碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。

  化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。

  吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研磨垫/抛光垫产品，组合搭配在碳化硅晶圆的研磨/精抛过程中。多年来，碳化硅衬底研磨液的配方一直是广泛研究的主题，吉致电子抛光液配方的创新和改良仍在继续。在客户的实际使用中吉致的抛光浆料与抛光垫、垫调节工艺和晶圆模板或载体薄膜相结合，在CMP 耗材上做技术提升，推动 SiC 晶圆抛光耗材和工艺创新解决方案。

  碳化硅衬底制造的下一个主要过程是使用含有金刚石的研磨液和研磨片对晶圆进行机械研磨。典型工艺在双面、单面或双面和单面研磨工具的组合上进行。吉致电子的工艺解决方案，通过将合适的研磨片和研磨液与安装的工具相结合，在材料去除率、晶圆形状和表面质量方面为客户提供最大的工艺性能。通过金刚石机械研磨加工碳化硅晶圆方面的丰富经验可用于最大限度地提高加工效率。关注吉致电子，了解碳化硅CMP工艺最新解决方案。

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