吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

研磨液和抛光液在半导体芯片加工中的应用

  磨削和研磨等磨料处理是半导体芯片加工过程中的一项重要工艺，主要是应用化学研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工，但是研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，保证抛光的一致性、均匀性和外表粗糙度对生产芯片来 说是十分重要的。抛光和研磨在半导体生产中都起到重要性的作用。一、研磨工艺与抛光工艺研磨工艺是运用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，经过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工件表面进行的精整加工。研磨可用于加工各种金属和非金属材料，工件的外形有平面，内、外圆柱面和圆锥面，凸、凹球面，螺纹，齿面及其他型

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碳化硅SIC衬底的加工难度有哪些？

  衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。有数据显示，衬底成本大约占晶圆加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。  SiC碳化硅衬底不止贵生产工艺还复杂，与Si硅片相比，SiC很难处理。SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表

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蓝宝石研磨液在CMP衬底工件的应用

  蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的减薄和研磨抛光。  蓝宝石研磨液由金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件表面产生划伤。金刚石研磨液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。  吉致电子蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:1.外延片生产前衬底的双面研磨:用于蓝宝石研磨一道或多道工序，根据最终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3

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CMP制程中抛光垫的作用有哪些？

  CMP技术是使被抛光材料在化学和机械的共同作用下，材料表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。抛光液中的化学成分与材料表面进行化学反应，形成易抛光的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。  在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①传递材料去除所需的机械载荷；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如工件碎屑、抛光碎片等）；③使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力

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碳化硅衬底需要CMP吗

  碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。  化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。  吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研

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碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺

 碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。 根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。  碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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国际第三代半导体年度盛会--吉致电子半导体抛光耗材受关注

  吉致电子受邀出席第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA），斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，获得该奖项是对吉致电子在半导体照明产业领域出色表现的高度认可。  后摩尔时代，发展正当时的第三代半导体产业迎来发展机遇。半导体业继往开来进入新的发展阶段，论坛期间氛围热烈，学术报告、行业

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氮化铝/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨抛光

  氮化铝/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨抛光，需要用粗抛和精抛两道工艺。粗抛液用来研磨快速去除表面缺陷和不良，精细抛光液用来平坦工件表面提升精度。吉致电子陶瓷专用研磨液/抛光液能减少研磨时间，同时提高陶瓷工件抛光的质量，帮助客户缩短工时提高工作效率。 陶瓷基板的研磨过程一般包括双面研磨（35-60分钟）和精细抛光（120分钟）。在不到2.5小时的时间里，得到10-15纳米的Ra。 氮化铝/氮化硅散热衬底抛光方案：①双面研磨（35-60分钟）搭配吉致电子类多晶研磨液 ②超精细抛

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吉致电子1um/3um/6um/7μm/9μm金刚石抛光液和研磨液

  吉致电子金刚石抛光液/研磨液包括单晶抛光液、多晶抛光液和类多晶抛光液。金刚石研磨液分为水基和油基两类。  吉致电子1um/3um/6um/7μm/9μm金刚石抛光液金刚石抛光液浓度高，金刚石粒径均匀，悬浮液分散充分。其特点是不结晶、不团聚，磨削力强，抛光效果好。可以满足高硬度材料、精密的微小元器件、高质量表面要求的材料抛光需求。  金刚石抛光液采用优质金刚石微粉，结合吉致专利配方工艺，调配的CMP专用抛光液可最大限度的提高切削力和抛光效率。在实际使用中工件研磨速率稳定，材料去除率高

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圣诞仪式感拉满，吉致电子祝您幸福平安！

吉致电子科技“拍了拍你”！嗨，亲爱的吉致伙伴们：May you have the best Christmas ever愿你度过最美好的圣诞节！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣诞快乐。祝大家：平安喜乐，万事顺遂。“诞”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永远开心快乐，希望快乐不止圣诞！

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CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用

  化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造的关键步骤，这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整，达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，CMP耗材品质直接影响抛光效果，对提高晶圆制造质量至关重要。  CMP抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。&nbs

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吉致电子应邀出席半导体国际论坛并斩获奖牌

  2023年11月28日第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门开幕。IFWS&SSLCHINA是中国地区举办的、专业性最强、影响力最大的第三代半导体领域国际性年度盛会，也是规模最大、规格最高的第三代半导体全产业链综合性论坛。  吉致电子受邀出席大会，斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，

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金属钼片的CMP抛光工艺

  工厂的钼片加工工艺采用粗磨、双端面立磨等研磨工艺，粗磨的合格率仅在85％左右，整体平行度不良居多，造成产品合格率下降，也造成后续加工难度，这与金属钼的特性有关，目前钼片采用CMP抛光工艺（抛光液+抛光垫）能达到镜面效果。  钼的特点：钼是一种难溶金属，具有很多优良的物力化学和机械性能。由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度均非常高。它的膨胀系数低，导电率大，导热性好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。&

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吉致电子氮化铝陶瓷基片抛光

氮化铝陶瓷基板具有高导热率、低介电常数、低热膨胀系数、高机械强度、高耐腐蚀性等特点。其作为电路元件及互连线承载体，广泛应用再军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、半导体电子设备、汽车等各个领域。氮化铝陶瓷经过CMP抛光后可用于半导体激光器、固体继电器、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。吉致电子氮化铝陶瓷抛光液可达镜面效果，特点如下：1、纳米级抛光液，抛光后具有较优的粗糙度2、陶瓷基片抛光液绿色无污染、不含卤素及重金属元素3、抛光液可循环使用，根据工艺要求可添加去离子水稀释氮化铝陶瓷基板通过CMP

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吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用

   抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。  通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC

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吉致电子荣获第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议“优秀组织奖”

  2023年11月8日-10日第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)在北京圆满落幕。本次会议聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者、龙头企业、资本机构莅临会议现场，通过大会报告、专场报告、高峰论坛、口头报告、项目路演和墙报等形式，分享全球宽禁带半导体技术最新研究进展，交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进行业互联互通。    吉致电子科技有限公司出席了此次会议，并在会议期间设有展台。吉致电子的代表们与全球各地的专家

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吉致电子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。  为获

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第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别

  随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来我国半导体材料市场发展迅猛，其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注，两者经常被拿来比较。  同为宽近带半导体的成员，碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料，它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。  随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求暴涨，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。  ①性能不同：高电子迁移

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半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液

  抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。  吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液

  氧化铝抛光液在LED行业的应用广泛，如蓝宝石衬底的CMP抛光，为避免大粒径磨料对工件造成划伤，通常选用粒径为50∼200nm，且粒径分布均匀的纳米α-Al2O3磨料。为了确保蓝宝石衬底能抛出均匀的镜面光泽，需要提升CMP抛光液的切削速率及平坦化效果，吉致电子科技生产的氧化铝抛光液/研磨液可专业用于蓝宝石抛光，氧化铝磨料具有分布窄，粒径小，硬度高、尺寸稳定性好，α相转晶完全，团聚小易分散等特点。  吉致电子对α-Al2O3颗粒的Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量都有

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