吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

国产替代｜吉致电子硅片CMP抛光液Slurry

一、CMP抛光技术：半导体制造的关键工艺化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半导体硅片制造的核心工艺之一，直接影响芯片性能与良率。在硅片加工过程中，CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现原子级表面平坦化（粗糙度<0.2nm），满足先进制程对晶圆表面超洁净、超平整的要求。吉致电子CMP抛光液的三大核心作用①高效抛光：纳米级磨料（如胶体SiO2）精准去除表面凸起，提升硅片平整度，减少微划痕。②润滑保护：特殊添加剂降低摩擦系数（<0.05），减少

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吉致电子：金刚石悬浮液的作用及功效（CMP抛光专用）

在半导体制造、精密光学、硬质合金加工等领域，材料表面的超精密抛光直接决定了产品的性能与可靠性。吉致电子凭借先进的研发实力和成熟的工艺技术，推出高性能金刚石抛光液/研磨液系列产品，为高硬度材料提供高效、稳定的抛光解决方案。吉致电子金刚石悬浮液产品（研磨液/抛光液）可满足不同抛光需求，根据材料特性和工艺要求分为以下几类：1. 按晶体结构分类单晶金刚石抛光液：晶体结构单一，切削力均匀，适合高精度表面抛光，减少亚表面损伤。多晶金刚石抛光液：由多向晶粒组成，材料去除率高，适用于高效粗抛和中抛。类多晶金刚石抛光液：兼具单晶和多

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3C产品镜面抛光解决方案：无麻点SiO2氧化硅抛光液

为什么3C产品镜面抛光首选CMP而非电解抛光？在3C行业（手机、笔记本、智能穿戴等），电解抛光因易导致边缘过蚀、材料限制等问题，逐渐被CMP（化学机械抛光）取代。吉致电子通过纳米级SiO?抛光液的机械-化学协同作用，可实现：①纳米级精度：表面粗糙度Ra＜2nm，满足光学级镜面要求②复杂结构适配：适用于铝合金中框、不锈钢按键等异形件③效率提升：较传统工艺缩短30%工时二氧化硅抛光液麻点问题深度解析客户反馈的麻点问题多源于：硅溶胶腐蚀：低纯度浆料中的Na?、Cl?引发金属电化学腐蚀工艺缺陷：前道粗抛残留划痕＞0.1μm

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Fujibo抛光垫国产替代挑战与吉致电子解决方案

Fujibo（日本富士纺）是知名的抛光垫制造商，其产品广泛应用于半导体、液晶显示器（LCD）、硬盘（HDD）蓝宝石衬底等精密加工领域。Fujibo抛光垫因其高精度抛光、均匀性、耐磨性好等特点，长期以来占据市场主导地位，但随着国内技术的突破和产业链的完善，国产抛光垫正逐步实现对进口产品的替代。吉致电子作为国内经验丰富的电子行业CMP抛光材料供应商，致力于为客户提供高性价比的国产抛光垫解决方案，助力企业降本增效，保障供应链安全。国产抛光垫替代Fujibo的五大优势1. 显著降低成本，提升竞争力国产抛光垫价格比Fujib

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吉致电子：半导体陶瓷CMP工艺抛光耗材解析

在半导体陶瓷的化学机械抛光（CMP）工艺中，吉致电子（JEEZ Electronics）作为国产CMP耗材供应商，其抛光液（Slurry）和抛光垫（Polishing Pad）等产品可应用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是结合吉致电子的技术特点，半导体陶瓷CMP中的潜在应用方案：吉致电子CMP抛光液在半导体陶瓷中的应用半导体陶瓷CMP研磨抛光浆料特性与适配性CMP Slurry磨料类型：纳米氧化硅（SiO2）浆料：适用于SiC、GaN等硬质陶瓷，通过表面氧化反应（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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先进制程下的CMP挑战：无纺布抛光垫技术演进与实践

在化学机械平面化（CMP）工艺中，无纺布抛光垫是一种关键组件，其作用主要体现在以下几个方面：1. 表面平整化•机械研磨作用：复合无纺布抛光垫的纤维结构具有一定的弹性与刚性，能够承载研磨颗粒（如二氧化硅、氧化铝等），在压力下与晶圆表面接触，通过相对运动实现材料的均匀去除。•微观形貌调控：垫子的多孔结构和纤维分布有助于分散局部压力，减少划伤，促进全局平坦化。2. 研磨浆料的输送与分布•储存与释放浆料：无纺布的多孔特性可吸附并均匀释放化学研磨浆料（包含腐蚀性化学试剂和磨料），确保浆料持续供给

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碳化硅抛光垫选型指南：4道工序如何匹配CMP解决方案？

在碳化硅衬底的研磨和抛光工艺中，抛光垫的选择需根据工序特性（粗磨、精磨、粗抛、精抛）匹配不同性能的抛光垫。以下是关键要点及吉致电子产品的适配方案：碳化硅抛光垫选型要点一、碳化硅衬底粗磨阶段需求：高材料去除率、强耐磨性。推荐：高硬度复合无纺布抛光垫JZ-1020，压纹/开槽设计增强研磨液流动性，避免碎屑堆积。二、碳化硅衬底精磨阶段需求：平衡表面平整度与中等去除率。推荐：中硬度抛光垫，特殊纤维结构提升表面一致性，减少亚表面损伤。碳化硅SiC衬底 研磨垫（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅衬底粗抛阶段需求：过渡到低表面

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Template无蜡吸附垫在半导体CMP中的应用

在硅片抛光（尤其是化学机械抛光CMP）工艺中，无蜡吸附垫（Wax-free Adhesive Pad）相比传统蜡粘接方式具有显著优势，主要体现在工艺性能、缺陷控制、生产效率和环保合规等方面。吉致电子半导体行业晶圆、衬底、硅片专用无蜡吸附垫Template凭借五大核心优势，为半导体芯片生产带来革新体验。?①无蜡吸附垫:消除蜡污染，提升晶圆洁净度传统蜡粘接方式固定工件晶圆易造成蜡渍扩散、杂质吸附，干扰光刻、刻蚀等精密工序。吉致电子无蜡吸附垫 template 从源头杜绝蜡质污染，为晶圆打造纯净加工环境，有效降低芯片不良

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钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

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先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展

化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可

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吉致电子LED蓝宝石衬底研磨抛光CMP工艺方案

蓝宝石（α-Al2O3）因其高硬度、优异的化学稳定性和良好的光学性能，成为LED芯片制造的主流衬底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工过程极具挑战性。吉致电子凭借CMP的研磨抛光技术，确保蓝宝石衬底表面达到纳米级平整度，为高性能LED外延生长奠定基础。本文将详细介绍蓝宝石衬底的研磨抛光工艺及其技术优势。1. 蓝宝石衬底的特性与加工挑战材料特性：单晶结构，高透光率（80%以上），耐高温、耐腐蚀。加工难点：硬度高，传统机械加工效率低且易产生损伤。表面要求极高（Ra＜0.5nm），否则影响外延层质量。晶向（如c面

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吉致电子TSV铜化学机械抛光液：助力3D先进封装技术突破

在半导体技术飞速发展的当下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技术）作为前沿的芯片互连技术，正深刻变革着芯片与芯片、晶圆与晶圆之间的连接方式。它通过在芯片及晶圆间构建垂直导通的微孔，并填充铜、钨等导电材料，实现了三维堆叠封装中的垂直电气互连。作为线键合（Wire Bonding）、TAB 和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术，TSV 技术凭借缩短的互联长度，大幅降低信号延迟与功耗，显著提升数据传输速率和集成密度，已然成为高性能计算、5G 通信、人工智能等前沿领域不可或缺的核心支撑。TSV技术的

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蓝宝石衬底CMP抛光新视野：氧化铝与氧化硅的多元应用

在蓝宝石衬底的化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光材料的选择直接关系到抛光效果和生产效率。氧化铝和氧化硅作为两种常用的抛光磨料，以其独特的性能优势，在该领域发挥着不可替代的作用。吉致电子凭借深厚的行业积累，为您深入剖析这两种材料在蓝宝石衬底 CMP 抛光中的特性与应用。氧化铝在抛光中的特性硬度匹配优势α-氧化铝的硬度与蓝宝石极为接近，这一特性在抛光过程中具有关键意义。理论上，相近的硬度可能会增加划伤蓝宝石表面的风险，但在实际应用中，只要确保氧化铝磨料的颗粒形状规则、粒径分布均匀，就能有效避免划伤。在抛光压力作用下，凭

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氧化铝悬浮液在化学机械抛光（CMP）中的应用与优化

化学机械抛光（CMP）是半导体制造、光学玻璃加工和集成电路生产中的关键工艺，而氧化铝悬浮液因其优异的机械磨削性能和化学可控性，成为CMP工艺的核心材料之一。吉致电子（JEEZ Electronics）作为CMP半导体精密电子材料供应商，致力于为客户提供高性能的氧化铝CMP悬浮液解决方案。本文将详细介绍氧化铝CMP悬浮液的关键特性、配方优化及行业应用。1. 氧化铝CMP悬浮液的核心要求在CMP工艺中，氧化铝悬浮液（氧化铝研磨液/抛光液）需满足以下关键指标，以确保高抛光效率、低表面损伤和长期稳定性：性能指标要求颗粒粒径

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硅片抛光液（Slurry）在半导体制造中的关键作用与技术特性

在半导体制造工艺中，硅片的全局平坦化是确保集成电路性能与可靠性的关键步骤。化学机械抛光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技术通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现硅片表面的纳米级平整，而硅片抛光液（Slurry）作为CMP工艺的核心耗材，其性能直接影响抛光效率与表面质量。吉致电子（Geeze Electronics）作为半导体材料领域的领先供应商，致力于提供高性能硅片抛光液解决方案，助力先进制程的发展。1. 硅片抛光液的核心组成硅片抛光液是一种精密配制的胶体悬浮液，主要

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吉致电子半导体CMP抛光液Slurry解析

在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤，而抛光液（Slurry）的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺，对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商，吉致电子持续优化抛光液技术，助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒：SiO?（二氧化硅）：广泛用于氧化物抛光，具有高

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比钻石更硬核！揭秘吉致电子单晶金刚石研磨液密码

在半导体、光学元件、精密模具等高端制造领域，材料的超精密加工对表面质量的要求近乎苛刻。传统的研磨抛光技术难以满足纳米级精度需求，而单晶金刚石研磨液凭借其超高的硬度、稳定的切削性能和优异的表面处理能力，成为超精密加工的核心耗材。吉致电子作为精密研磨材料的领先供应商，提供高纯度、高一致性的单晶金刚石研磨液，助力客户突破加工极限。1. 单晶金刚石研磨液的核心组成单晶金刚石研磨液是一种由高纯度单晶金刚石微粉、分散剂、稳定剂和液体载体（去离子水或油基）组成的精密抛光材料。其核心优势在于：单晶金刚石微粉：莫氏硬度10，是目前自

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行业聚焦：硅片CMP研磨抛光液，如何重塑芯片制造格局

在半导体制造的前沿领域，Si硅片CMP研磨抛光液占据着举足轻重的地位，是实现芯片制造精度与性能突破的关键要素。抛光液（CMP Slurry）、抛光垫（CMP Pad）作为硅片化学机械抛光（CMP）工艺的核心耗材，为构建微观世界的精密电路网络奠定了基石。一、核心构成，协同增效硅片 CMP 研磨抛光液是一个精心调配的多元体系，每一组分都各司其职，协同作用，共同塑造卓越的抛光效果。精密磨料，微米级雕琢：体系中搭载了纳米级的二氧化硅、氧化铝或氧化铈等磨料颗粒。

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吉致电子：Oxide抛光液的核心作用与应用解析

氧化层抛光液（OX slurry）是一种专为半导体制造、金属加工及精密光学元件等领域设计的高性能化学机械抛光（CMP）材料。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，精准去除材料表面的氧化层、瑕疵及微观不平整，从而实现高平整度、低缺陷率的抛光效果。该技术贯穿芯片 “从砂到芯” 的全流程，是集成电路制造中晶圆平坦化工艺的关键材料。吉致电子氧化层抛光液的功能与优势如下：一、吉致电子CMP氧化层抛光液的核心功能1.精准表面处理通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，定向去除材料表面氧化层、瑕疵及微观不

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吉致电子解析：磷化铟衬底怎么抛光研磨

磷化铟（InP）作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的典型代表，凭借其高电子迁移率、宽禁带宽度和良好的光电性能，在光通信器件、激光器和探测器等领域占据关键地位。其精密加工要求严苛，尤其是表面粗糙度需达到纳米级（Ra < 0.1nm），传统机械研磨易导致晶格损伤，化学机械抛光（CMP）技术则成为实现原子级平整表面的核心工艺。吉致电子将系统介绍InP磷化铟衬底CMP抛光从粗磨到精抛的流程及控制要点。一、Inp磷化铟抛光准备工作材料：准备好磷化铟工件，确保其表面无明显损伤、杂质。同时准备吉致电子CMP研磨垫，如聚氨酯抛光垫，其

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