目前，超大规模集成电路芯片的集成度已经达到了数十亿个元件，特征尺寸已经达到了纳米级，这就需要微电子技术中的数百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质等必须通过CMP化学机械技术，抛光液和抛光垫磨抛达到平坦化。VLSI布线正从传统的铝布线工艺向铜布线工艺转变。

  铜材质具有快速迁移的特性，容易通过介质层扩散，导致相邻铜线之间漏电，进而导致器件特性失效。一般在沉积铜之前，在介质衬底上沉积扩散阻挡层，工业上已经广泛使用的阻挡层材料是tan/ta。

  化学抛光(CMP)技术slurry抛光浆料仍然是铜布线平面化最有效的工艺。随着半导体制程的不断缩小，铜互连布线的宽度和铜膜的厚度减小，这要求过度抛光的持续时间逐渐缩短。同时，由于工艺的收缩，不同线宽的铜线尺寸比有所增加，过度抛光可能导致更大的凹陷。吉致电子阻挡层抛光液的配方设计可以在较低的抛光压力条件下实现介质层/铜的抛光速率选择比可调，实现ishing、erosion的修复。

 吉致电子CMP抛光液厂家，专业研发半导体芯片、晶圆、衬底相关抛光液产品，提供Slurry抛光浆料,阻挡层抛光液,CMP抛光液,半导体抛光液,铜抛光液等产品定制与生产。

本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转载，转载需附出处及原文链接。http://www.jzdz-wx.com/

无锡吉致电子科技有限公司

联系电话：17706168670

邮编：214000

地址：江苏省无锡市新吴区行创四路19-2