吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

CMP抛光垫的种类及特点[ 07-26 16:42 ]

Cmp抛光垫种类可按材质结构主要有：聚合物抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫、复合型抛光垫。①聚合物抛光垫聚合物抛光垫的主要成分是发泡体固化聚氨酯，聚氨酯抛光垫具有抗撕裂强度高、耐磨性强、耐酸碱腐蚀性优异的特点，是最常用的抛光垫材料之一。 图 聚氨酯抛光垫微观结构 在抛光过程中，聚氨酯抛光垫表面微孔可以软化和使抛光垫表面粗糙化，并且能够将磨料颗粒保持在抛光液中，可以实现高效的平坦化加工。聚氨酯抛光垫表面的沟槽有利于抛光残渣的排出。但聚氨酯抛光垫硬度过高，抛光过程中变形小，加工过程中容

吉致电子CMP抛光垫的作用[ 07-18 16:19 ]

CMP技术是指被抛光材料在化学和机械的共同作用下，工件表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。cmp抛光液中的化学成分与被抛磨工件材料表面进行化学反应，形成易去除的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的机械载荷；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学性能以外，其表面组织

SiC碳化硅衬底加工的主要步骤[ 06-21 15:45 ]

SiC碳化硅衬底加工的主要分为9个步骤：晶面定向、外圆滚磨、端面磨、线切、倒角、减薄、CMP研磨、CMP抛光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射线衍射法为晶锭定向，当一束 X 射线入射到需要定向的晶面后，通过衍射光束的角度来确定晶面的晶向。2.外圆滚磨：在石墨坩埚中生长的单晶的直径大于标准尺寸，通过外圆滚磨将直径减小到标准尺寸。3.端面磨：SiC 衬底一般有两个定位边，主定位边与副定位边，通过端面磨开出定位边。4.线切割：线切割是碳化硅SiC 衬底加工过程中一道较为重要的工序。线切过程中造成的裂纹损伤、残留的亚表面

芯片制造为什么使用单晶硅做衬底[ 05-31 17:27 ]

芯片制造中为什么都喜欢用单晶硅作为衬底材料呢?那是因为单晶硅片具有以下优点：单晶硅片是半导体器件制造的基础材料，应用广泛。计算机芯片、智能手机中的处理器、存储器.传感器等都是使用单晶硅片制造的。单晶硅具有显著的半导体性能：单晶硅是一种半导体材料，具有较弱的导电性。该材料的电导率受光、电、磁、温度等因素的影响，随着温度的升高而增加。超纯的单晶硅属于本征半导体，但在其中掺入亚A族元素，如硼，则可形成p型硅半导体，掺入微量的VA族元素，如磷或砷，则可形成n型硅半导体。通过扩散作用，将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导

吉致电子--GaN氮化镓CMP抛光的重要性[ 05-31 17:13 ]

  氮化镓(GaN)是一种具有广泛应用前景的半导体材料，具有优异的电子特性和光学性能。在现代电子设备中，氮化镓被广泛应用于 LED 显示屏、激光器、功率放大器等领域，并且在未来的 5G 通讯、电动汽车等领域也具有巨大的发展潜力。然而，氮化镓在制备过程中容易受到表面缺陷的影响，影响其性能和稳定性，所以氮化镓抛光工艺显得尤为重要，浅谈一下氮化镓CMP抛光的重要性。 氮化镓CMP抛光的重要性主要体现在以下几个方面：1，提高器件的光电性能：氮化镓材料用于制作 LED和LD等光电器件其表面质量影响着器件的

吉致电子--衬底与晶圆CMP磨抛工艺的区别[ 05-29 15:44 ]

  在半导体制造过程中，衬底和晶圆是两个常见的术语。它们扮演着重要的角色，但在定义、结构和用途上存在一些差异和区别。  衬底---作为基础层的材料，承载着芯片和器件。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。衬底的CMP磨抛工艺主要关注其表面的平整度、清洁度和粗糙度，确保后续工艺如外延生长、薄膜沉积等能够顺利进行。  晶圆---则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。晶圆的CMP磨抛工艺

吉致电子--单晶硅与多晶硅的区别[ 05-23 18:01 ]

吉致电子粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液可用于单晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面简单谈谈单晶硅和多晶硅的区别： 单晶硅和多晶硅是两种不同的硅材料，它们的主要区别在于晶体结构、物理性质和用途等方面。  ①晶体排列组成不一样：  单晶硅是由许多晶体周期性排列而成的，其晶体结构具有高度的有序性和一致性，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较少。  多晶硅是由许多小的晶体组成的，每个小晶体的晶体结构都有一定的差异，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较复杂。 ②

SiC碳化硅应用领域有哪些？[ 04-30 18:03 ]

碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷两大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大干亿赛道的关键材料之一。例如:单晶方面：碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面：碳化硅凭借其优异的高温强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，近年来随着新能源汽车、半导体、光伏等行业的起飞而需求爆发，深深地渗入到这些新兴领域的

半导体衬底和外延的区别是什么？[ 04-30 16:39 ]

  在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？  在第三代半导体产业链，晶圆制备过程中存在两个重要环节：①是衬底的制备，②是外延工艺的实施。这两个环节的区别是怎样的，存在的意义又有何不同？  衬底由半导体单晶材料精心打造的晶圆片，可以作为基础直接投入晶圆制造的流程来生产半导体器件，或者进一步通过外延工艺来增强性能

CMP设备及耗材对半导体硅片抛磨有影响吗？[ 03-20 17:22 ]

CMP设备及耗材对工艺效果影响吗？答案是：有关键影响。CMP工艺离不开设备机台及耗材，其中耗材包括抛光垫和抛光液。影响CMP效果主要因素如下：①设备参数：抛光时间、研磨盘转速、抛光头转速、抛光头摇摆度、背压、下压力等；②研磨液参数：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸碱度、氧化剂含量、流量、粘滞 系数等 ；③抛光垫参数：硬度、密度、空隙大小、弹性等；④CMP对象薄膜参数：种类、厚度、硬度、化学性质、图案密度等。CMP耗材包括抛光液、抛光垫、钻石碟、清洗液等，对 CMP 工艺效应均有关键影响。1. CMP 抛

什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺[ 03-07 17:22 ]

碳化硅SIC研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。碳化硅衬底常规的CMP研磨工艺一般分为粗磨和精磨。SiC衬底常规双面磨工艺双面磨工艺又称DMP工艺，是目前大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案，对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。①粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，

CMP制程中抛光垫的作用有哪些？[ 02-21 16:15 ]

  CMP技术是使被抛光材料在化学和机械的共同作用下，材料表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。抛光液中的化学成分与材料表面进行化学反应，形成易抛光的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。  在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①传递材料去除所需的机械载荷；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如工件碎屑、抛光碎片等）；③使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力

CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用[ 12-21 11:53 ]

  化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造的关键步骤，这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整，达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，CMP耗材品质直接影响抛光效果，对提高晶圆制造质量至关重要。  CMP抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。&nbs

第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别[ 11-03 17:35 ]

  随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来我国半导体材料市场发展迅猛，其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注，两者经常被拿来比较。  同为宽近带半导体的成员，碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料，它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。  随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求暴涨，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。  ①性能不同：高电子迁移

蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]

  氧化铝抛光液在LED行业的应用广泛，如蓝宝石衬底的CMP抛光，为避免大粒径磨料对工件造成划伤，通常选用粒径为50∼200nm，且粒径分布均匀的纳米α-Al2O3磨料。为了确保蓝宝石衬底能抛出均匀的镜面光泽，需要提升CMP抛光液的切削速率及平坦化效果，吉致电子科技生产的氧化铝抛光液/研磨液可专业用于蓝宝石抛光，氧化铝磨料具有分布窄，粒径小，硬度高、尺寸稳定性好，α相转晶完全，团聚小易分散等特点。  吉致电子对α-Al2O3颗粒的Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量都有

半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别[ 08-18 16:58 ]

  常用的半导体抛光液，按抛光对象的不同分W钨抛光液、CU铜抛光液、氧化层抛光液、STI抛光液等。其中铜抛光液slurry主要应用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺，而钨抛光液W slurry则大量应用于存储芯片制造工艺，在逻辑芯片中用量较少。  铜抛光液，主要由腐蚀剂、成膜剂和纳米磨料组成。腐蚀剂用来腐蚀溶解铜表面，成膜剂用于形成铜表面的钝化膜，钝化膜的形成可以保护腐蚀剂的进一步腐蚀，并可有效地降低金属表面硬度。除此之外，CMP抛光液中经常添加一些化学试剂以调节PH值，为抛光过程

打磨碳化硅需要哪种抛光垫？[ 08-17 16:41 ]

  打磨碳化硅需要哪种抛光垫？  打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫  吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。  压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同[ 08-11 16:04 ]

  二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子高纯度CMP抛光产品。 硅溶胶抛光液是以液体形式存在，直径为10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有机液体（分散介质）里的分散体系，粒子的形貌多为球形，适用于各类工件的镜面抛光，如金属、蓝宝石衬底、半导体、光学玻璃、精密电子元器件等的镜面抛光。 本质上讲二氧化硅抛光液、硅溶胶抛光液都是一种东西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨抛光工艺中，机器通过压力泵把氧化硅抛光液输送到抛光槽内进行循环使用，

碳化硅Sic衬底加工流程有哪些[ 08-09 17:14 ]

碳化硅衬底是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片，简单流程可概括为原料合成→晶体生长→。1、原料合成将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。2、晶体生长以高纯度碳化硅微粉为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 生长碳化硅晶体将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨甘场下部和顶部，通过电磁感应将

半导体抛光---硅片抛光垫怎么选[ 08-08 16:31 ]

  硅片抛光涉及到半导体工件的技术加工领域，硅片抛光垫的多孔结构和软性磨料材料，可以适应不同硅片材料的表面结构，达到不同表面加工的需求。在微电子、半导体、光电等领域中，CMP抛光垫的使用越来越广泛，尤其是在制造高性能晶体管、集成电路和MEMS等微纳米器件中，CMP抛光垫的质量和性能至关重要。   硅片抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的