抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。

  通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC表面加工工序中非常关键的一个环节。其中化学机械抛光（CMP）技术是目前实现SiC晶片全局平坦化最有效的方法。CMP是通过化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现工件表面材料去除及平坦化的过程。

  吉致电子碳化硅抛光液的质量对抛光速率及抛光质量有着重要作用，抛光液特点是：

  ①流动性好，易循环，低残留、易清洗；

  ②悬浮性能好，不宜沉淀和结块；

  ③去除率高，不产生表面损伤；

  抛光液通过粗抛、精抛工艺可使SiC表面质量特征参数符合后序加工中的精度要求。

本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转载，转载需附出处及原文链接。http://www.jzdz-wx.com/

无锡吉致电子科技有限公司

联系电话：17706168670

邮编：214000

地址：江苏省无锡市新吴区行创四路19-2