铌酸锂晶体抛光，用吉致电子CMP铌酸锂抛光液是有效方法

 铌酸锂晶体(分子式 LiNbO₃简称 LN)是一种具有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，是目前公认为光电子时代"光学硅"的主要候选材料之一。它在超声器件、光开关、光通讯调制器、二次谐波发生和光参量振荡器等方面获得广泛应用。

  铌酸锂晶片的加工质量和精度直接影响其器件的性能，因此铌酸锂的应用要求晶片表面超光滑、无缺陷、无变质层。目前,有关铌酸锂晶片的加工特性及其超光滑表面加工技术的研究较少，铌酸锂产品的开发和应用因此受到制约。因此，开展铌酸锂晶片超光滑无损伤表面抛光加工技术研究，对于开发大直径铌酸锂晶片，进一步提高硬脆材料精密与超精密加工水平，促进我国光电子产业的发展有着深远的意义。

  化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及抛光液的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦表面。CMP技术综合化学和机械两方面的特性,既能消除材料表面前加工导致的损伤层,又能够较好地实现表面全局平坦化，现已成为半导体加工行业的主导技术。研究表明,化学机械抛光是获得高质量铌酸锂加工表面的有效方法。

 吉致电子铌酸锂抛光液与抛光垫搭配使用，通过调节CMP机台抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响，获得光滑的铌酸锂晶片高平坦表面。

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