吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

吉致电子：CMP钼金属研磨液，点亮钼材非凡光彩

  无锡吉致电子科技有限公司是CMP研磨液、抛光垫及CMP抛光耗材研发生产厂家，至今已有 20 余年的研发经验。  吉致电子CMP产品广泛应用于金属、光电、集成电路半导体、陶瓷、硬盘面板显示器等材质的表面深度处理，目前已发展为集研发、生产、销售于一体的现代工业科技厂家。目前我司生产的钼金属研磨液适用于平面形态的钼、钼合金工件的镜面抛光，通过  化学机械平面研磨工艺，使钼金属表面快速去粗和平坦化，过程简单来说就是利用抛光设备将钼金属抛光液化学氧化腐蚀钼合金表面，再通过抛光垫外力研磨去除氧

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吉致蓝宝石研磨液--高效研磨与抛光的理想选择

蓝宝石研磨液:高效研磨与抛光的理想选择蓝宝石研磨液，作为一种在精密加工领域中发挥着重要作用的研磨材料，主要用于蓝宝石衬底的研磨和减薄，以实现其表面的高精度和高质量处理。一，组成成分蓝宝石研磨液主要由以下几部分组成:1.优质聚晶金刚石微粉:这是研磨液的核心磨料，具有极高的硬度和耐磨性，能够有效地去除蓝宝石表面的材料，实现高效研磨。聚晶金刚石的独特结构使其在研磨过程中能够保持良好的切削性能，同时减少对工件表面的划伤2.复合分散剂:其作用是确保聚晶金刚石微粉能够均匀地分散在研磨液中，避免颗粒团聚,从而保证研磨液的稳定性和

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吉致电子--共庆2024花好月圆中秋节

  海上生明月，天涯共此时！2024中秋佳节将近，月到中秋分外明，佳节喜气伴你行。人逢喜事精神爽，人月两圆事业成。心宽气顺身体棒，合家幸福享天伦。  无论您在天涯海角，无锡吉致电子科技有限公司全体成员都深深祝褔您，----中秋团圆，幸福美满，佳节快乐!无锡吉致电子科技有限公司https://www.jzdz-wx.com/联系电话：17706168670邮编：214000?地址：江苏省无锡市新吴区新荣路6号

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吉致电子蓝宝石抛光液双面研磨与单面精磨

  蓝宝石衬底的表面平坦加工旨在去除线切产生的线痕、裂纹和残余应力等表面、亚表面损伤层，提升蓝宝石晶片的表面质量，从而达到 LED 芯片制备的表面质量要求。CMP化学机械研磨工艺是解决蓝宝石衬底表面平坦化的有效工艺之一，那么双面研磨与单面精磨工艺是怎样的，研磨抛光耗材该怎么选？  蓝宝石衬底双面研磨可实现上、下两个平面的实时同步加工，有效减小两个平面之间因加工引起的应力应变差，具有较好的表面翘曲度和平整度修正效果;但双面研磨后晶片表面仍然存在着厚度为(0~25)um的表面/亚表面损伤层，而化学机

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吉致电子主要业务及CMP产品有哪些

吉致电子科技有限公司的主要业务及服务行业有：半导体集成电路、金属行业、光电行业、陶瓷行业等。CMP产品包括：抛光液、抛光垫、清洗剂、其他研磨抛光耗材等。吉致电子致力于产品质量严格管控，多年研发经验技术，已为数家百强企业提供抛光解决方案并长期合作。吉致电子CMP抛光液产品主要包括以下系列：半导体集成电路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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铌酸锂晶体怎么抛光？

 铌酸锂晶体抛光，用吉致电子CMP铌酸锂抛光液是有效方法 铌酸锂晶体(分子式 LiNbO3简称 LN)是一种具有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，是目前公认为光电子时代"光学硅"的主要候选材料之一。它在超声器件、光开关、光通讯调制器、二次谐波发生和光参量振荡器等方面获得广泛应用。  铌酸锂晶片的加工质量和精度直接影响其器件的性能，因此铌酸锂的应用要求晶片表面超光滑、无缺陷、无变质层。目前,有关铌酸锂晶片的加工特性及其超光滑表面加工技术的研

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研磨液和抛光液在半导体芯片加工中的应用

  磨削和研磨等磨料处理是半导体芯片加工过程中的一项重要工艺，主要是应用化学研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工，但是研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，保证抛光的一致性、均匀性和外表粗糙度对生产芯片来 说是十分重要的。抛光和研磨在半导体生产中都起到重要性的作用。一、研磨工艺与抛光工艺研磨工艺是运用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，经过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工件表面进行的精整加工。研磨可用于加工各种金属和非金属材料，工件的外形有平面，内、外圆柱面和圆锥面，凸、凹球面，螺纹，齿面及其他型

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蓝宝石研磨液在CMP衬底工件的应用

  蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的减薄和研磨抛光。  蓝宝石研磨液由金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件表面产生划伤。金刚石研磨液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。  吉致电子蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:1.外延片生产前衬底的双面研磨:用于蓝宝石研磨一道或多道工序，根据最终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3

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碳化硅衬底需要CMP吗

  碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。  化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。  吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研

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碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺

 碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。 根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。  碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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国际第三代半导体年度盛会--吉致电子半导体抛光耗材受关注

  吉致电子受邀出席第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA），斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，获得该奖项是对吉致电子在半导体照明产业领域出色表现的高度认可。  后摩尔时代，发展正当时的第三代半导体产业迎来发展机遇。半导体业继往开来进入新的发展阶段，论坛期间氛围热烈，学术报告、行业

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圣诞仪式感拉满，吉致电子祝您幸福平安！

吉致电子科技“拍了拍你”！嗨，亲爱的吉致伙伴们：May you have the best Christmas ever愿你度过最美好的圣诞节！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣诞快乐。祝大家：平安喜乐，万事顺遂。“诞”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永远开心快乐，希望快乐不止圣诞！

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吉致电子应邀出席半导体国际论坛并斩获奖牌

  2023年11月28日第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门开幕。IFWS&SSLCHINA是中国地区举办的、专业性最强、影响力最大的第三代半导体领域国际性年度盛会，也是规模最大、规格最高的第三代半导体全产业链综合性论坛。  吉致电子受邀出席大会，斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，

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金属钼片的CMP抛光工艺

  工厂的钼片加工工艺采用粗磨、双端面立磨等研磨工艺，粗磨的合格率仅在85％左右，整体平行度不良居多，造成产品合格率下降，也造成后续加工难度，这与金属钼的特性有关，目前钼片采用CMP抛光工艺（抛光液+抛光垫）能达到镜面效果。  钼的特点：钼是一种难溶金属，具有很多优良的物力化学和机械性能。由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度均非常高。它的膨胀系数低，导电率大，导热性好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。&

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吉致电子氮化铝陶瓷基片抛光

氮化铝陶瓷基板具有高导热率、低介电常数、低热膨胀系数、高机械强度、高耐腐蚀性等特点。其作为电路元件及互连线承载体，广泛应用再军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、半导体电子设备、汽车等各个领域。氮化铝陶瓷经过CMP抛光后可用于半导体激光器、固体继电器、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。吉致电子氮化铝陶瓷抛光液可达镜面效果，特点如下：1、纳米级抛光液，抛光后具有较优的粗糙度2、陶瓷基片抛光液绿色无污染、不含卤素及重金属元素3、抛光液可循环使用，根据工艺要求可添加去离子水稀释氮化铝陶瓷基板通过CMP

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吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用

   抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。  通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC

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半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液

  抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。  吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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吉致电子--单晶金刚石研磨液的用途

  吉致电子单晶金刚石研磨液是由单晶金刚石微粉、水/油等液体配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和抛光效率。单晶金刚石硬度大、抗磨损性能好，具有良好的导热性能和耐高温性能，能够在高温高压环境下保持稳定的物理和化学性质。  吉致电子生产的单晶金刚石研磨液 / 单晶金刚石抛光液 / 单晶金刚石悬浮液产品可广泛应用于半导体、集成电路、光学仪器，精密陶瓷，硬质合金，LED显示屏等多种领域。溶剂一般分为水基，油基，润滑基，酒精基。金刚石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片抛光---吉致碳酸钙抛光液

生物基因芯片抛光该选择什么类型的研磨液/抛光液呢？通常CMP抛光液磨料为氧化硅、氧化铝、金刚石、氧化铈等，但用于基因芯片玻璃基底水凝层的去除效果不太理想。经过吉致电子研发和实验，配制的碳酸抛光液可有效抛光生物基因芯片达到理想的平坦度。吉致电子基因芯片抛光液 DNA Slurry选用微米级磨料，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝胶、纳米压印、抗蚀剂材料等。通过CMP工艺可有效去除基底涂层，对基底无划伤无残留，吉致电子碳酸钙抛光液、DNA芯片抛光液与国内外同类产品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致电子--磨具抛光液 配油盘加工抛光

金属模具研磨抛光---配油盘由强度较高的模具钢制成，一般研磨工艺很难达到抛光效果，即使有效抛磨时间也非常漫长。吉致电子使用CMP工艺研磨液和抛光垫结合，通过不同磨料制备的液体，快速去除工件表面凹凸不平坦，达到平整光滑的效果。硬质金属抛光研磨使用金刚石研磨液，实现平面快速抛光，去毛刺和划痕。吉致电子金刚石研磨液包括多晶、单晶、纳米三种不同类型的抛光液，由优质的金刚石微粉复合分散剂和分散介质组成，配方多样化，适用不同的研抛过程和于硬质材料的研磨和抛光。本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转

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