吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

吉致电子|金属精密抛光CMP工艺专用二氧化硅抛光液FAQ

吉致电子金属专用抛光液二氧化硅CMP Slurry面向金属工件平面化学机械抛光，低划痕、体系稳定，可作为抛光耗材降本替换方案Q1：这款二氧化硅CMP抛光液，可以用于金属平面化学机械抛光吗？A：可以。吉致电子这款二氧化硅CMP抛光液专为金属工件平面精抛场景开发，适配金属平面CMP化学机械抛光工艺，适合金属精密平面精磨、镜面平坦化加工，可作为现有抛光耗材的降本替换方案。Q2：吉致电子这款抛光液的关键检测指标是多少，是否符合规格？A：实测质检数据全部落在规格区间内，指标如下：pH：9.51（规格范围9±2）

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吉致电子无蜡吸附垫Template通用操作流程

在半导体、光学衬底CMP化学机械抛光工艺中，传统石蜡粘接固定工艺存在残蜡难清洗、污染晶圆、工序繁琐、生产效率低等痛点。吉致电子无蜡吸附垫，依托微孔水润吸附原理，无需高温上蜡、除蜡工序，为硅片、SiC、蓝宝石、光学玻璃、陶瓷覆铜板等各类精密衬底提供稳定可靠的CMP工件固定解决方案，有效降低颗粒污染，提升抛光良率。吉致电子无蜡吸附垫通用CMP操作流程1.上机前准备清洁载具（陶瓷盘 / 金属卡盘），采用IPA配合无尘布清理盘面残留胶渍、颗粒与抛光液结晶，确认载具平面无划痕、凹凸缺陷；检查吉致电子无蜡吸附垫外观，确认无撕裂

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CMP无蜡吸附垫是什么？半导体精密抛光背附模板核心解析

在半导体晶圆、宽禁带衬底、光学晶体的CMP化学机械精密抛光制程中，工件固定方式是决定抛光TTV（总厚度偏差）、面型平整度、良率稳定性的核心关键。传统抛光依赖石蜡粘接固定，存在工序繁琐、除蜡残留污染、适配自动化产线难度大、翘曲工件贴合性差等诸多工艺痛点。在此背景下，CMP无蜡吸附垫（行业别称：CMP背附模板、真空吸附Template、抛光背垫板）逐步替代传统上蜡工艺，成为高端精密抛光、半导体先进制程的核心配套耗材。凭借真空负压吸附的无接触固定模式，彻底解决石蜡工艺的污染与精度短板，广泛适配各类高精度、高洁净度抛光场景

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盛世华诞 科创逐光|吉致电子以实干献礼祖国

金秋送爽，丹桂飘香，神州大地满目锦绣，举国上下喜迎华诞。当五星红旗冉冉升起，当激昂的国歌响彻四方，亿万中华儿女心中涌动着同样的赤诚与热爱，共同致敬伟大祖国的峥嵘岁月与璀璨今朝。七十余载风雨兼程，七十余载砥砺奋进，祖国从百废待兴走向繁荣富强，从攻坚克难走向自信昂扬，在科技革新、产业升级、民生发展、大国建设的道路上步履铿锵，书写了属于中国的盛世华章。山河无恙，国泰民安，是岁月最好的馈赠；科创不息，实干笃行，是时代最美的答卷。如今的华夏，山河壮阔、万象更新，高端制造突破瓶颈、硬核科技自立自强、新兴产业蓬勃崛起，无数民族企

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月满中秋，共赴新程｜吉致电子祝您阖家团圆,健康平安

皓月当空，桂香漫起，又到一年中秋团圆时。平时在车间、实验室里和抛光耗材、精密基板打交道，大家埋头攻坚，在细微的工艺里打磨品质；趁中秋佳节，不妨暂时放下图纸与参数，把节奏慢下来，奔赴一场团圆之约。月亮慢慢变圆，事事慢慢如愿。 吉致电子深耕半导体 CMP抛光耗材领域，始终专注细节打磨，就像中秋的圆月，一点点雕琢，终得圆满。我们深知每一次工艺突破，离不开团队同心聚力，也感恩一路相伴的合作伙伴，与我们携手，在半导体赛道稳步前行。中秋的浪漫，一半是明月，一半是人间烟火。 愿大家卸下忙碌，和家人围坐，尝一口月饼，赏一轮清月

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TSV硅通孔铜抛光液：先进封装厚铜平坦化核心工艺耗材

在HBM高带宽内存、2.5D/3D IC、硅转接板、CMOS图像传感器等先进封装工艺中，TSV硅通孔技术是实现芯片垂直互联、高密度堆叠的关键支撑。很多工艺同仁都清楚TSV是硅片垂直导通的核心通道，但在实际量产中，电镀填铜后的厚铜平坦化，往往是影响通孔良率、键合可靠性的核心瓶颈，而TSV铜抛光液，正是解决这一工序痛点的关键CMP耗材。完整的TSV成型流程包含深硅刻蚀、绝缘层沉积、Ta/TaN阻挡层与铜籽晶层制备、电镀填铜等多道工序。电镀工艺会将硅通孔完全填满铜金属，同时会在晶圆表面形成一层较厚的冗余溢铜。这层多余铜层

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Suba600抛光垫详解：晶圆CMP抛光主力耗材国产替代方案落地

在半导体晶圆、光学晶体的CMP一次抛光（粗抛/中抛）工序中，Suba600抛光垫是行业公认的经典主力耗材。这款聚氨酯浸渍无纺布抛光垫，凭借稳定的去除速率、优异的晶圆平坦度控制能力，被广泛应用于硅片、碳化硅、蓝宝石、砷化镓等各类衬底加工场景，是半导体前道抛光工序不可或缺的核心耗材，为后续精抛工艺筑牢品质基础。长期以来，国内高端晶圆一次抛光工序高度依赖进口Suba600抛光垫，不仅采购成本高、交货周期不可控，还极易因海外供货波动导致产线停工，成为制约半导体衬底加工企业降本增效、供应链自主可控的痛点。针对这一行业难题，吉

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CMP氧化铝抛光液:吉致电子高稳定精密平坦化抛光耗材

吉致电氧化铝抛光液，是以氧化铝磨料为核心的化学机械抛光（CMP）耗材，适配半导体、陶瓷基板、光学元件等硬质材料精密平坦化加工，兼顾化学腐蚀与机械研磨双重作用，实现工件表面高精度抛光。产品特点磨料硬度适中：氧化铝颗粒硬度稳定，切削能力强，抛光效率高；相比氧化铈，对硬质基材去除速率更有优势，合理控制颗粒形貌，减少表面划伤风险。分散性优异：体系经过分散改性，磨料不易沉降团聚，抛光过程磨料分布均匀，工件表面一致性好，批次稳定性强。配方可调：可根据不同基材需求调整 pH 值、磨料粒径与固含量，适配金属、陶瓷、玻璃等多类材料的

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教师节｜师恩不止讲台，致敬行业传灯人

九月桂香，又是一年教师节。提起师者，我们最先想到讲台之上传道授业的老师。而在半导体材料这条赛道上，同样有无数默默引路的人。是校园里深耕科研的导师，把理论基础交到年轻人手上；是行业里深耕一线的前辈，把工艺经验、试错心得毫无保留地分享出来；也是团队内部传帮带的伙伴，带着新人读懂设备、吃透参数，在一次次调试与打磨中慢慢成长。科研路上，亦有良师引路技术成长，离不开经验的传承以国产精密材料，致敬每一份传道授业芯片与精密材料的突破，从来不是凭空而来。就像CMP抛光，要经过反复研磨、精细调校，才能收获纳米级的平整表面。技术的迭代

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什么是CMP化学机械抛光工艺？读懂半导体制造关键环节

在半导体制造中，晶圆表面平整度直接决定芯片的性能与良率。随着制程不断向7nm、5nm演进，对平坦化的要求日益严苛。CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）正是解决这一难题的核心工艺。本文将系统介绍CMP工艺的原理、应用与关键耗材。一、CMP化学机械抛光是什么CMP化学机械抛光，全称Chemical Mechanical Polishing，是一种将化学反应与机械研磨相结合的表面平坦化技术。它通过抛光液（Slurry）的化学腐蚀作用与抛光垫（Pad）的机械摩擦协同进行，去除晶

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抛光“芯”程，毫厘必争：一文读懂硅片CMP化学机械研磨抛光工艺

一片薄如蝉翼的硅晶圆，如何承载上百亿颗晶体管，同时保持镜面般平整？这背后，离不开被誉为半导体制造“灵魂工艺”的关键技术——CMP化学机械研磨抛光。一、CMP化学机械抛光：让芯片“立”起来的隐形功臣CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨抛光）是集成电路制造中实现晶圆表面全局平坦化的核心工艺。它通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，去除晶圆表面多余材料，让每一层电路都“踩”在同一水平面上

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HDD玻璃磁盘CMP抛光工艺决方案|吉致电子试验结果

随着存储行业迭代升级，HDD硬盘逐步推进玻璃磁盘替代传统铝基盘片。石英玻璃介质的光存储磁盘，对表面质量提出极高标准：无划伤、无凹坑橘皮缺陷、粗糙度Ra≤0.1nm，同时兼顾抛光速率与抛光液循环复用能力。吉致电子针对HDD玻璃磁盘开发整套CMP精抛耗材与工艺方案，适配石英玻璃磁盘的量产抛光需求。一、HDD玻璃磁盘抛光核心技术难点石英玻璃磁盘作为硬盘存储载体，表面任何微小划伤、麻点、橘皮、凹坑，都会直接造成磁头读写故障。行业核心指标要求：①表面外观：盘面完整，无划伤、凹坑、橘皮缺陷；②表面粗糙度：Ra目标0.1n

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高硬度蓝宝石CMP加工：材料特性与抛光液选型参考

蓝宝石（单晶Al2O3）莫氏硬度高达9，具备优异透光性、耐高温与化学稳定性，是LED外延衬底、光学窗口、光电传感器的重要基材。由于材质硬度高、晶体存在各向异性（A向、C向、M向）传统研磨易产生微划痕与亚表面损伤；CMP化学机械抛光成为实现蓝宝石原子级超光滑表面的核心工艺，而抛光液配方体系，直接决定去除速率、表面粗糙度与成品良率。蓝宝石工件量产抛光普遍采用粗抛—中抛—精抛3道阶梯式工艺，不同工序对应差异化抛光液体系，主要分为纳米氧化铝体系、胶体二氧化硅体系两大方向。一、蓝宝石CMP主流抛光液体

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吉致电子CMP硅片抛光液

在单晶硅片加工工艺中，CMP化学机械抛光是决定硅片平整度、表面粗糙度、良率及电学性能的核心工序。抛光液Slurry作为抛光工艺的核心耗材，其配方体系、磨料特性、稳定性直接决定硅片最终加工品质。针对光伏硅片、通用半导体衬底、外延级高端硅片等不同场景的差异化加工需求，吉致电子打造全品类分级硅片抛光液体系，涵盖氧化铝、气相二氧化硅、胶体二氧化硅粗抛/精抛/终抛全系列产品，以精细化配方匹配不同工艺阶段，实现高效整平、低损伤抛光、超光滑镜面成型，全方位适配各层级硅片生产加工需求。一、工艺分级设计，精准匹配全工序抛光需求基于硅

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锗片与硫系玻璃的差异及CMP抛光方案的区别

锗片与硫系玻璃是红外光电领域的核心基材，广泛应用于军工航天、车载夜视、工业测温、安防成像等场景。两类材料均可实现红外波段高透效果，超光滑镜面均需依托CMP化学机械抛光工艺保障成像精度，但因材质结构、力学性能及终端应用精度不同，抛光工艺与耗材适配存在明显差异化需求。锗片与硫系玻璃材质在应用层面，二者各有侧重：①单晶锗片成像信噪比高、光学性能优异，多用于军工导引头、航天红外相机等高端精密场景，对抛光无损伤、超光滑度要求极致；②硫系玻璃为非晶材质，具备轻量化、耐温变、可量产模压的优势，主打车载夜视、民用测温、安防监控等规

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钽酸锂 铌酸锂（LT/LN）双组分抛光液|吉致电子CMP Slurry

在光通信、射频通讯、光电传感的高端制造赛道里，钽酸锂（LT）、铌酸锂（LN）晶圆衬底绝对是核心刚需基材。凭借出色的压电、光电、声光性能，它被广泛用于光通信调制器、SAW滤波器、红外光学器件、高频通讯元件等核心产品中。但做过LT/LN晶圆精密加工的同行都清楚，这类硬脆晶体的CMP抛光，一直是量产环节的痛点难点。不同于普通硅片抛光，LT、LN晶体硬度高、材质脆、晶格特殊，在产线高压、高转速的高效CMP工况下，很容易出现三大问题：研磨速率慢、基板平坦度差、抛光后表面颗粒残留多。更头疼的是，颗粒残留超标就必须增加RCA清洗

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差异化深耕衬底抛光赛道，打造高性价比国产CMP耗材|吉致电子

无锡吉致电子科技有限公司成立于2017年，依托成熟的核心配方技术与量产工艺，搭建起标准化、规模化生产体系，现已形成集研发、生产、销售、工艺配套服务于一体的完整产业链。吉致电子多年来一直专注于半导体晶圆、光电衬底CMP精密抛光耗材研发、生产与技术服务的国家级科技型中小企业，是国内衬底抛光国产化替代的核心优质供应商。吉致电子聚焦差异化赛道，主打晶圆衬底抛光与特种衬底精密抛光，核心产品覆盖全系列CMP抛光液及配套抛光耗材，有效填补国产中高端衬底抛光材料市场缺口。核心主力产品为8/12英寸单晶硅晶圆、再生晶圆粗、中、精抛液

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碳化硅SiC衬底抛光液客户案例：国产DMP/CMP一体化方案

吉致电子这次合作的客户为国内某碳化硅功率衬底头部企业，主营4寸导电型SiC衬底量产加工，产品专供新能源汽车主逆变器、800V快充模块等车规级功率器件晶圆制造。企业产线扩产阶段，受传统进口耗材与蜡粘固定工艺制约，抛光效率、衬底良率及表面品质难以满足车载外延高标准，亟需国产化DMP/CMP一体化耗材方案实现工艺升级与供应链自主可控。客户核心工艺痛点1. 抛光效率低、表面缺陷严重碳化硅莫氏硬度高达9级，普通通用抛光液材料去除速率不足，单面抛光周期长；抛光后衬底表面微划痕、晶格损伤多，无法满足车规外延片粗糙度标准

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无纺布抛光垫厂家：吉致电子CMP抛光垫定制化服务

在化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光垫（CMP PAD）对精密元件表面处理质量起着关键作用。然而，高端抛光垫市场长期被国际巨头垄断，国产替代需求日益迫切。无锡吉致电子科技有限公司多年技术积累，研发的高性能无纺布抛光垫系列产品，可实现对Fujibo（富士纺）、SUBA800、Politex等进口品牌的替代，在抛光效率、使用寿命和本土定制化服务上优势显著。产品主要应用于碳化硅（SiC）衬底、再生晶圆、蓝宝石、砷化镓（GaAs）、氮化铝（AlN）等三五族及二六族化合物半导体材料的精密抛光，也适用于各类衬底、窗口片或玻璃片

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硅溶胶抛光液：非CMP加工场景存在的缺陷与工艺问题

吉致电子硅溶胶抛光液专为半导体、光学基材CMP化学机械平坦化工艺研发，依靠设备恒定压力、持续循环供液、抛光盘/抛光垫即时修整及稳定缓冲的pH体系，实现纳米级化学软化层 + 微量机械磨削协同去除加工，兼顾高去除速率、超光滑表面与优异平坦度。CMP Slurry抛光液磨料依靠稳定的均匀分散，配套完整螯合、缓蚀、pH缓冲体系，仅在标准化学机械工艺工况下可维持长期稳定；若直接用于手持抛、简易转盘、自重研磨、半干抛等非CMP抛光工艺，会引发表面品质、耗材设备、后道洁净度多重不良。非CMP工艺及设备使用硅溶胶抛光液的

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