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专注半导体先进制程:吉致电子CMP精抛垫稳定可靠

文章出处:责任编辑:人气:-发表时间:2026-03-13 14:38【

随着半导体先进制程持续迭代突破,7nm以下芯片制造对CMP化学机械抛光的最终精抛环节,提出了近乎严苛要求:既要实现纳米级材料的精准可控去除,又要确保表面零微观缺陷。然而,传统抛光垫始终难以兼顾精度与品质两大核心诉求。吉致电子凭借阻尼布抛光垫(CMP精抛垫)的创新设计,成功突破行业技术瓶颈,为碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、光学玻璃等关键材料,打造原子级表面平整度,成为先进半导体制程的“核心助攻”,彻底解决精抛环节的痛点难题。

吉致电子精抛垫 阻尼布抛光垫 半导体抛光垫CMP PAD

吉致电子阻尼布精抛垫为什么能成为半导体行业优选?

不同于传统抛光垫的性能局限,CMP Final Polishing Pad 吉致阻尼布精抛垫以“高精度、低缺陷、长效稳定”三大核心优势,站稳7nm以下先进制程赛道,每一项性能都直击行业痛点:

①更高精度,适配EUV光刻严苛要求:表面粗糙度低至≤0.1nm RMS,材料去除精度控制在±1nm,完美匹配EUV光刻对衬底的超高平整度需求,为芯片良率筑牢基础。

②低缺陷,杜绝微观损伤:划痕密度<0.05个/cm²,通过创新梯度过渡层设计,有效缓冲抛光过程中的应力冲击,从根源上避免衬底微观损伤,大幅提升产品合格率。

③长效稳定,降低生产成本:采用碳纤维基底,热膨胀系数<5ppm/°C,抗热变形能力极强;连续使用状态下,去除率波动<2%,使用寿命较传统抛光垫提升30%,显著降低客户耗材成本。

核心黑科技:“三明治”复合结构,重新定义精抛标准

吉致电子阻尼布精抛垫的性能突破,源于“材料创新+智能结构设计”的双重加持,其独特的三明治复合结构,每一层都有专属核心功能,层层协同实现最优抛光效果:

结构层

功能特性

超细纤维表层

采用2-5μm极细纤维编织,形成均匀纳米孔隙;搭配硅烷偶联剂优化,大幅提升与抛光液的化学相容性,实现精准抛光。

梯度过渡层

弹性模量在50-500MPa之间渐变,内置热敏材料可实时监测抛光温度,同时有效吸收高频振动,减少抛光过程中的应力损伤。

高稳定基底

碳纤维增强设计+激光定位标记,背面导电涂层可有效防静电,完美适配各类抛光机台,确保抛光过程稳定可控。

吉致电子精抛垫多场景适配:从半导体到精密光学,全面覆盖高端需求

吉致电子CMP精抛垫多场景适配使用 精密光学、数据存储、半导体领域

凭借卓越的抛光性能,吉致电子阻尼布精抛垫CMP Final Polishing Pad不仅适配先进半导体领域,更广泛应用于精密光学、数据存储等高端场景,实现多领域全覆盖:

①先进半导体领域:SiC/GaAs衬底、铜/铝互连层终抛,助力7nm以下先进制程突破;

②数据存储领域:玻璃硬盘基片超平滑处理,提升存储密度和读写速度;

③光学器件领域:蓝宝石窗口片、透镜高透光处理,以及红外光学晶体抛光,满足高端光学产品的严苛要求。

吉致电子:专注CMP耗材创新,赋能高端制造CMP Final Polishing Pad

吉致电子深耕半导体抛光耗材领域,始终以技术创新为核心,致力于为客户提供更优质、更高效的抛光解决方案。

从纳米级精度到超低缺陷,从长效稳定到多场景适配,吉致电子阻尼布精抛垫重新定义CMP精抛工艺标准,助力国内半导体企业突破尖端制程瓶颈,抢占高端制造制高点!

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