SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过抛光液化学腐蚀和抛光垫机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：

①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强化学腐蚀作用。

②表面损伤控制：在抛光过程中，容易因机械应力和化学反应产生表面损伤，如微裂纹、晶格畸变等。通过精确控制抛光工艺参数，如压力、转速、抛光时间等，以及选择合适的抛光垫（CMP PAD）材料和抛光液（CMP Slurry），来减少表面损伤。例如，采用柔软且具有良好弹性的无纺布抛光垫/阻尼布抛光垫，Suba抛光垫等，降低机械应力，同时添加一些具有缓冲和修复作用的添加剂。

③抛光均匀性：保证整个衬底表面的抛光均匀性是一个难题。优化抛光设备的结构和运动方式，以及改进碳化硅抛光液的涂覆方式和分布均匀性。例如，采用多点供液系统，使抛光液能更均匀地覆盖在抛光垫上，同时通过调整抛光垫的材质和表面结构，改善其与衬底的接触均匀性。

  吉致电子的CMP碳化硅抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备，特殊化学配方制备而成。吉致电子抛光液品质可以媲美进口同类产品。本土化生产的优势使吉致电子CMP抛光液产品交货周期快，品质好，抛光液价格实惠亲民

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