蓝宝石衬底的表面平坦加工旨在去除线切产生的线痕、裂纹和残余应力等表面、亚表面损伤层，提升蓝宝石晶片的表面质量，从而达到 LED 芯片制备的表面质量要求。CMP化学机械研磨工艺是解决蓝宝石衬底表面平坦化的有效工艺之一，那么双面研磨与单面精磨工艺是怎样的，研磨抛光耗材该怎么选？

  蓝宝石衬底双面研磨可实现上、下两个平面的实时同步加工，有效减小两个平面之间因加工引起的应力应变差，具有较好的表面翘曲度和平整度修正效果;但双面研磨后晶片表面仍然存在着厚度为(0~25)um的表面/亚表面损伤层，而化学机械抛光(CMP)的材料去除厚度只有(3~5)um显然不能够满足去除双面研磨加工损伤层的要求。

  单面精研磨即铜盘研磨，其加工精度和材料去除厚度介于双面研磨和化学机械抛光两者之间，因此采用单面精研磨作为过渡工艺，对晶片表面做进一步处理，从而满足化学机械抛光对晶片表面前处理的质量要求;晶片经铜盘研磨后，表面损伤层厚度降至数微米，但其内在微观质量仍需进一步提高，采用化学机械粗抛光去除铜盘研磨过程中残留的损伤层;最后通过化学机械精抛光完成晶片超光滑无损伤镜面表面的加工，使晶片表面粗糙度降低至亚纳米级。

  不论是双面研磨亦或是单面精磨，选择精确的CMP研磨耗材是关键。使用吉致电子蓝宝粗抛液、精抛液并搭配不同材质的蓝宝石研磨垫可达到事半功倍的效果。有效提神抛磨速率和良品率，经客户使用数据反馈：吉致电子蓝宝石抛光液速率表现快于竞品液；蓝宝石衬底表面划伤数量少于竞品液；抛光后蓝宝石衬底表面粗糙度优于竞品液。吉致电子为您解决蓝宝石衬底抛光难题！

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