SiC碳化硅衬底加工的主要分为9个步骤：晶面定向、外圆滚磨、端面磨、线切、倒角、减薄、CMP研磨、CMP抛光以及清洗。吉致电子抛光耗材应用于碳化硅衬底的CMP研磨及CMP抛光步骤。

1.晶面定向：使用 X 射线衍射法为晶锭定向，当一束 X 射线入射到需要定向的晶面后，通过衍射光束的角度来确定晶面的晶向。

2.外圆滚磨：在石墨坩埚中生长的单晶的直径大于标准尺寸，通过外圆滚磨将直径减小到标准尺寸。

3.端面磨：SiC 衬底一般有两个定位边，主定位边与副定位边，通过端面磨开出定位边。

4.线切割：线切割是碳化硅SiC 衬底加工过程中一道较为重要的工序。

线切过程中造成的裂纹损伤、残留的亚表面损伤等都会对后续工艺造成不利影响，一方面会延长后续工艺所需的时间，另一方面会造成晶片本身的损耗。目前，最常用的碳化硅线切工艺是往复式金刚石固结磨料多线切割。主要通过固结有金刚石磨料的金属线的往复运动对 4H-SiC 晶锭进行切割。线切出的晶片厚度在500μm 左右，晶圆表面存在大量的线切划痕和较深的亚表面损伤。

5.倒角：为防止在后续加工过程中，晶片边缘发生崩边裂纹等现象，同时为了减小后续工艺中研磨垫、抛光垫等的损耗，需要将线切后锋利的晶片边缘磨削成指定形状。

6.减薄：碳化硅晶锭的线切工艺在晶片表面留下大量划痕及亚表面损伤，使用金刚石砂轮进给进行减薄，主要目的是尽可能去除这部分划痕及损伤。

7.CMP研磨：研磨过程分为粗磨和精磨，具体工艺与减薄类似，但是使用粒径更小的碳化硼或金刚石磨料，更低的去除速率，主要去除减薄工艺中未能去除的损伤及新引入的损伤。（推荐吉致JZ8003粗磨液 / 吉致JZ8001精磨液）

8.CMP抛光：抛光是 SiC 衬底加工的最后一道工序，同样分为粗抛和精抛。晶片表面在抛光液的作用下产生较软的氧化层，氧化层在氧化铝或氧化硅磨粒的机械作用下被去除。在这一工序完成后，衬底表面基本不存在划痕和亚表面损伤，有着极低的表面粗糙度，是实现 SiC衬底表面超光滑无损伤的关键工艺。（推荐吉致JZ8010粗抛液 吉致JZ8020A、J8020B精抛液）

9.清洗：去除加工过程残留的颗粒、金属、氧化膜和有机物等污染物。

 吉致电子选用优质磨料制备成的CMP抛光液，在碳化硅研磨和抛光应用中实现高的表面质量度，同时显著提供材料的去除率。可根据客户要求定制碳化硅抛光液产品，常用碳化硅抛光液粒度包括0.5-1μm、1μm、2-4μm、5μm等。

无锡吉致电子科技有限公司

https://www.jzdz-wx.com/

联系电话：17706168670

邮编：214000?

地址：江苏省无锡市新吴区新荣路6号