吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺

 碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。 根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。  碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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国际第三代半导体年度盛会--吉致电子半导体抛光耗材受关注

  吉致电子受邀出席第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA），斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，获得该奖项是对吉致电子在半导体照明产业领域出色表现的高度认可。  后摩尔时代，发展正当时的第三代半导体产业迎来发展机遇。半导体业继往开来进入新的发展阶段，论坛期间氛围热烈，学术报告、行业

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圣诞仪式感拉满，吉致电子祝您幸福平安！

吉致电子科技“拍了拍你”！嗨，亲爱的吉致伙伴们：May you have the best Christmas ever愿你度过最美好的圣诞节！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣诞快乐。祝大家：平安喜乐，万事顺遂。“诞”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永远开心快乐，希望快乐不止圣诞！

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吉致电子应邀出席半导体国际论坛并斩获奖牌

  2023年11月28日第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门开幕。IFWS&SSLCHINA是中国地区举办的、专业性最强、影响力最大的第三代半导体领域国际性年度盛会，也是规模最大、规格最高的第三代半导体全产业链综合性论坛。  吉致电子受邀出席大会，斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，

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金属钼片的CMP抛光工艺

  工厂的钼片加工工艺采用粗磨、双端面立磨等研磨工艺，粗磨的合格率仅在85％左右，整体平行度不良居多，造成产品合格率下降，也造成后续加工难度，这与金属钼的特性有关，目前钼片采用CMP抛光工艺（抛光液+抛光垫）能达到镜面效果。  钼的特点：钼是一种难溶金属，具有很多优良的物力化学和机械性能。由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度均非常高。它的膨胀系数低，导电率大，导热性好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。&

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吉致电子氮化铝陶瓷基片抛光

氮化铝陶瓷基板具有高导热率、低介电常数、低热膨胀系数、高机械强度、高耐腐蚀性等特点。其作为电路元件及互连线承载体，广泛应用再军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、半导体电子设备、汽车等各个领域。氮化铝陶瓷经过CMP抛光后可用于半导体激光器、固体继电器、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。吉致电子氮化铝陶瓷抛光液可达镜面效果，特点如下：1、纳米级抛光液，抛光后具有较优的粗糙度2、陶瓷基片抛光液绿色无污染、不含卤素及重金属元素3、抛光液可循环使用，根据工艺要求可添加去离子水稀释氮化铝陶瓷基板通过CMP

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吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用

   抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。  通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC

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半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液

  抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。  吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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吉致电子--单晶金刚石研磨液的用途

  吉致电子单晶金刚石研磨液是由单晶金刚石微粉、水/油等液体配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和抛光效率。单晶金刚石硬度大、抗磨损性能好，具有良好的导热性能和耐高温性能，能够在高温高压环境下保持稳定的物理和化学性质。  吉致电子生产的单晶金刚石研磨液 / 单晶金刚石抛光液 / 单晶金刚石悬浮液产品可广泛应用于半导体、集成电路、光学仪器，精密陶瓷，硬质合金，LED显示屏等多种领域。溶剂一般分为水基，油基，润滑基，酒精基。金刚石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片抛光---吉致碳酸钙抛光液

生物基因芯片抛光该选择什么类型的研磨液/抛光液呢？通常CMP抛光液磨料为氧化硅、氧化铝、金刚石、氧化铈等，但用于基因芯片玻璃基底水凝层的去除效果不太理想。经过吉致电子研发和实验，配制的碳酸抛光液可有效抛光生物基因芯片达到理想的平坦度。吉致电子基因芯片抛光液 DNA Slurry选用微米级磨料，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝胶、纳米压印、抗蚀剂材料等。通过CMP工艺可有效去除基底涂层，对基底无划伤无残留，吉致电子碳酸钙抛光液、DNA芯片抛光液与国内外同类产品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致电子--磨具抛光液 配油盘加工抛光

金属模具研磨抛光---配油盘由强度较高的模具钢制成，一般研磨工艺很难达到抛光效果，即使有效抛磨时间也非常漫长。吉致电子使用CMP工艺研磨液和抛光垫结合，通过不同磨料制备的液体，快速去除工件表面凹凸不平坦，达到平整光滑的效果。硬质金属抛光研磨使用金刚石研磨液，实现平面快速抛光，去毛刺和划痕。吉致电子金刚石研磨液包括多晶、单晶、纳米三种不同类型的抛光液，由优质的金刚石微粉复合分散剂和分散介质组成，配方多样化，适用不同的研抛过程和于硬质材料的研磨和抛光。本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转

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吉致电子 Diamond slurry多晶金刚石研磨液

吉致电子多晶金刚石研磨液---由优质多晶金刚石微粉复合分散剂和分散介质制备而成，广泛适用于半导体行业、金属行业、光电行业等工件的研磨加工。金刚石研磨液主要应用领域：蓝宝石加工----用于蓝宝石A向、C向、R向、M向，蓝宝石LED衬底、蓝宝石盖板、蓝宝石窗口片。半导体加工----单晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化镓晶圆片加工陶瓷材料加工--氧化锆指纹识别片，氧化锆陶瓷手机后壳，氮化铝陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光学晶体加工--硒化锌晶体、硫化锌晶体以及其他晶体材料加工。金属材料加工--不锈钢、铝合金、硬质合金、钨钼合金以

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吉致电子---常见的半导体研磨液有哪些

  吉致电子半导体研磨液有哪些？常见的CMP研磨液有氧化铝研磨液，金刚石研磨液，蓝宝石研磨液。分别用于磨削工件、半导体制程、光学玻璃晶圆等工件加工。  其中金刚石研磨液，它的硬度非常高，性能稳定切削力强，被广泛应用于led工业、半导体产业、光学玻璃和宝石加工业、机械加工业等不同行业中。研磨液是半导体加工生产过程中的一项非常重要工艺，它主要是通过CMP研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工，达到平坦度。研磨液是影响半导体表面工作质量的重要经济因素。吉致电子用经验和技术服务每一位客户，有CMP

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第三代半导体材料--碳化硅晶圆SiC抛光液

  随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起。  碳化硅是新型电力系统，特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料，同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”。从国际技术发展水平来看，碳化硅方面，8英寸衬底开始产业化，车规级功率器件是当前开发重点，多家厂商已推出大功率模组及高温封装产品，碳化硅器件正向耐受更高电压

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吉致电子手机取卡针抛光液

  吉致电子手机液态金属抛光液，手机取卡针抛光液，研磨抛光浆料为粗抛、中抛、精抛浆料悬浮性好，特点是不易沉淀、不结晶、不腐蚀机台，易于清洗。  适用于3C电子产品，手机电子元器件、液态金属、喇叭网听筒/手机音量键、碳素钢抛光液可以迅速去除CNC刀纹、底纹等，抛光后无划伤、橘皮、坑点、针眼等缺陷不含重金属以及有害物质、环保无危害，可接触皮肤。  产品运用抛光液中的CMP化学机械作用，提高抛光速率改善抛光表面的质量颗粒粒径分布适中，最大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率颗粒分散性好，有

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CMP抛光液---纳米氧化铈抛光液的优点

  通常化学机械研磨抛光工艺使用的CMP抛光液有金刚石抛光液、氧化硅抛光液、氧化铝抛光液及氧化铈抛光液（又称稀土抛光液）。  纳米氧化铈为水性液体是吉致电子采用先进的分散工艺，将纳米氧化铈粉体分散在水相介质中，形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米氧化铈水性悬浮液。1.在抛光材料应用中，纳米CeO2抛光液相对硅溶胶，具有抛光划伤少、抛光速度快、易清洗良品率高等优势，且PH中性，使用寿命长、对抛光表面污染小，不易风干。2.在抛光军用红外激光硅片、异型硅、超薄硅片方面上，尤其是抛光超薄硅片，纳米氧化铈

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吉致电子常见的CMP研磨液

  CMP 化学机械抛光液slurry的主要成分包括：磨料、添加剂和分散液。添加剂的种类根据产品适用场景也有所不同，分金属抛光液和非金属抛光液。金属CMP抛光液含：金属络合剂、腐蚀抑制剂等。非金属CMP抛光液含：各种调节去除速率和选择比的添加剂。  根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中，铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm 及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线；硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。吉致电子常见的CMP研

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2023吉致电子春节放假通知

尊敬的客户:新春伊始，万象更新，值此春节到来之际，无锡吉致电子科技有限公司全体员工感谢您长期以来对我司的支持与厚爱!向您致以最诚挚的祝福和问候!一路走来，有您相伴，因为您的支持，我们信心百倍！因为您的合作，我们硕果累累！因为您的指导，我们不断进步！因为您的呵护，我们心存感激！吉致电子科技有限公司期待与您携手共进，共同创造一个共赢辉煌的2023年，在新的一年里，我司会持续为您提供更优质的服务!公司春节放假时间具体安排如下:放假时间: 2023年1月14日--1月28日  开工时间：2023年1月29日因放假

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硅溶胶研磨液--精密工件镜面抛光效果秘密

  吉致电子硅溶胶研磨液/抛光液采用的是纳米级工艺，主要粒径在10-150nm。适用于各种材质工件的CMP表面镜面处理。以硅溶胶浆料为镜面的平面研磨的材料有半导体晶圆、光学玻璃、3C电子金属元件、蓝宝石衬底、LED显示屏等高精密元件。  硅溶胶抛光液也称二氧化硅抛光液、氧化硅精抛液，SiO2是硅溶胶的化学名，适用范围已扩展到半导体产品的CMP抛光工艺中。  CMP抛光机可以将氧化硅研磨液循环引入磨盘，同时起到润滑和冷却的作用，通过抛光液和抛光垫组合抛磨可以使工件表面粗糙度达到0.2um

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吉致电子Slurry抛光浆料--阻挡层抛光液

  目前，超大规模集成电路芯片的集成度已经达到了数十亿个元件，特征尺寸已经达到了纳米级，这就需要微电子技术中的数百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质等必须通过CMP化学机械技术，抛光液和抛光垫磨抛达到平坦化。VLSI布线正从传统的铝布线工艺向铜布线工艺转变。  铜材质具有快速迁移的特性，容易通过介质层扩散，导致相邻铜线之间漏电，进而导致器件特性失效。一般在沉积铜之前，在介质衬底上沉积扩散阻挡层，工业上已经广泛使用的阻挡层材料是tan/ta。  化学抛光(CMP)技术slurry抛光浆料

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