吉致电子抛光材料 源头厂家
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半导体铜CMP抛光液：铜互连工艺的核心材料[ 02-25 14:44 ]

半导体铜化学机械抛光液（Copper CMP Slurry）是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光（CMP）的关键材料。随着半导体技术的发展，铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能，取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用，确保铜层平整化并实现多层互连结构，CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。 一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成：主要磨料颗粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

硬盘玻璃的表面抛光主要用什么工艺？[ 02-18 13:25 ]

    硬盘玻璃（也称为硬盘盘片基板或玻璃基板）是一种用于制造硬盘驱动器（HDD）盘片的特殊玻璃材料。它是硬盘盘片的基础材料，用于存储数据。硬盘玻璃通常采用特殊的铝硅酸盐玻璃或化学强化玻璃，具有硬度高、轻量化、低热膨胀系数、高表面光洁度的特点。硬盘玻璃的表面抛光是其制造过程中非常关键的一环，因为硬盘盘片需要极高的表面平整度和光洁度，以确保数据存储和读写的精确性。硬盘玻璃的表面抛光主要采用CMP化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

铌酸锂/钽酸锂晶体抛光液成分及特点[ 02-08 15:14 ]

铌酸锂（LiNbO?）和钽酸锂（LiTaO?）衬底的CMP（化学机械抛光）抛光液是一种专门设计用于实现高效材料去除和表面平整化的化学机械混合物。其组成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化铝（Al?O?）纳米颗粒。磨料粒径通常在20-200 nm之间，以实现高效的材料去除和表面光滑。氧化剂：用于氧化衬底表面，使其更容易被磨料去除。常见的氧化剂包括过氧化氢（H?O?）、硝酸（HNO?）或高锰酸钾（KMnO?）。pH调节剂：抛光液的pH值通常控制在9-11之间，以优化化学反应和

影响碳化硅衬底质量的重要工艺参数有哪些[ 01-31 17:33 ]

碳化硅衬底提高加工速率和良品率的主要因素除了用对抛光液和抛光垫，在CMP抛光研磨过程的工艺参数也很重要：抛光压力：适当增加压力可以提高抛光效率，但过高的压力可能导致衬底表面产生划痕、损伤甚至破裂。一般根据衬底的厚度、硬度以及抛光设备的性能，压力范围在几十千帕到几百千帕之间。抛光转速：包括衬底承载台的转速和抛光垫的转速。转速影响抛光液在衬底和抛光垫之间的流动状态以及磨料的磨削作用。较高的转速可以加快抛光速度，但也可能使抛光液分布不均匀，导致表面质量下降。转速通常在每分钟几十转到几百转之间调整。抛光时间：由衬底需要去除

CMP抛光垫在化学机械平面研磨中的作用和效果[ 01-11 10:25 ]

CMP抛光垫在化学机械平面研磨中的作用和效果通过调整抛光垫的密度和硬度，可以根据目标值（如镜面光洁度、精度等）进行优化，确保工件表面达到镜面光洁度，同时与研磨相比，损伤降至最低。在CMP过程中，抛光垫主要发挥以下作用：1. 均匀施加压力：由于抛光垫通常由柔性材料制成，并具有一定的弹性，它能够在压力施加时均匀变形，确保材料的去除速率在整个晶圆表面上保持一致，避免局部去除过度或不足。2. 散热：CMP过程中会产生大量热量，抛光垫通常由具有良好导热性能的材料制成，例如聚氨酯等，能够快速传导热量，防止局部过热，从而保护晶圆

半导体晶圆抛光垫的类型有哪些[ 01-10 14:59 ]

一、CMP抛光垫概述CMP抛光垫是半导体晶圆制造中不可或缺的工具之一，主要用于半导体晶圆的抛光和平整处理。这些抛光垫CMP Pad采用优质材料制作，展现出卓越的耐磨性和平坦度，确保晶圆在抛光过程中得到妥善保护，不受损害。根据不同的材质和硬度需求，抛光垫可分为多种类型。二、各种自粘式CMP抛光垫的种类和特点1. 聚氨酯(PU)抛光垫聚氨酯(PU)抛光垫是抛光垫中的一种常见类型，其硬度较低，展现出良好的柔软性和弹性，特别适用于需要柔软抛光垫的场合。它的抛光效果出色，使用寿命较长，但价格相对较高。2. 聚酯(PET)抛光

吉致电子---阻尼布抛光垫的功能和应用领域[ 12-20 16:12 ]

吉致电子阻尼布抛光垫（精抛垫）的功能和应用领域有哪些？一、阻尼布抛光垫的功能优势①提高抛光质量：阻尼布抛光垫能够有效吸收抛光过程中的振动和冲击，使抛光表面更加光滑、细腻，从而提高产品质量。②减少表面损伤：通过降低抛光过程中的振动和冲击力，阻尼布抛光垫可以减少对抛光表面的损伤，保护材料的完整性。③提高工作效率：阻尼布抛光垫具有良好的耐用性和稳定性，能够长时间保持稳定的抛光效果，从而提高工作效率。二、阻尼布抛光垫的应用领域阻尼布抛光垫在多个领域都有广泛的应用，包括但不限于：①金属加工领域：可用于金属表面的抛光处理，如钛

黑色阻尼布抛光垫和白色阻尼布抛光垫的区别[ 12-13 15:18 ]

白色阻尼布抛光垫和黑色阻尼布抛光垫的主要区别有哪些？黑白色阻尼布PAD的区别在于材质、用途和抛光效果。一、黑色/白色阻尼布材质和用途不同?白色阻尼布抛光垫?：通常采用中等硬度的材质，如中等密度的海绵或布料。这种抛光垫在去除中度划痕和污渍方面效果显著，适用于中等强度的抛光作业。它能够在抛光过程中保持适中的温度，避免对材料造成热损伤，因此在各种金属、塑料等材料的抛光过程中得到广泛应用?。黑色阻尼布抛光垫：采用较硬的材质，如高密度海绵或硬质布料。这种抛光垫具有较强的切削力和耐磨性，适用于去除重度划痕、污渍和氧化层。

吉致电子LN铌酸锂抛光液，CMP精密加工好助手[ 11-06 17:17 ]

  铌酸锂化学式为LiNbO3简称LN，具有良好的非线性光学性质，可用作光波导材料，或用于制作中低频声表滤波器、大功率耐高温超声换能器等。铌酸锂掺杂技术如今被广泛应用。Mg:LN提高抗激光损伤阈值，优化在非线性光学领域的应用；Nd:Mg:LN晶体可实现自倍频效应；Fe:LN晶体可用于光学体全息存储。CMP研磨液抛光液能平坦化铌酸锂晶圆表面凹陷，晶圆快速达到理想粗糙度。  8寸铌酸锂晶圆在光电子器件和集成电路领域有着广泛的应用。相较于较小尺寸的晶圆，8英寸铌酸锂晶圆具有明显的优势。首先，它拥有更大

DNA基因芯片cmp工艺[ 10-11 17:17 ]

  基因芯片又称DNA芯或DNA微阵列。它是一种同时将大量的探针分子固定到固相支持物上，借助核酸分子杂交配对的特性对DNA样品的序列信息进行高效解读和分析的技术，主要应用在医学领域、生物学研究领域和农业领域。DNA芯片生产过程需要经过CMP研磨抛光去除基板水凝膜，达到理想表面效果。 吉致电子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的软材料,软材料包括但不限于聚合物、无机水凝胶或有机聚合物水凝胶等。基因芯片研磨液使用微米级磨料制备，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝

CMP抛光液---半导体抛光液种类有哪些[ 08-09 09:01 ]

  半导体抛光液种类有哪些？CMP抛光液在集成电路领域的应用远不止晶圆抛光，半导体使用的CMP制程包括氧化层（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金属层（Metal CMP）。就抛光工艺而言，不同制程的产品需要不同的抛光流程，28nm制程需要12~13次CMP，进入10nm制程后CMP次数将翻倍，达到25~30次。STI CMP Slurry---浅沟槽隔离平坦化  STI浅沟槽隔离技术是用氧化物隔开各个门电路，使各门电路之间互不导通，STI CMP工艺的目标是去除填充在浅沟槽中的

CMP抛光垫的种类及特点[ 07-26 16:42 ]

Cmp抛光垫种类可按材质结构主要有：聚合物抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫、复合型抛光垫。①聚合物抛光垫聚合物抛光垫的主要成分是发泡体固化聚氨酯，聚氨酯抛光垫具有抗撕裂强度高、耐磨性强、耐酸碱腐蚀性优异的特点，是最常用的抛光垫材料之一。 图 聚氨酯抛光垫微观结构 在抛光过程中，聚氨酯抛光垫表面微孔可以软化和使抛光垫表面粗糙化，并且能够将磨料颗粒保持在抛光液中，可以实现高效的平坦化加工。聚氨酯抛光垫表面的沟槽有利于抛光残渣的排出。但聚氨酯抛光垫硬度过高，抛光过程中变形小，加工过程中容

吉致电子CMP抛光垫的作用[ 07-18 16:19 ]

CMP技术是指被抛光材料在化学和机械的共同作用下，工件表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。cmp抛光液中的化学成分与被抛磨工件材料表面进行化学反应，形成易去除的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的机械载荷；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学性能以外，其表面组织

SiC碳化硅衬底加工的主要步骤[ 06-21 15:45 ]

SiC碳化硅衬底加工的主要分为9个步骤：晶面定向、外圆滚磨、端面磨、线切、倒角、减薄、CMP研磨、CMP抛光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射线衍射法为晶锭定向，当一束 X 射线入射到需要定向的晶面后，通过衍射光束的角度来确定晶面的晶向。2.外圆滚磨：在石墨坩埚中生长的单晶的直径大于标准尺寸，通过外圆滚磨将直径减小到标准尺寸。3.端面磨：SiC 衬底一般有两个定位边，主定位边与副定位边，通过端面磨开出定位边。4.线切割：线切割是碳化硅SiC 衬底加工过程中一道较为重要的工序。线切过程中造成的裂纹损伤、残留的亚表面

芯片制造为什么使用单晶硅做衬底[ 05-31 17:27 ]

芯片制造中为什么都喜欢用单晶硅作为衬底材料呢?那是因为单晶硅片具有以下优点：单晶硅片是半导体器件制造的基础材料，应用广泛。计算机芯片、智能手机中的处理器、存储器.传感器等都是使用单晶硅片制造的。单晶硅具有显著的半导体性能：单晶硅是一种半导体材料，具有较弱的导电性。该材料的电导率受光、电、磁、温度等因素的影响，随着温度的升高而增加。超纯的单晶硅属于本征半导体，但在其中掺入亚A族元素，如硼，则可形成p型硅半导体，掺入微量的VA族元素，如磷或砷，则可形成n型硅半导体。通过扩散作用，将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导

吉致电子--GaN氮化镓CMP抛光的重要性[ 05-31 17:13 ]

  氮化镓(GaN)是一种具有广泛应用前景的半导体材料，具有优异的电子特性和光学性能。在现代电子设备中，氮化镓被广泛应用于 LED 显示屏、激光器、功率放大器等领域，并且在未来的 5G 通讯、电动汽车等领域也具有巨大的发展潜力。然而，氮化镓在制备过程中容易受到表面缺陷的影响，影响其性能和稳定性，所以氮化镓抛光工艺显得尤为重要，浅谈一下氮化镓CMP抛光的重要性。 氮化镓CMP抛光的重要性主要体现在以下几个方面：1，提高器件的光电性能：氮化镓材料用于制作 LED和LD等光电器件其表面质量影响着器件的

吉致电子--衬底与晶圆CMP磨抛工艺的区别[ 05-29 15:44 ]

  在半导体制造过程中，衬底和晶圆是两个常见的术语。它们扮演着重要的角色，但在定义、结构和用途上存在一些差异和区别。  衬底---作为基础层的材料，承载着芯片和器件。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。衬底的CMP磨抛工艺主要关注其表面的平整度、清洁度和粗糙度，确保后续工艺如外延生长、薄膜沉积等能够顺利进行。  晶圆---则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。晶圆的CMP磨抛工艺

吉致电子--单晶硅与多晶硅的区别[ 05-23 18:01 ]

吉致电子粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液可用于单晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面简单谈谈单晶硅和多晶硅的区别： 单晶硅和多晶硅是两种不同的硅材料，它们的主要区别在于晶体结构、物理性质和用途等方面。  ①晶体排列组成不一样：  单晶硅是由许多晶体周期性排列而成的，其晶体结构具有高度的有序性和一致性，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较少。  多晶硅是由许多小的晶体组成的，每个小晶体的晶体结构都有一定的差异，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较复杂。 ②

SiC碳化硅应用领域有哪些？[ 04-30 18:03 ]

碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷两大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大干亿赛道的关键材料之一。例如:单晶方面：碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面：碳化硅凭借其优异的高温强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，近年来随着新能源汽车、半导体、光伏等行业的起飞而需求爆发，深深地渗入到这些新兴领域的

半导体衬底和外延的区别是什么？[ 04-30 16:39 ]

  在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？  在第三代半导体产业链，晶圆制备过程中存在两个重要环节：①是衬底的制备，②是外延工艺的实施。这两个环节的区别是怎样的，存在的意义又有何不同？  衬底由半导体单晶材料精心打造的晶圆片，可以作为基础直接投入晶圆制造的流程来生产半导体器件，或者进一步通过外延工艺来增强性能