吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

芯片制造为什么使用单晶硅做衬底

芯片制造中为什么都喜欢用单晶硅作为衬底材料呢?那是因为单晶硅片具有以下优点：单晶硅片是半导体器件制造的基础材料，应用广泛。计算机芯片、智能手机中的处理器、存储器.传感器等都是使用单晶硅片制造的。单晶硅具有显著的半导体性能：单晶硅是一种半导体材料，具有较弱的导电性。该材料的电导率受光、电、磁、温度等因素的影响，随着温度的升高而增加。超纯的单晶硅属于本征半导体，但在其中掺入亚A族元素，如硼，则可形成p型硅半导体，掺入微量的VA族元素，如磷或砷，则可形成n型硅半导体。通过扩散作用，将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导

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吉致电子--GaN氮化镓CMP抛光的重要性

  氮化镓(GaN)是一种具有广泛应用前景的半导体材料，具有优异的电子特性和光学性能。在现代电子设备中，氮化镓被广泛应用于 LED 显示屏、激光器、功率放大器等领域，并且在未来的 5G 通讯、电动汽车等领域也具有巨大的发展潜力。然而，氮化镓在制备过程中容易受到表面缺陷的影响，影响其性能和稳定性，所以氮化镓抛光工艺显得尤为重要，浅谈一下氮化镓CMP抛光的重要性。 氮化镓CMP抛光的重要性主要体现在以下几个方面：1，提高器件的光电性能：氮化镓材料用于制作 LED和LD等光电器件其表面质量影响着器件的

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吉致电子--衬底与晶圆CMP磨抛工艺的区别

  在半导体制造过程中，衬底和晶圆是两个常见的术语。它们扮演着重要的角色，但在定义、结构和用途上存在一些差异和区别。  衬底---作为基础层的材料，承载着芯片和器件。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。衬底的CMP磨抛工艺主要关注其表面的平整度、清洁度和粗糙度，确保后续工艺如外延生长、薄膜沉积等能够顺利进行。  晶圆---则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。晶圆的CMP磨抛工艺

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吉致电子--单晶硅与多晶硅的区别

吉致电子粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液可用于单晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面简单谈谈单晶硅和多晶硅的区别： 单晶硅和多晶硅是两种不同的硅材料，它们的主要区别在于晶体结构、物理性质和用途等方面。  ①晶体排列组成不一样：  单晶硅是由许多晶体周期性排列而成的，其晶体结构具有高度的有序性和一致性，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较少。  多晶硅是由许多小的晶体组成的，每个小晶体的晶体结构都有一定的差异，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较复杂。 ②

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看懂SIC碳化硅衬底研磨加工技术

碳化硅SiC衬底因其脆硬性特性再叠加大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，被视为典型难加工材料。高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点。  碳化硅相较于第一、二代半导体材料具有更优良的热学、电学性能，如宽禁带、高导热、高温度稳定 性和低介电常数等，这些优势使得以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料广泛应用于高温、高频、高功率 以及抗辐射等极端工况.作为高性能微电子和光 电子器件制造的衬底基片，碳化硅衬底加工后的表面、亚表面质量对器件的使用性能有着极为重要的影响。因

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SiC碳化硅应用领域有哪些？

碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷两大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大干亿赛道的关键材料之一。例如:单晶方面：碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面：碳化硅凭借其优异的高温强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，近年来随着新能源汽车、半导体、光伏等行业的起飞而需求爆发，深深地渗入到这些新兴领域的

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半导体衬底和外延的区别是什么？

  在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？  在第三代半导体产业链，晶圆制备过程中存在两个重要环节：①是衬底的制备，②是外延工艺的实施。这两个环节的区别是怎样的，存在的意义又有何不同？  衬底由半导体单晶材料精心打造的晶圆片，可以作为基础直接投入晶圆制造的流程来生产半导体器件，或者进一步通过外延工艺来增强性能

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CMP设备及耗材对半导体硅片抛磨有影响吗？

CMP设备及耗材对工艺效果影响吗？答案是：有关键影响。CMP工艺离不开设备机台及耗材，其中耗材包括抛光垫和抛光液。影响CMP效果主要因素如下：①设备参数：抛光时间、研磨盘转速、抛光头转速、抛光头摇摆度、背压、下压力等；②研磨液参数：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸碱度、氧化剂含量、流量、粘滞 系数等 ；③抛光垫参数：硬度、密度、空隙大小、弹性等；④CMP对象薄膜参数：种类、厚度、硬度、化学性质、图案密度等。CMP耗材包括抛光液、抛光垫、钻石碟、清洗液等，对 CMP 工艺效应均有关键影响。1. CMP 抛

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碳化硅衬底平坦化使用的是什么工艺？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。  第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导体器件，可有效突破传统硅基功率半导体器件及其材料的物理极限。  化学

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铌酸锂晶体怎么抛光？

 铌酸锂晶体抛光，用吉致电子CMP铌酸锂抛光液是有效方法 铌酸锂晶体(分子式 LiNbO3简称 LN)是一种具有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，是目前公认为光电子时代"光学硅"的主要候选材料之一。它在超声器件、光开关、光通讯调制器、二次谐波发生和光参量振荡器等方面获得广泛应用。  铌酸锂晶片的加工质量和精度直接影响其器件的性能，因此铌酸锂的应用要求晶片表面超光滑、无缺陷、无变质层。目前,有关铌酸锂晶片的加工特性及其超光滑表面加工技术的研

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什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺

碳化硅SIC研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。碳化硅衬底常规的CMP研磨工艺一般分为粗磨和精磨。SiC衬底常规双面磨工艺双面磨工艺又称DMP工艺，是目前大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案，对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。①粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，

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研磨液和抛光液在半导体芯片加工中的应用

  磨削和研磨等磨料处理是半导体芯片加工过程中的一项重要工艺，主要是应用化学研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工，但是研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，保证抛光的一致性、均匀性和外表粗糙度对生产芯片来 说是十分重要的。抛光和研磨在半导体生产中都起到重要性的作用。一、研磨工艺与抛光工艺研磨工艺是运用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，经过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工件表面进行的精整加工。研磨可用于加工各种金属和非金属材料，工件的外形有平面，内、外圆柱面和圆锥面，凸、凹球面，螺纹，齿面及其他型

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碳化硅SIC衬底的加工难度有哪些？

  衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。有数据显示，衬底成本大约占晶圆加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。  SiC碳化硅衬底不止贵生产工艺还复杂，与Si硅片相比，SiC很难处理。SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表

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蓝宝石研磨液在CMP衬底工件的应用

  蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的减薄和研磨抛光。  蓝宝石研磨液由金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件表面产生划伤。金刚石研磨液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。  吉致电子蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:1.外延片生产前衬底的双面研磨:用于蓝宝石研磨一道或多道工序，根据最终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3

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CMP制程中抛光垫的作用有哪些？

  CMP技术是使被抛光材料在化学和机械的共同作用下，材料表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。抛光液中的化学成分与材料表面进行化学反应，形成易抛光的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。  在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①传递材料去除所需的机械载荷；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如工件碎屑、抛光碎片等）；③使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力

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碳化硅衬底需要CMP吗

  碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。  化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。  吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研

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碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺

 碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。 根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。  碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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国际第三代半导体年度盛会--吉致电子半导体抛光耗材受关注

  吉致电子受邀出席第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA），斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，获得该奖项是对吉致电子在半导体照明产业领域出色表现的高度认可。  后摩尔时代，发展正当时的第三代半导体产业迎来发展机遇。半导体业继往开来进入新的发展阶段，论坛期间氛围热烈，学术报告、行业

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氮化铝/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨抛光

  氮化铝/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨抛光，需要用粗抛和精抛两道工艺。粗抛液用来研磨快速去除表面缺陷和不良，精细抛光液用来平坦工件表面提升精度。吉致电子陶瓷专用研磨液/抛光液能减少研磨时间，同时提高陶瓷工件抛光的质量，帮助客户缩短工时提高工作效率。 陶瓷基板的研磨过程一般包括双面研磨（35-60分钟）和精细抛光（120分钟）。在不到2.5小时的时间里，得到10-15纳米的Ra。 氮化铝/氮化硅散热衬底抛光方案：①双面研磨（35-60分钟）搭配吉致电子类多晶研磨液 ②超精细抛

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吉致电子1um/3um/6um/7μm/9μm金刚石抛光液和研磨液

  吉致电子金刚石抛光液/研磨液包括单晶抛光液、多晶抛光液和类多晶抛光液。金刚石研磨液分为水基和油基两类。  吉致电子1um/3um/6um/7μm/9μm金刚石抛光液金刚石抛光液浓度高，金刚石粒径均匀，悬浮液分散充分。其特点是不结晶、不团聚，磨削力强，抛光效果好。可以满足高硬度材料、精密的微小元器件、高质量表面要求的材料抛光需求。  金刚石抛光液采用优质金刚石微粉，结合吉致专利配方工艺，调配的CMP专用抛光液可最大限度的提高切削力和抛光效率。在实际使用中工件研磨速率稳定，材料去除率高

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