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[行业资讯]碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案[ 2025-01-23 17:18 ]
SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料,通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用,实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化,从而提高晶圆衬底的表面质量,达到超光滑、无缺陷损伤的状态,满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案:①碳化硅硬度高:碳化硅硬度仅次于金刚石,这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方,以提高对碳化硅的去除速率。例如,采用高硬度、高活性的磨料,并优化磨料的粒径分布和形状,同时调整化学试剂的种类和浓度,增强
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[行业资讯]吉致电子SiC碳化硅研磨垫国产替代[ 2024-12-31 14:03 ]
  在碳化硅抛光垫/研磨垫(SiC CMP Pad)市场中,高端领域呈现出寡头垄断的格局。其中,杜邦Suba800系列产品被广泛采用,同时也有部分客户选择杜邦的Suba600和Suba400系列,以及Supreme Series和Politex系列等产品。此外,日本厂商Fujibo也在市场中扮演着关键角色,其主打产品包括G804W、728NX和FPK66等型号。  在竞争激烈的半导体集成电路市场中,除了上述提到的几款CMP抛光垫产品外,国内一些新兴企业也在不断研发创新,试图打破现有的市场格局,为
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[应用案例]碳化硅SiC抛光工艺[ 2023-04-19 17:08 ]
  根据半导体行业工艺不同,CMP抛光液可分为介质层化学机械抛光液、阻挡层化学机械抛光液、铜化学机械抛光液、硅化学机械抛光液、钨化学机械抛光液、TSV化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液等。  SIC CMP抛光液是半导体晶圆制造过程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨过程中起着关键作用,抛光液的种类、颗粒分散度、粒径大小、物理化学性质及稳定性等均与抛光效果紧密相关。  近年来,在人工智能、5G、数据中心等技术不断发展背景下,碳化硅衬底应用领域不断扩大、市场规模不断扩大,进而带动
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