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CMP设备及耗材对半导体硅片抛磨有影响吗?

文章出处:责任编辑:人气:-发表时间:2024-03-20 17:22【

CMP设备及耗材对半导体硅片抛磨影响吗?

CMP工艺离不开设备机台及耗材,其中耗材主要包括抛光垫slurry和抛光液Pad。

影响半导体晶圆CMP效果主要因素如下:

①设备参数:抛光时间、研磨盘转速、抛光头转速、抛光头摇摆度、背压、下压力等;

研磨液参数:磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸碱度、氧化剂含量、流量、粘滞系数等 ;

抛光垫参数:硬度、密度、空隙大小、弹性等;

④CMP对象薄膜参数:种类、厚度、硬度、化学性质、图案密度等。

吉致电子CMP抛光耗材工艺展示

半导体晶圆CMP耗材包括抛光液、抛光垫、钻石碟、清洗液等,对CMP工艺效应有关键影响。

1. CMP抛光液:Slurry是研磨材料和化学添加剂的混合物,可使晶圆表面产生一层氧化膜,再由抛光液中的磨粒去除,达到抛光的目的。半导体抛光液的成分不同,抛磨效果也不同。

2. CMP抛光垫:Pad主要作用是储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等;

3. CMP钻石碟:是CMP工艺中必不可少的耗材,用于维持抛光垫表面一定的粗糙状态,通常与CMP抛光垫配套使用。

4. CMP清洗液:主要用于去除残留在晶圆表面的微尘颗粒、有机物、无机物、金属离子、氧化物等杂质,满足集成电路制造对清洁度的极高要求,对晶圆生产的良率起到了重要的作用。

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