吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别[ 08-18 16:58 ]

  常用的半导体抛光液，按抛光对象的不同分W钨抛光液、CU铜抛光液、氧化层抛光液、STI抛光液等。其中铜抛光液slurry主要应用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺，而钨抛光液W slurry则大量应用于存储芯片制造工艺，在逻辑芯片中用量较少。  铜抛光液，主要由腐蚀剂、成膜剂和纳米磨料组成。腐蚀剂用来腐蚀溶解铜表面，成膜剂用于形成铜表面的钝化膜，钝化膜的形成可以保护腐蚀剂的进一步腐蚀，并可有效地降低金属表面硬度。除此之外，CMP抛光液中经常添加一些化学试剂以调节PH值，为抛光过程

打磨碳化硅需要哪种抛光垫？[ 08-17 16:41 ]

  打磨碳化硅需要哪种抛光垫？  打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫  吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。  压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同[ 08-11 16:04 ]

  二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子高纯度CMP抛光产品。 硅溶胶抛光液是以液体形式存在，直径为10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有机液体（分散介质）里的分散体系，粒子的形貌多为球形，适用于各类工件的镜面抛光，如金属、蓝宝石衬底、半导体、光学玻璃、精密电子元器件等的镜面抛光。 本质上讲二氧化硅抛光液、硅溶胶抛光液都是一种东西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨抛光工艺中，机器通过压力泵把氧化硅抛光液输送到抛光槽内进行循环使用，

碳化硅Sic衬底加工流程有哪些[ 08-09 17:14 ]

碳化硅衬底是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片，简单流程可概括为原料合成→晶体生长→。1、原料合成将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。2、晶体生长以高纯度碳化硅微粉为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 生长碳化硅晶体将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨甘场下部和顶部，通过电磁感应将

半导体抛光---硅片抛光垫怎么选[ 08-08 16:31 ]

  硅片抛光涉及到半导体工件的技术加工领域，硅片抛光垫的多孔结构和软性磨料材料，可以适应不同硅片材料的表面结构，达到不同表面加工的需求。在微电子、半导体、光电等领域中，CMP抛光垫的使用越来越广泛，尤其是在制造高性能晶体管、集成电路和MEMS等微纳米器件中，CMP抛光垫的质量和性能至关重要。   硅片抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的

蓝宝石抛光用什么抛光液[ 07-28 17:29 ]

  在生产蓝宝石衬底的时候产生裂痕和崩边现象的比例比较高，占总是的5%-8%。我国蓝宝石批量生产的技术还很不成熟，切割完的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹，抛光后易形成很深的麻坑或划伤。因此需要通过CMP研磨抛光技术来达到工件平坦度，抛光过程中影响抛光质量的因素有很多，如抛光液的组分和PH值、压力、温度、流量、转速和抛光垫的质量等。  蓝宝石晶圆的抛光需要对抛光液材质有很高的要求，磨料太软会导致抛光时间过长而抛光效果不理想。目前抛蓝宝石合适的是钻石抛光液，钻石抛光液磨料是采用金刚石，有很高的硬度，搭配

钨钢用什么研磨液和抛光液[ 06-07 11:22 ]

  硬质合金也就是钨钢，在现代工业中的应用非常广泛，如钢铁、交通、建筑等领域对硬质合金的需求愈发旺盛，随着对深加工产品需求的高涨，硬质合金将向精深加工、工具配套方向发展;向超细、超粗及涂层复合结构等方向发展;向循环经济、节能环保方向发展;向精密化、小型化方向发展。那么钨钢研磨用什么抛光液？  钨钢用于高精度机械加工、高精度刀具材料、车床、冲击钻钻头、玻璃刀刀头、瓷砖割刀之上。这类硬质工件需要经过研磨抛光工艺来达到使用标准。钨钢特点是耐磨、硬度高、韧性强，耐腐蚀等一系列优良性能，尤其它的高硬度和耐

CMP常用化学抛光液有哪些[ 05-17 10:42 ]

   CMP技术（化学机械研磨）是现代半导体制造中非常重要的一项技术，在半导体制造中的应用最多，通过CMP工艺使用抛光液和抛光垫可以去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，达到工件表面平坦化，保证晶体管等器件的性能稳定性。   抛光磨料是CMP抛光液中最重要的组成部分，它能够去除硅片表面的氧化物和金属残留物，以达到平坦化的效果。CMP常用化学抛光液有哪些？常见的CMP化学抛光液有氧化铝（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化铈（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

如何解决氧化硅抛光液结晶问题[ 05-09 17:17 ]

 二氧化硅抛光液在抛光过程中会出现结晶结块的现象，虽然不是大问题但如果处理不当，很可能会导致工件表面划伤甚至报废，那么怎么解决氧化硅抛光液结晶问题呢？  首先要了解硅溶胶抛光液的特点属性。二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经水解法离子、交换法制备成的一种高纯度低金属离子型产品。在水性环境中容易形成一种离子网状结构，而一脱离了水份，表面积迅速凝结形成结晶块，所以只要保持水分基本上是不会出现结晶现象。在实际CMP抛光工艺当中硅溶胶抛光液会一直在研磨盘转动、流动，结晶情况较少。  因此氧化

蓝宝石晶圆怎么研磨--sapphire wafer抛光液实现高平坦度表面[ 04-26 11:10 ]

  吉致电子蓝宝石研磨液sapphire slurry又称为蓝宝石抛光液。专业用于蓝宝石衬底、外延片、窗口、蓝宝石wafer的减薄和抛光。蓝宝石抛光液由纯度高的磨粒、复合分散剂和分散介质组成，具有稳定性高、不沉降不易结晶、抛光速度快的优点。   通过CMP工艺搭配蓝宝石专用slurry可实现蓝宝石晶圆的高平坦度加工,吉致电子抛光液利用纳米SiO2粒子研磨表面,不会对加工件造成物理损伤,达到精密加工。蓝宝石CMP抛光液的低金属的成分，可以有效防止产品受到污染。  &n

不锈钢工件原始品质对CMP抛光效果的影响[ 02-16 15:22 ]

  不锈钢镜面抛光效果的优良，不仅取决于抛光方案设计、抛光耗材（CMP抛光液、抛光垫）选择和抛光参数设置，不锈钢抛光工件的原始品质也影响到最终的抛光的效果。当抛光效果不尽人意时，不仅要对抛光方案、所使用耗材的品质进行评估和优化，同时对于工件的质量也要有所考虑。  不锈钢工件品质对CMP抛光工艺的影响1.优质的的不锈钢工件是获得良好抛光质量的前提条件，工件表面硬度不均或特性上有差异都会对抛光产生一定的困难。金属工件中的夹杂物和气孔都是影响抛光的不利因素。2.电火花加工后的金属表面难以研磨，若未在加

吉致电子---氧化铈研磨液在半导体CMP制程中的作用[ 02-10 13:09 ]

  粒径30-50nm的球形氧化铈研磨液用于半导体芯片制程：应用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成电路STI(浅沟槽隔离层)CMP  STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。  纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异  粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面C

吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用[ 02-09 13:14 ]

  CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光，吉致电子抛光液在半导体行业的应用，主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。  CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。  在半导体行业CMP环节之中，也存在

蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液[ 02-06 16:10 ]

蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液？蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子CMP抛光液，是一种高纯度的氧化硅抛光液，广泛应用于多种材料的纳米级高平坦化抛光。吉致电子生产的蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底研磨减薄，蓝宝石A向抛光液，蓝宝石C向抛光液等。抛光范围如：硅片、锗片、化合物晶体磷化铟、砷化镓、精密光学器件、宝石饰品、金属镜面等研磨抛光加工。蓝宝石抛光液Sapphire Slurry的特点：1.高纯度（Cu含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的污染。2.高抛光速率，利用大粒径的胶

SiO2二氧化硅抛光液--硅溶胶粒径大小的区别[ 01-06 16:24 ]

  二氧化硅抛光液SiO2 Slurry的制备中主要成分是纳米硅溶胶，一般分为大粒径硅溶胶和小粒径硅溶胶，那么怎么定义硅溶胶粒径大小呢，吉致电子小编为您详解： 大粒径硅溶胶与小粒径硅溶胶的定义 CMP精抛液中纳米硅溶胶颗粒的粒径为10-50nm，这个粒径范围的硅溶胶在市场上最常见，价格也相对便宜。如果对硅溶胶的纯度和pH值没有特殊要求，这种规格的硅溶胶价格相对比较便宜。 大粒径硅溶胶:粒径＞50nm的硅溶胶一般可称为大粒径硅溶胶。吉致电子科技生产的大粒径硅溶胶最大可达150n

吉致电子陶瓷基板抛光液[ 12-16 15:47 ]

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定因素。目前，已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷，分别是氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致电子陶瓷基板抛光液能抛磨这3种陶瓷材料，并达到理想RA值。浅谈一下三种陶瓷基板的性能：  氧化铝陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格，但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。  氮化铝覆铜板：在热特性方面

SIC碳化硅的化学机械抛光工艺[ 12-14 16:20 ]

  碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。  SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。选择CMP

3C镜面抛光液用什么抛光液[ 12-09 16:18 ]

  3C产品表面镜面抛光一般不采用电解抛光方式，而是选择CMP机械抛光工艺。SiO2抛光液用于3C工件的镜面抛光工艺，主要由纳米级磨料制备而成，规格一般在10nm-150nm抛光后的产品镜面精度高，表面收光细腻。  氧化硅精抛液进行精抛工艺后，工件可以从雾面提升到镜面透亮的效果。抛光液配合精抛皮使用，镜面效果检测可达纳米级。3C金属抛光液用于镜面要求较高的工件抛光，因此必须做好前道工序。先粗抛打好基础，再精抛去除缺陷和不良效果。  有客户使用二氧化硅抛光液后工件表面会产生麻点，这是由于

吉致电子抛光液---温度对蓝宝石衬底CMP工艺的影响[ 12-08 15:40 ]

  温度在蓝宝石衬底抛光中起着非常重要的作用, 它对CMP工艺的影响体现在抛光的各个环节。  在CMP工艺的化学反应过程和机械去除过程这两个环节中, 受温度影响十分强烈。一般来说, 抛光液温度越高, 抛光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化学腐蚀严重, 表面完美性差。所以, 蓝宝石抛光液/研磨液温度必须控制在合适的范围内, 这样才能满足圆晶片的平坦化要求。实验表明, 抛光液在40℃左右的时候, 抛光速率达到了最大值, 随着温度继续升高, 抛光速率的上升趋于平缓, 并且产生抛光液蒸腾现象。&nbs

蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响[ 12-08 11:33 ]

蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响研究表明，在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in; 而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下,