SiC衬底常规双面磨工艺

双面磨工艺又称DMP工艺，是大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案，对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。

①粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式

该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，降低TTV，Bow，Warp，去除速率稳定，一般能达到0.8-1.2um/min的去除率。但该工艺加工后的晶片表面是亚光面, 粗糙度较大，一般在50nm左右，对后工序的去除要求较高。

②精磨：采用聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺加工后的碳化硅晶圆表面粗糙度低，能达到Ra<3nm，这更有利于碳化硅衬底片后工序的抛光。

随着双面磨工艺发展，又改良出新的研磨工艺--- 团聚金刚石双面研磨工艺，该工艺良率高，成本更低，精磨损伤层更低，更有利于抛光，再后续的文章中吉致电子小编会介绍团聚金刚石双面研磨工艺的具体工序和特点。

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