吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析

文章出处：责任编辑：人气：-发表时间：2025-04-25 10:52【大中小】

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子半导体CMP平坦化解决方案
1. 产品定义与技术背景
钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过抛光液、抛光垫、被抛磨工件的化学腐蚀与机械研磨协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。
2. 核心组分与作用机理

W钨抛光液的核心组分及作用机理

3. W钨抛光液的关键性能指标
去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）
非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆
选择比：W/SiO2＞50:1，W/SiN＞30:1
缺陷控制：颗粒残留＜0.01个/cm²，微划伤密度＜0.05/cm² 吉致电子W钨抛光液

4. 吉致电子CMP耗材技术特点
纳米颗粒分散技术：专利型分散剂确保研磨颗粒长期稳定性（＞6个月）
低缺陷配方：复合抑制剂体系减少碟形坑（Dishing）与侵蚀（Erosion）
智能pH缓冲：动态维持抛光液活性，延长使用寿命（＞72hrs连续作业）

5. 吉致电子半导体CMP钨抛光液典型应用场景

制程环节	具体应用
前道制程	钨通孔（W-Plug）平坦化
后道互连	多层布线钨栓塞抛光
3D集成	TSV（硅通孔）钨填充层处理