吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

吉致电子CMP抛光垫：从粗到精，体验高效抛光

  CMP（化学机械抛光）抛光垫是一种在半导体制造过程中用于平面化晶圆表面的关键材料。CMP抛光垫通过结合化学反应和机械研磨的方式，能够有效地去除晶圆表面的多余材料，从而达到高度平整的表面质量。抛光垫CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔结构，以便在抛光过程中储存和释放抛光液CMP Slurry，从而确保抛光过程的均匀性和效率。  CMP抛光垫在使用过程中需要定期更换，以保持其最佳的抛光性能。不同的CMP抛光垫适用于不同的抛光工艺和材料，因此选择合适的抛光垫对于确保晶圆质量

查看详情>>

金刚石悬浮液在半导体领域的应用

    金刚石悬浮液（CMP研磨液）在半导体集成电路领域的应用：适用于半导体晶圆抛光液CMP加工，蓝宝石衬底、碳化硅晶圆、氮化镓、磷化铟等半导体晶片。    金刚石悬浮液在半导体晶圆的CMP研磨抛光中发挥着重要作用。以蓝宝石衬底为例，蓝宝石材质硬度较高，传统的研磨液难以达到理想的抛光效果，而金刚石悬浮液因其高硬度、高韧性的金刚石颗粒，能够快速去除蓝宝石衬底表面的材料，同时保证加工表面的光洁度。对于碳化硅SiC和氮化镓、磷化铟等半导体晶片，金刚石悬浮液同样表

查看详情>>

吉致电子---Si硅片抛光液，为半导体护航

  半导体硅片抛光液是一种均匀分散胶粒的乳白色胶体，在半导体材料的CMP加工过程中起着至关重要的作用。其外观通常为乳白色或微蓝色透明溶液。半导体硅片Si抛光液主要有抛光、润滑、冷却等作用。在抛光方面，Si Slurry能够有效地去除半导体硅晶圆表面的杂质和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，经过抛光液处理后，晶片表面的微粗糙度可以达到 0.2nm 以下。在润滑作用中，它可以减少硅片与抛光设备之间的摩擦，降低磨损，延长设备的使用寿命。同时，在抛光过程中会产生热量，而抛光液的冷却作用可以及时带走热量，防止硅片

查看详情>>

半导体芯片研磨液与CMP工艺：铸就芯片制造的基石

  CMP工艺在芯片制造的关键环节  在蓬勃发展的半导体产业中，芯片制造如同一场精细的艺术创作，而半导体芯片研磨与CMP工艺则是其中重要的环节。芯片制造是一个高度复杂的过程，涉及多个步骤，CMP工艺在这个过程中起着不可或缺的作用。  随着芯片制程不断缩小，对晶圆表面平整度的要求越来越高。如果晶圆表面不平整，在后续的光刻、刻蚀等工艺中，就会出现对焦精度不准确、线宽控制不稳定等问题，严重影响芯片的性能和质量。例如，当制造层数增加时，如果晶圆表面不平整，可能导致金属薄膜厚度不均进而影响电阻值

查看详情>>

电子3C行业的好帮手---苹果logo研磨液

 客户经常会问macbook铝合金外面苹果logo是怎么加工的？苹果的背面Logo镜面是怎么做的？苹果logo抛光？ 苹果产品一直以其精湛的工艺和卓越的设计而备受瞩目，其中苹果logo的研磨工艺更是在整个产品中起到了至关重要的作用。  苹果logo采用了CMP化学机械平面抛光工艺，这一工艺借助CMP设备、研磨液 / 抛光液和抛光垫的共同作用，能够使金属工件表面达到镜面效果，极大地提升了Apple logo的质感。在苹果的笔记本电脑和手机上，闪闪发光的Apple Logo常常让人惊艳不已

查看详情>>

解锁高效，硬质合金CMP抛光液来袭

   硬质合金是由难熔金属的硬质化合物和粘结金属通过粉末冶金工艺制成的一种合金材料。它具有硬度高、耐磨、强度和韧性较好、耐热、耐腐蚀等一系列优良性能，被誉为“工业牙齿”，广泛用于切削工具、刀具、钴具和耐磨零部件，在军工、航天航空、机械加工、冶金、石油钻井、矿山工具、电子通讯、建筑等领域有着广泛的应用。常用硬质合金按成分和性能特点分为三类:钨钴类、钨钛钴类、钨钛钽(铌)类，每种都有其适用的领域和优势。硬质合金平面件，如钨钢、钨合金材质等使用CMP抛光液和CMP研磨工艺能达到

查看详情>>

吉致电子---磷化铟InP晶圆抛光液的市场现状

  目前，全球磷化铟（InP）晶圆市场的cmp抛光耗材主要由少数国外厂商主导。这些国外厂商凭借先进的技术和丰富的经验，在产品质量和性能方面具有显著优势。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企业在全球半导体slurry抛光液市场中具有较高的知名度和占有率。  相比之下，国内企业的磷化铟（InP）晶圆抛光液研发起步较晚，但近年来随着国内半导体的快速发展，国产cmp抛光耗材也大量进入市场，国内厂家也在不断加大研发投入，努力提升抛光液、抛光垫产品

查看详情>>

杜邦IC1000抛光垫的特点及国产替代

  在半导体晶圆及芯片的制造过程中，CMP是实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺，而IC1000作为一种高性能的抛光垫，为 CMP工艺的顺利进行提供了有力保障。  杜邦IC1000系列抛光垫能够存储和输送CMP抛光液至抛光区域，通过slurry的流动和分布使抛光工作持续均匀地进行。在化学机械抛光过程中，抛光液中的化学成分与晶圆表面材料产生化学反应，生成较易去除的物质，而dupont IC1000 Pad为这一化学反应提供了稳定的场所。同时，IC1000抛光垫能够去除抛光过程中产生的副产品，如氧化产物

查看详情>>

吉致电子铌酸锂LN抛光液的优点

  铌酸锂晶体LiNbO3化学机械抛光液能够显著降低工件表面粗糙度。在CMP化学机械加工工艺的优化下LN铌酸锂工件表面粗糙度得以快速降低，获得超光滑、无损伤的表面。表面粗糙度低不仅提高了工件的外观质量，更重要的是符合铌酸锂晶片高精度加工的严格需求。在一些对表面精度要求极高的应用领域，如光电子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的传输效率，减少散射损耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低损耗和高折射率对比度的光波导是构建大规模光子集成芯片的最基本单元，而超光滑的铌酸锂表面能够为光波导提供更好的

查看详情>>

纳米抛光液---吉致电子氧化硅slurry的应用及特点

  吉致电子纳米级氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型CMP抛光产品。粒度均一的SiO2磨料颗粒在CMP研磨过程中分散均匀，能达到快速抛光的目的且不会对加工件造成物理损伤。纳米级硅溶胶抛光液不易腐蚀设备，提高了使用的安全性。制备工艺和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面划伤少。  吉致电子氧化硅slurry粒径分布可控，根据不同的抛光需求，生产出不同粒径大小的纳米氧化硅抛光液，粒径范围通常在 5-100nm 之间。以氧化硅为磨料的纳米抛

查看详情>>

衬底与晶圆材料的选择与特性

衬底材料半导体衬底材料的选择对器件性能有重大影响。常见的衬底材料包括硅、砷化镓、碳化硅等。硅衬底：硅SI是最常见的衬底材料，因其优良的电学、热学和机械特性广泛应用于集成电路和微电子器件。硅衬底具有成本低、加工成熟、易于大规模生产等优点。砷化镓衬底：砷化镓GaAs具有高电子迁移率和良好的光电特性，常用于高频器件和光电器件。虽然成本较高，但在特定领域有无可替代的优势。碳化硅衬底：碳化硅SIC具有高硬度、高热导率和高温稳定性，适用于高温、高功率和高频应用。碳化硅衬底的加工难度较大，但其优异的性能使其在特定领域有着重要应用

查看详情>>

吉致电子 Cu CMP研磨工艺的三个步骤

Cu CMP研磨工艺通常包括三步。第一步：用来磨掉晶圆表面的大部分金属。第二步：通过降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属,并通过终点侦测技术（Endpoint）使研磨停在阻挡层上。第三步：磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物,并用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆。Cu CMP研磨工艺中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之对阻挡层和介质层具有高的选择性,而第三步的研磨液通常是偏碱性,对不同材料具有不同的选择性。这两种研磨液（金属研磨液/介质研磨液）都应该含有H2O2、抗腐蚀的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

查看详情>>

半导体晶圆常见材质有哪些

半导体晶圆常见材质有哪些？晶圆常见的材质包括硅、蓝宝石、氮化硅等。一、硅晶圆硅是目前制造半导体器件的主要材料，因其易加工、价格较低等优良性能被广泛采用。硅晶圆表面光洁度高，可重复性好，在光电子技术、光学等领域有着重要的应用。其制造过程主要包括单晶生长、切片和抛光等工序。二、蓝宝石晶圆蓝宝石（sapphire）是一种高硬度透明晶体，其晶格结构与GaAs、Al2O3等半导体材料相近，尤其因其较大的带隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到广泛应用。此外，蓝宝石的高强度、高抗腐蚀性也使其成为防护材料，如用于

查看详情>>

衬底与晶圆在半导体制造中的应用

  衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料，承载着芯片和器件；而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圆则是衬底的一部分，具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜，而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。 衬底的应用：承载半导体芯片：衬底是半导体芯片的基础，提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。基础层的沉积：在制造过程中，衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积，如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保

查看详情>>

金属互连中的大马士革工艺

 在半导体制程中为了连接不同的电路元件，传递电子信号和为电路元件供电，需要使用导电金属来形成互连结构。铝曾经是半导体行业中用于这些互联结构的主要材料。然而，随着半导体技术的进步和特征尺寸的不断缩小，铜成为了替代选择，那么这个过程是如何演变的呢？  金属互连工艺历史：早期的集成电路使用了金作为互连材料，到60-90年代中期，铝逐渐成为集成电路制造中最主要的互连导线材料。1997年，美国 IBM 公司公布了先进的铜互连技术，标志着铜正式开始替代铝成为高性能集成电路的主要互连材料。 

查看详情>>

蓝宝石激光领域视窗抛光液

  蓝宝石激光领域视窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸从0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的规格制造,包括阶梯边缘、椭圆形边缘望造、孔、槽和楔角。  蓝宝激光领域视窗对快速移动的沙子、盐水和其他颗粒物具有抵抗力,非常适合所有类型的激光武器系统、大功率微波和其他需要极其平坦和坚固的光学技术的应用。  吉致电子蓝宝石激光领域视窗抛光液，具有良好的稳定性，提高蓝宝石视窗片抛光速率的同时保证蓝宝石表面光滑、无缺陷的全局平坦化质量。无锡吉致电子科

查看详情>>

半导体晶圆CMP化学机械研磨抛光的原因

 什么是CMP化学机械研磨抛光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其实为化学与机械研磨（C&MP）的意思，化学作用与机械作用平等。目前CMP已成为半导体制程主流，其重要的原因主要有二：①为了缩小芯片面积，因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线（七层以上），因线宽极细，且需多层堆叠，故光刻制程即为一关键步骤。若晶圆表面凹凸不平，平坦度差，则会影响光刻精确度，因此需以CMP达成晶圆上金属层间之全面平坦化（Global Planarization）。②为了降低元件之电

查看详情>>

LT钽酸锂晶片的CMP抛光液

钽酸锂LiTaO3作为非线性光学晶体、电光晶体、压电晶体、声光晶体和双折射晶体等在现今以光技术产业为中心的IT 产业中得到了广泛的应用。 晶体材料的结构与其光学性能息息相关，钽酸锂LT晶体是一种优良的多功能材料，具有很高的应用价值。LiTaO3晶体以它的化学性能稳定高（不溶与水），居里点高于600℃，不易出现退极化现象，介电损耗低，探测率优值高的优良特性，成为热释电红外探测器的应用材料。  经过CMP抛光的LT晶片广泛用于谐振器、滤波器、换能器等电子通讯器件的制造，尤其以它良好的机电耦合、温度系数等综合性

查看详情>>

看懂SIC碳化硅衬底研磨加工技术

碳化硅SiC衬底因其脆硬性特性再叠加大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，被视为典型难加工材料。高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点。  碳化硅相较于第一、二代半导体材料具有更优良的热学、电学性能，如宽禁带、高导热、高温度稳定 性和低介电常数等，这些优势使得以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料广泛应用于高温、高频、高功率 以及抗辐射等极端工况.作为高性能微电子和光 电子器件制造的衬底基片，碳化硅衬底加工后的表面、亚表面质量对器件的使用性能有着极为重要的影响。因

查看详情>>

碳化硅衬底平坦化使用的是什么工艺？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。  第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导体器件，可有效突破传统硅基功率半导体器件及其材料的物理极限。  化学

查看详情>>