吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

CMP抛光垫的种类及特点

Cmp抛光垫种类可按材质结构主要有：聚合物抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫、复合型抛光垫。①聚合物抛光垫聚合物抛光垫的主要成分是发泡体固化聚氨酯，聚氨酯抛光垫具有抗撕裂强度高、耐磨性强、耐酸碱腐蚀性优异的特点，是最常用的抛光垫材料之一。 图 聚氨酯抛光垫微观结构 在抛光过程中，聚氨酯抛光垫表面微孔可以软化和使抛光垫表面粗糙化，并且能够将磨料颗粒保持在抛光液中，可以实现高效的平坦化加工。聚氨酯抛光垫表面的沟槽有利于抛光残渣的排出。但聚氨酯抛光垫硬度过高，抛光过程中变形小，加工过程中容

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半导体晶圆常见材质有哪些

半导体晶圆常见材质有哪些？晶圆常见的材质包括硅、蓝宝石、氮化硅等。一、硅晶圆硅是目前制造半导体器件的主要材料，因其易加工、价格较低等优良性能被广泛采用。硅晶圆表面光洁度高，可重复性好，在光电子技术、光学等领域有着重要的应用。其制造过程主要包括单晶生长、切片和抛光等工序。二、蓝宝石晶圆蓝宝石（sapphire）是一种高硬度透明晶体，其晶格结构与GaAs、Al2O3等半导体材料相近，尤其因其较大的带隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到广泛应用。此外，蓝宝石的高强度、高抗腐蚀性也使其成为防护材料，如用于

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吉致电子CMP抛光垫的作用

CMP技术是指被抛光材料在化学和机械的共同作用下，工件表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。cmp抛光液中的化学成分与被抛磨工件材料表面进行化学反应，形成易去除的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的机械载荷；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学性能以外，其表面组织

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衬底与晶圆在半导体制造中的应用

  衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料，承载着芯片和器件；而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圆则是衬底的一部分，具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜，而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。 衬底的应用：承载半导体芯片：衬底是半导体芯片的基础，提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。基础层的沉积：在制造过程中，衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积，如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保

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金属互连中的大马士革工艺

 在半导体制程中为了连接不同的电路元件，传递电子信号和为电路元件供电，需要使用导电金属来形成互连结构。铝曾经是半导体行业中用于这些互联结构的主要材料。然而，随着半导体技术的进步和特征尺寸的不断缩小，铜成为了替代选择，那么这个过程是如何演变的呢？  金属互连工艺历史：早期的集成电路使用了金作为互连材料，到60-90年代中期，铝逐渐成为集成电路制造中最主要的互连导线材料。1997年，美国 IBM 公司公布了先进的铜互连技术，标志着铜正式开始替代铝成为高性能集成电路的主要互连材料。 

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蓝宝石激光领域视窗抛光液

  蓝宝石激光领域视窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸从0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的规格制造,包括阶梯边缘、椭圆形边缘望造、孔、槽和楔角。  蓝宝激光领域视窗对快速移动的沙子、盐水和其他颗粒物具有抵抗力,非常适合所有类型的激光武器系统、大功率微波和其他需要极其平坦和坚固的光学技术的应用。  吉致电子蓝宝石激光领域视窗抛光液，具有良好的稳定性，提高蓝宝石视窗片抛光速率的同时保证蓝宝石表面光滑、无缺陷的全局平坦化质量。无锡吉致电子科

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半导体晶圆CMP化学机械研磨抛光的原因

 什么是CMP化学机械研磨抛光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其实为化学与机械研磨（C&MP）的意思，化学作用与机械作用平等。目前CMP已成为半导体制程主流，其重要的原因主要有二：①为了缩小芯片面积，因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线（七层以上），因线宽极细，且需多层堆叠，故光刻制程即为一关键步骤。若晶圆表面凹凸不平，平坦度差，则会影响光刻精确度，因此需以CMP达成晶圆上金属层间之全面平坦化（Global Planarization）。②为了降低元件之电

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SiC碳化硅衬底加工的主要步骤

SiC碳化硅衬底加工的主要分为9个步骤：晶面定向、外圆滚磨、端面磨、线切、倒角、减薄、CMP研磨、CMP抛光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射线衍射法为晶锭定向，当一束 X 射线入射到需要定向的晶面后，通过衍射光束的角度来确定晶面的晶向。2.外圆滚磨：在石墨坩埚中生长的单晶的直径大于标准尺寸，通过外圆滚磨将直径减小到标准尺寸。3.端面磨：SiC 衬底一般有两个定位边，主定位边与副定位边，通过端面磨开出定位边。4.线切割：线切割是碳化硅SiC 衬底加工过程中一道较为重要的工序。线切过程中造成的裂纹损伤、残留的亚表面

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LT钽酸锂晶片的CMP抛光液

钽酸锂LiTaO3作为非线性光学晶体、电光晶体、压电晶体、声光晶体和双折射晶体等在现今以光技术产业为中心的IT 产业中得到了广泛的应用。 晶体材料的结构与其光学性能息息相关，钽酸锂LT晶体是一种优良的多功能材料，具有很高的应用价值。LiTaO3晶体以它的化学性能稳定高（不溶与水），居里点高于600℃，不易出现退极化现象，介电损耗低，探测率优值高的优良特性，成为热释电红外探测器的应用材料。  经过CMP抛光的LT晶片广泛用于谐振器、滤波器、换能器等电子通讯器件的制造，尤其以它良好的机电耦合、温度系数等综合性

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吉致电子主要业务及CMP产品有哪些

吉致电子科技有限公司的主要业务及服务行业有：半导体集成电路、金属行业、光电行业、陶瓷行业等。CMP产品包括：抛光液、抛光垫、清洗剂、其他研磨抛光耗材等。吉致电子致力于产品质量严格管控，多年研发经验技术，已为数家百强企业提供抛光解决方案并长期合作。吉致电子CMP抛光液产品主要包括以下系列：半导体集成电路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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芯片制造为什么使用单晶硅做衬底

芯片制造中为什么都喜欢用单晶硅作为衬底材料呢?那是因为单晶硅片具有以下优点：单晶硅片是半导体器件制造的基础材料，应用广泛。计算机芯片、智能手机中的处理器、存储器.传感器等都是使用单晶硅片制造的。单晶硅具有显著的半导体性能：单晶硅是一种半导体材料，具有较弱的导电性。该材料的电导率受光、电、磁、温度等因素的影响，随着温度的升高而增加。超纯的单晶硅属于本征半导体，但在其中掺入亚A族元素，如硼，则可形成p型硅半导体，掺入微量的VA族元素，如磷或砷，则可形成n型硅半导体。通过扩散作用，将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导

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吉致电子--GaN氮化镓CMP抛光的重要性

  氮化镓(GaN)是一种具有广泛应用前景的半导体材料，具有优异的电子特性和光学性能。在现代电子设备中，氮化镓被广泛应用于 LED 显示屏、激光器、功率放大器等领域，并且在未来的 5G 通讯、电动汽车等领域也具有巨大的发展潜力。然而，氮化镓在制备过程中容易受到表面缺陷的影响，影响其性能和稳定性，所以氮化镓抛光工艺显得尤为重要，浅谈一下氮化镓CMP抛光的重要性。 氮化镓CMP抛光的重要性主要体现在以下几个方面：1，提高器件的光电性能：氮化镓材料用于制作 LED和LD等光电器件其表面质量影响着器件的

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吉致电子--衬底与晶圆CMP磨抛工艺的区别

  在半导体制造过程中，衬底和晶圆是两个常见的术语。它们扮演着重要的角色，但在定义、结构和用途上存在一些差异和区别。  衬底---作为基础层的材料，承载着芯片和器件。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。衬底的CMP磨抛工艺主要关注其表面的平整度、清洁度和粗糙度，确保后续工艺如外延生长、薄膜沉积等能够顺利进行。  晶圆---则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。晶圆的CMP磨抛工艺

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吉致电子--单晶硅与多晶硅的区别

吉致电子粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液可用于单晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面简单谈谈单晶硅和多晶硅的区别： 单晶硅和多晶硅是两种不同的硅材料，它们的主要区别在于晶体结构、物理性质和用途等方面。  ①晶体排列组成不一样：  单晶硅是由许多晶体周期性排列而成的，其晶体结构具有高度的有序性和一致性，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较少。  多晶硅是由许多小的晶体组成的，每个小晶体的晶体结构都有一定的差异，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较复杂。 ②

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看懂SIC碳化硅衬底研磨加工技术

碳化硅SiC衬底因其脆硬性特性再叠加大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，被视为典型难加工材料。高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点。  碳化硅相较于第一、二代半导体材料具有更优良的热学、电学性能，如宽禁带、高导热、高温度稳定 性和低介电常数等，这些优势使得以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料广泛应用于高温、高频、高功率 以及抗辐射等极端工况.作为高性能微电子和光 电子器件制造的衬底基片，碳化硅衬底加工后的表面、亚表面质量对器件的使用性能有着极为重要的影响。因

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SiC碳化硅应用领域有哪些？

碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷两大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大干亿赛道的关键材料之一。例如:单晶方面：碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面：碳化硅凭借其优异的高温强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，近年来随着新能源汽车、半导体、光伏等行业的起飞而需求爆发，深深地渗入到这些新兴领域的

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半导体衬底和外延的区别是什么？

  在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？  在第三代半导体产业链，晶圆制备过程中存在两个重要环节：①是衬底的制备，②是外延工艺的实施。这两个环节的区别是怎样的，存在的意义又有何不同？  衬底由半导体单晶材料精心打造的晶圆片，可以作为基础直接投入晶圆制造的流程来生产半导体器件，或者进一步通过外延工艺来增强性能

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CMP设备及耗材对半导体硅片抛磨有影响吗？

CMP设备及耗材对工艺效果影响吗？答案是：有关键影响。CMP工艺离不开设备机台及耗材，其中耗材包括抛光垫和抛光液。影响CMP效果主要因素如下：①设备参数：抛光时间、研磨盘转速、抛光头转速、抛光头摇摆度、背压、下压力等；②研磨液参数：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸碱度、氧化剂含量、流量、粘滞 系数等 ；③抛光垫参数：硬度、密度、空隙大小、弹性等；④CMP对象薄膜参数：种类、厚度、硬度、化学性质、图案密度等。CMP耗材包括抛光液、抛光垫、钻石碟、清洗液等，对 CMP 工艺效应均有关键影响。1. CMP 抛

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碳化硅衬底平坦化使用的是什么工艺？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。  第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导体器件，可有效突破传统硅基功率半导体器件及其材料的物理极限。  化学

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铌酸锂晶体怎么抛光？

 铌酸锂晶体抛光，用吉致电子CMP铌酸锂抛光液是有效方法 铌酸锂晶体(分子式 LiNbO3简称 LN)是一种具有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，是目前公认为光电子时代"光学硅"的主要候选材料之一。它在超声器件、光开关、光通讯调制器、二次谐波发生和光参量振荡器等方面获得广泛应用。  铌酸锂晶片的加工质量和精度直接影响其器件的性能，因此铌酸锂的应用要求晶片表面超光滑、无缺陷、无变质层。目前,有关铌酸锂晶片的加工特性及其超光滑表面加工技术的研

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