吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

Template无蜡吸附垫在半导体CMP中的应用

在硅片抛光（尤其是化学机械抛光CMP）工艺中，无蜡吸附垫（Wax-free Adhesive Pad）相比传统蜡粘接方式具有显著优势，主要体现在工艺性能、缺陷控制、生产效率和环保合规等方面。吉致电子半导体行业晶圆、衬底、硅片专用无蜡吸附垫Template凭借五大核心优势，为半导体芯片生产带来革新体验。?①无蜡吸附垫:消除蜡污染，提升晶圆洁净度传统蜡粘接方式固定工件晶圆易造成蜡渍扩散、杂质吸附，干扰光刻、刻蚀等精密工序。吉致电子无蜡吸附垫 template 从源头杜绝蜡质污染，为晶圆打造纯净加工环境，有效降低芯片不良

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钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

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先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展

化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可

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吉致电子LED蓝宝石衬底研磨抛光CMP工艺方案

蓝宝石（α-Al2O3）因其高硬度、优异的化学稳定性和良好的光学性能，成为LED芯片制造的主流衬底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工过程极具挑战性。吉致电子凭借CMP的研磨抛光技术，确保蓝宝石衬底表面达到纳米级平整度，为高性能LED外延生长奠定基础。本文将详细介绍蓝宝石衬底的研磨抛光工艺及其技术优势。1. 蓝宝石衬底的特性与加工挑战材料特性：单晶结构，高透光率（80%以上），耐高温、耐腐蚀。加工难点：硬度高，传统机械加工效率低且易产生损伤。表面要求极高（Ra＜0.5nm），否则影响外延层质量。晶向（如c面

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吉致电子TSV铜化学机械抛光液：助力3D先进封装技术突破

在半导体技术飞速发展的当下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技术）作为前沿的芯片互连技术，正深刻变革着芯片与芯片、晶圆与晶圆之间的连接方式。它通过在芯片及晶圆间构建垂直导通的微孔，并填充铜、钨等导电材料，实现了三维堆叠封装中的垂直电气互连。作为线键合（Wire Bonding）、TAB 和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术，TSV 技术凭借缩短的互联长度，大幅降低信号延迟与功耗，显著提升数据传输速率和集成密度，已然成为高性能计算、5G 通信、人工智能等前沿领域不可或缺的核心支撑。TSV技术的

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蓝宝石衬底CMP抛光新视野：氧化铝与氧化硅的多元应用

在蓝宝石衬底的化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光材料的选择直接关系到抛光效果和生产效率。氧化铝和氧化硅作为两种常用的抛光磨料，以其独特的性能优势，在该领域发挥着不可替代的作用。吉致电子凭借深厚的行业积累，为您深入剖析这两种材料在蓝宝石衬底 CMP 抛光中的特性与应用。氧化铝在抛光中的特性硬度匹配优势α-氧化铝的硬度与蓝宝石极为接近，这一特性在抛光过程中具有关键意义。理论上，相近的硬度可能会增加划伤蓝宝石表面的风险，但在实际应用中，只要确保氧化铝磨料的颗粒形状规则、粒径分布均匀，就能有效避免划伤。在抛光压力作用下，凭

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氧化铝悬浮液在化学机械抛光（CMP）中的应用与优化

化学机械抛光（CMP）是半导体制造、光学玻璃加工和集成电路生产中的关键工艺，而氧化铝悬浮液因其优异的机械磨削性能和化学可控性，成为CMP工艺的核心材料之一。吉致电子（JEEZ Electronics）作为CMP半导体精密电子材料供应商，致力于为客户提供高性能的氧化铝CMP悬浮液解决方案。本文将详细介绍氧化铝CMP悬浮液的关键特性、配方优化及行业应用。1. 氧化铝CMP悬浮液的核心要求在CMP工艺中，氧化铝悬浮液（氧化铝研磨液/抛光液）需满足以下关键指标，以确保高抛光效率、低表面损伤和长期稳定性：性能指标要求颗粒粒径

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硅片抛光液（Slurry）在半导体制造中的关键作用与技术特性

在半导体制造工艺中，硅片的全局平坦化是确保集成电路性能与可靠性的关键步骤。化学机械抛光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技术通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现硅片表面的纳米级平整，而硅片抛光液（Slurry）作为CMP工艺的核心耗材，其性能直接影响抛光效率与表面质量。吉致电子（Geeze Electronics）作为半导体材料领域的领先供应商，致力于提供高性能硅片抛光液解决方案，助力先进制程的发展。1. 硅片抛光液的核心组成硅片抛光液是一种精密配制的胶体悬浮液，主要

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吉致电子：半导体CMP抛光液Slurry解析

在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤，而抛光液（Slurry）的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺，对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商，吉致电子持续优化抛光液技术，助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒：SiO?（二氧化硅）：广泛用于氧化物抛光，具有高

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比钻石更硬核！揭秘吉致电子单晶金刚石研磨液密码

在半导体、光学元件、精密模具等高端制造领域，材料的超精密加工对表面质量的要求近乎苛刻。传统的研磨抛光技术难以满足纳米级精度需求，而单晶金刚石研磨液凭借其超高的硬度、稳定的切削性能和优异的表面处理能力，成为超精密加工的核心耗材。吉致电子作为精密研磨材料的领先供应商，提供高纯度、高一致性的单晶金刚石研磨液，助力客户突破加工极限。1. 单晶金刚石研磨液的核心组成单晶金刚石研磨液是一种由高纯度单晶金刚石微粉、分散剂、稳定剂和液体载体（去离子水或油基）组成的精密抛光材料。其核心优势在于：单晶金刚石微粉：莫氏硬度10，是目前自

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行业聚焦：硅片CMP研磨抛光液，如何重塑芯片制造格局

在半导体制造的前沿领域，Si硅片CMP研磨抛光液占据着举足轻重的地位，是实现芯片制造精度与性能突破的关键要素。抛光液（CMP Slurry）、抛光垫（CMP Pad）作为硅片化学机械抛光（CMP）工艺的核心耗材，为构建微观世界的精密电路网络奠定了基石。一、核心构成，协同增效硅片 CMP 研磨抛光液是一个精心调配的多元体系，每一组分都各司其职，协同作用，共同塑造卓越的抛光效果。精密磨料，微米级雕琢：体系中搭载了纳米级的二氧化硅、氧化铝或氧化铈等磨料颗粒。

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吉致电子：Oxide抛光液的核心作用与应用解析

氧化层抛光液（OX slurry）是一种专为半导体制造、金属加工及精密光学元件等领域设计的高性能化学机械抛光（CMP）材料。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，精准去除材料表面的氧化层、瑕疵及微观不平整，从而实现高平整度、低缺陷率的抛光效果。该技术贯穿芯片 “从砂到芯” 的全流程，是集成电路制造中晶圆平坦化工艺的关键材料。吉致电子氧化层抛光液的功能与优势如下：一、吉致电子CMP氧化层抛光液的核心功能1.精准表面处理通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，定向去除材料表面氧化层、瑕疵及微观不

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吉致电子解析：磷化铟衬底怎么抛光研磨

磷化铟（InP）作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的典型代表，凭借其高电子迁移率、宽禁带宽度和良好的光电性能，在光通信器件、激光器和探测器等领域占据关键地位。其精密加工要求严苛，尤其是表面粗糙度需达到纳米级（Ra < 0.1nm），传统机械研磨易导致晶格损伤，化学机械抛光（CMP）技术则成为实现原子级平整表面的核心工艺。吉致电子将系统介绍InP磷化铟衬底CMP抛光从粗磨到精抛的流程及控制要点。一、Inp磷化铟抛光准备工作材料：准备好磷化铟工件，确保其表面无明显损伤、杂质。同时准备吉致电子CMP研磨垫，如聚氨酯抛光垫，其

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吉致电子：氧化铈抛光液在CMP应用中的3个特性

在精密制造领域，化学机械抛光（CMP）工艺的重要性不言而喻，而高品质抛光液是其关键。纳米氧化铈（CeO2）因其特性，氧化铈抛光液在半导体领域、光学领域、晶圆硅片蓝宝石衬底材料中的多元应用，赋能多领域发展助力半导体产业升级。吉致电子作为CMP工艺耗材厂家，研发生产的氧化铈抛光液选用氧化铈微粉与高纯纳米氧化铈作磨料，粒径可按客户需求定制。氧化铈纯度高，切削力强，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均匀，长期储存不易沉淀，确保抛光性能稳定，为精密作业筑牢根基。氧化铈抛光液在CMP工艺中的优良性能主要体现在三个方面：①高硬度与

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吉致电子科普时间：半导体制造中晶圆和衬底的不同应用场景

在半导体制造领域，衬底和晶圆因自身特性不同，有着截然不同的应用场景。衬底作为半导体器件的基础支撑材料，主要应用于早期工艺环节。在集成电路制造中，它是后续外延生长、薄膜沉积等工艺的起始平台。比如在生产硅基半导体时，硅衬底为生长高质量的外延层提供稳定基底，保证外延层的晶体结构与衬底晶格匹配，从而为晶体管、二极管等器件的构建奠定基础。在光电器件制造方面，如发光二极管（LED），蓝宝石衬底常被使用，它为 LED 芯片的生长提供了合适的晶格结构，有助于实现高效的光电转换。此外，在功率半导体领域，碳化硅衬底因其优良的热导率和电

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磷化铟衬底抛光液与CMP工艺的关联

磷化铟衬底抛光液与化学机械平面研磨工艺（CMP）的关联磷化铟（InP）作为第二代半导体材料的代表，因其优异的电学、光学和热学性能，在高速电子器件、光电子器件和微波器件等领域展现出巨大的应用潜力。然而InP衬底表面的高质量加工是实现高性能器件的关键，其中化学机械平面研磨工艺（CMP）扮演着至关重要的角色。一、 磷化铟衬底为什么使用CMP技术CMP是一种结合化学腐蚀和机械研磨的表面平坦化技术，通过抛光液slurry中的磨料成分与衬底表面发生化学反应，生成一层易于去除的软化层，再借助抛光垫Pad的机械作用将其去除，从而实

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吉致电子给您拜年啦！

亲爱的吉致电子合作伙伴：您好！2025年的春节钟声已经敲响，在这辞旧迎新、阖家团圆的美好时刻，吉致电子科技有限公司全体员工向您及您的家人致以最诚挚、最美好的新春祝福！过去一年，我们一同见证了行业的风云变幻，也共同经历了诸多挑战。但无论市场环境如何复杂，您始终坚定地站在我们身边，与我们并肩前行。这种不离不弃的信任，是我们最为珍视的财富，也是我们持续创新、提升自我的强大动力源泉。值此新春佳节，愿您和您的家人尽享健康之福，身体硬朗，活力满满。家庭生活幸福美满，亲情在欢声笑语中愈发深厚，每天都被温暖与爱意环绕。新的一年，

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碳化硅衬底CMP工艺流程

碳化硅衬底CMP工艺流程如下：准备工作：对碳化硅SiC衬底进行清洗和预处理，去除表面的灰尘、油污等杂质，保证衬底表面洁净。同时，检查CMP抛光设备是否正常运行，调整好吉致电子碳化硅专用抛光垫的平整度和压力等参数。抛光液涂覆：通过自动供液系统，按照一定的流量和频率进行参数调整，确保抛光液在抛光过程中始终充足且均匀分布。CMP抛光过程：将SiC衬底固定在抛光机的承载台/无蜡吸附垫，使其与涵养抛光液的抛光垫接触。抛光机带动衬底和抛光垫做相对运动，在一定的压力和转速下，抛光液中的磨料对碳化硅衬底表面进行机械磨削，同时抛光液

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吉致电子2025年春节放假通知

尊敬的吉致电子合作伙伴：您好！旧岁已展千重锦，新年再进百尺竿。在这辞旧迎新的美好时刻，无锡吉致电子科技有限公司全体员工向您及您的家人致以最诚挚的新春祝福，感谢您一直以来对我们的支持与信任，您的认可与信赖是我们不断前行的动力。回首过去一年，我们共同经历了诸多挑战，也一同收获了成长与进步。我们深知，每一次突破与成就，都离不开您的坚定支持。您的宝贵建议，让我们的产品和服务不断完善，得以更精准地满足您的需求。在此，我们向您表达最衷心的感谢。现将我司 2025年春节放假时间安排告知如下：放假时间为 2025 年 1 月&nb

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吉致电子--Apple Logo 无蜡吸附垫

无蜡吸附垫苹果logo研磨抛光垫是一种专为Apple logo研磨抛光设计的工具，其无蜡构造确保了高效稳定、无残留的CMP抛光效果，使用方便降低logo工件损耗率。吉致电子无蜡吸附垫Template主要特点无蜡构造：采用无蜡材料，有效降低抛光过程中残留物的产生，从而提升抛光品质。高精度研磨：能够实现精准的研磨和抛光作业，确保苹果logo的细节和清晰度得到完美呈现。卓越耐磨性：选用高品质材料，耐磨性强，显著延长了产品的使用寿命。环保安全：无蜡设计减少了对环境和操作人员的潜在影响。logo专用无蜡吸附垫应用范围logo

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