZ-2020 压力：350g/cm² 抛光速率：2.5μm/H 表面粗糙度RA：0.13nm

Step 4:碳化硅SIC精抛工艺测试数据---6吋碳化硅晶片 抛光液：JZ-8020 精抛垫：JZ-326 压力：300g/cm² 抛光速率：0.25μm/H 表面粗糙度RA：0.06nm

吉致电子碳化硅SIC粗抛液/精抛液 产品使用说明：

碳化硅c衬底搭配吉致电子CMP抛光液、抛光垫使用后表面粗糙度达0.06nm及以下：

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