CMP设备及耗材对半导体硅片抛磨影响吗？

CMP工艺离不开设备机台及耗材，其中耗材主要包括抛光垫slurry和抛光液Pad。

影响半导体晶圆CMP效果主要因素如下：

①设备参数：抛光时间、研磨盘转速、抛光头转速、抛光头摇摆度、背压、下压力等；

②研磨液参数：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸碱度、氧化剂含量、流量、粘滞系数等 ；

③抛光垫参数：硬度、密度、空隙大小、弹性等；

④CMP对象薄膜参数：种类、厚度、硬度、化学性质、图案密度等。

半导体晶圆CMP耗材包括抛光液、抛光垫、钻石碟、清洗液等，对CMP工艺效应有关键影响。

1. CMP抛光液：Slurry是研磨材料和化学添加剂的混合物，可使晶圆表面产生一层氧化膜，再由抛光液中的磨粒去除，达到抛光的目的。半导体抛光液的成分不同，抛磨效果也不同。

2. CMP抛光垫：Pad主要作用是储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等；

3. CMP钻石碟：是CMP工艺中必不可少的耗材，用于维持抛光垫表面一定的粗糙状态，通常与CMP抛光垫配套使用。

4. CMP清洗液：主要用于去除残留在晶圆表面的微尘颗粒、有机物、无机物、金属离子、氧化物等杂质，满足集成电路制造对清洁度的极高要求，对晶圆生产的良率起到了重要的作用。

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