氮化铝（AlN）凭借超高导热系数、优异绝缘性能与适配半导体芯片的热膨胀系数，是IGBT功率模块、5G射频器件、大功率LED、DBC/AMB覆铜基板核心散热基材。AlN硬度高、脆性大、极易遇水水解，传统金刚石研磨易产生划痕、晶粒脱落、亚表面损伤，制约基板镀铜、薄膜键合良率。

吉致电子半导体精密陶瓷CMP抛光耗材研发技术，推出氮化铝基板粗抛、精抛双体系CMP抛光液，依托复合纳米磨料+缓冲型化学配方，适配6/8英寸烧结 / 生瓷氮化铝基板量产抛光，实现化学软化+微量机械去除协同加工，一站式解决氮化铝AlN水解易崩边、表面麻点、镜面粗糙度不达标等行业痛点，助力国产氮化铝基板精密制造国产化升级。

氮化铝陶瓷抛光液特性

1.精准控化学体系，杜绝AlN水解腐蚀

采用分级pH缓冲配方：粗抛液弱碱体系pH11.5\12.5，精抛弱酸体系pH4.0\4.8，全程pH波动≤±0.3，搭配专用络合抑制剂，从源头抑制氮化铝水解生成氢氧化铝絮状物，规避晶界腐蚀、针孔麻点缺陷；配方内置改性活化助剂，在基板表面生成纳米级软性改性层，变脆性磨削为延性去除，大幅减少崩边、晶粒剥落与深层亚表面损伤。

2.复合球形纳米磨料，粒径可控纯度严苛

氮化铝陶瓷粗抛液：80~120nm高纯球形氧化铝复合磨料，粒径分布窄、无尖锐棱角，高去除速率同时减少划伤；

氮化铝陶瓷精抛液：20~50nm高纯改性硅溶胶磨料，球形度优异、团聚率极低；
全系列抛光液严控重金属杂质，Fe/Cu/Ni总离子含量＜80ppb，满足半导体封装级高洁净度要求，适配高端基板镀膜工艺。

3.CMP Slurry浆料稳定性优异，量产循环性强

复配高分子分散剂与长效抑菌组分，常温静置72h仅微量沉降，搅拌即可完全复溶无硬结块；抛光循环使用过程中磨料不易抱团，杜绝大颗粒异物划伤基板；密封储存周期可达12~24个月不分层变质，适配自动化CMP产线不间断供液。

4.CMP工艺兼容，可按需定制配方

可搭配聚氨酯抛光垫、无纺布抛光垫，适配单面 / 双面CMP研磨设备，兼容粗抛→精抛两道量产工序；

支持根据客户AlN原料烧结工艺、目标粗糙度、产能需求，定制磨料固含量、pH、粒径、去除速率等关键参数，提供专属抛光工艺方案。

吉致电子——专注半导体CMP抛光耗材研发与制造
以材料创新助力先进制程，为客户提供稳定、可靠、高性价比的CMP化学机械抛光整体解决方案。

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