在半导体CMP化学机械工艺中，通常提到衬底研磨抛光液和外延片研磨抛光液。那么衬底和外延片的区别在哪？吉致电子一文解答两者区别：

半导体衬底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半导体制造中的两种关键材料，它们的区别主要体现在定义、结构、用途和制备工艺上

1. 定义与作用

衬底（Substrate）

是半导体器件的“基础载体”，通常为单晶圆片（如硅、碳化硅、蓝宝石等），提供机械支撑和晶体结构模板。

功能：确保后续外延生长或器件加工的晶体结构一致性。

外延片（Epitaxial Wafer）

是在衬底表面通过外延生长技术（如气相外延、分子束外延）沉积的一层单晶薄膜。

功能：优化电学性能（如纯度、掺杂浓度），或实现衬底无法直接提供的材料特性（如硅衬底上生长GaN）。

2. 结构与组成

衬底：

单一材料，厚度较大（几百微米），晶体质量高但可能存在缺陷（如位错）。

例如：硅衬底、GaAs衬底、SiC衬底。碳化硅衬底抛光液、硅片抛光液

外延片：

由“衬底+外延层”构成，外延层厚度较薄（纳米到微米级），晶体结构与衬底一致（同质外延）或不同（异质外延）。

例如：硅衬底上生长Si外延层（同质），或蓝宝石衬底上生长GaN（异质）。氮化镓抛光液、蓝宝石外延片研磨液

3. 制备工艺

衬底：

通过晶体生长（如直拉法、区熔法）、切割、抛光获得。

外延片：

在衬底上通过化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）等技术生长外延层，需精确控制温度、气体流速等参数。

4. 应用场景

衬底：

直接用于制造简单器件（如硅基MOSFET）。

作为外延生长的“种子层”。

外延片：

用于高性能器件：功率器件（SiC外延）、射频器件（GaN-on-Si）、LED（蓝宝石上GaN）等。

通过外延层调节能带结构、减少缺陷，提升器件效率。

5. 半导体衬底VS外延片区别总结

6.吉致电子半导体衬底、外延片CMP研磨抛光解决方案

简而言之，衬底是“地基”，外延片是“地基+精装修”，后者通过外延层实现更复杂的器件需求。

半导体衬底和外延片是芯片制造的核心材料，直接影响器件的性能和可靠性。衬底作为基础载体，提供机械支撑和晶体模板；而外延片通过精准的外延生长技术优化电学特性，满足高端半导体器件的需求。

在半导体制造过程中，无论是衬底制备还是外延层生长，化学机械抛光（CMP）都是关键工艺之一。吉致电子科技（JEEZ Electronics）专注于半导体CMP抛光耗材的研发与生产，提供高性能的抛光液（Slurry）和抛光垫（Pad），确保晶圆表面达到纳米级平整度，满足先进制程的严苛要求。选择吉致电子的CMP抛光解决方案，助力您的半导体制造工艺更高效、更精准！

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