吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

碳化硅Sic衬底加工流程有哪些

碳化硅衬底是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片，简单流程可概括为原料合成→晶体生长→。1、原料合成将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。2、晶体生长以高纯度碳化硅微粉为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 生长碳化硅晶体将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨甘场下部和顶部，通过电磁感应将

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半导体抛光---硅片抛光垫怎么选

  硅片抛光涉及到半导体工件的技术加工领域，硅片抛光垫的多孔结构和软性磨料材料，可以适应不同硅片材料的表面结构，达到不同表面加工的需求。在微电子、半导体、光电等领域中，CMP抛光垫的使用越来越广泛，尤其是在制造高性能晶体管、集成电路和MEMS等微纳米器件中，CMP抛光垫的质量和性能至关重要。   硅片抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的

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吉致电子---常见的半导体研磨液有哪些

  吉致电子半导体研磨液有哪些？常见的CMP研磨液有氧化铝研磨液，金刚石研磨液，蓝宝石研磨液。分别用于磨削工件、半导体制程、光学玻璃晶圆等工件加工。  其中金刚石研磨液，它的硬度非常高，性能稳定切削力强，被广泛应用于led工业、半导体产业、光学玻璃和宝石加工业、机械加工业等不同行业中。研磨液是半导体加工生产过程中的一项非常重要工艺，它主要是通过CMP研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工，达到平坦度。研磨液是影响半导体表面工作质量的重要经济因素。吉致电子用经验和技术服务每一位客户，有CMP

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蓝宝石抛光用什么抛光液

  在生产蓝宝石衬底的时候产生裂痕和崩边现象的比例比较高，占总是的5%-8%。我国蓝宝石批量生产的技术还很不成熟，切割完的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹，抛光后易形成很深的麻坑或划伤。因此需要通过CMP研磨抛光技术来达到工件平坦度，抛光过程中影响抛光质量的因素有很多，如抛光液的组分和PH值、压力、温度、流量、转速和抛光垫的质量等。  蓝宝石晶圆的抛光需要对抛光液材质有很高的要求，磨料太软会导致抛光时间过长而抛光效果不理想。目前抛蓝宝石合适的是钻石抛光液，钻石抛光液磨料是采用金刚石，有很高的硬度，搭配

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半导体先进制程PAD抛光垫国产替代进行中

  国内半导体制造的崛起加速推动了半导体材料的国产化进程。在政策、资金以及市场需求的带动下，我国集成电路产业迅猛发展，带动上游材料需求增长。先进制程CMP抛光液及CMP抛光垫用量大增，国产替代进行中。  CMP抛光垫（CMP PAD）一般分为聚氨酯抛光垫、无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫等，高精密研磨抛光垫应用于半导体制作、平面显示器、玻璃光学、各类晶圆衬底、高精密金属已经硬盘基板等产业，目前主要型号有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最广的。&n

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CMP在半导体晶圆制程中的作用

  化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲，半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造，后道工艺是芯片的封装测试。  前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。  晶圆制造前道加工环节主要包括 7 个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注

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钨钢用什么研磨液和抛光液

  硬质合金也就是钨钢，在现代工业中的应用非常广泛，如钢铁、交通、建筑等领域对硬质合金的需求愈发旺盛，随着对深加工产品需求的高涨，硬质合金将向精深加工、工具配套方向发展;向超细、超粗及涂层复合结构等方向发展;向循环经济、节能环保方向发展;向精密化、小型化方向发展。那么钨钢研磨用什么抛光液？  钨钢用于高精度机械加工、高精度刀具材料、车床、冲击钻钻头、玻璃刀刀头、瓷砖割刀之上。这类硬质工件需要经过研磨抛光工艺来达到使用标准。钨钢特点是耐磨、硬度高、韧性强，耐腐蚀等一系列优良性能，尤其它的高硬度和耐

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TSV抛光液---半导体3D封装技术Slurry

  TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。  TSV工艺的优势：可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子JEEZ用于3D封装

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CMP常用化学抛光液有哪些

   CMP技术（化学机械研磨）是现代半导体制造中非常重要的一项技术，在半导体制造中的应用最多，通过CMP工艺使用抛光液和抛光垫可以去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，达到工件表面平坦化，保证晶体管等器件的性能稳定性。   抛光磨料是CMP抛光液中最重要的组成部分，它能够去除硅片表面的氧化物和金属残留物，以达到平坦化的效果。CMP常用化学抛光液有哪些？常见的CMP化学抛光液有氧化铝（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化铈（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

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如何解决氧化硅抛光液结晶问题

 二氧化硅抛光液在抛光过程中会出现结晶结块的现象，虽然不是大问题但如果处理不当，很可能会导致工件表面划伤甚至报废，那么怎么解决氧化硅抛光液结晶问题呢？  首先要了解硅溶胶抛光液的特点属性。二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经水解法离子、交换法制备成的一种高纯度低金属离子型产品。在水性环境中容易形成一种离子网状结构，而一脱离了水份，表面积迅速凝结形成结晶块，所以只要保持水分基本上是不会出现结晶现象。在实际CMP抛光工艺当中硅溶胶抛光液会一直在研磨盘转动、流动，结晶情况较少。  因此氧化

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蓝宝石窗口平面加工--蓝宝石研磨液

 蓝宝石平面视窗、精密质量蓝宝石视窗、高精度质量蓝宝石视窗是为各种光学、机械和电子应用提供了强度、耐磨性、化学惰性适用于光学和激光应用，这些蓝宝石窗口设计用于关键的光学和激光应用。蓝宝石窗口的制程中关键步骤需要用到CMP研磨抛光工艺，蓝宝石研磨液适合用于大批量蓝宝石窗口的生产应用。  蓝宝石抛光液以高纯度氧化硅原料制备而成，具有悬浮性好，不易结晶，易清洗等特点。用于蓝宝石工件的镜面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，无划伤，表面质量度高。吉致电子生产研发的蓝宝石窗口CMP抛光研磨液，性能稳

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蓝宝石晶圆怎么研磨--sapphire wafer抛光液实现高平坦度表面

  吉致电子蓝宝石研磨液sapphire slurry又称为蓝宝石抛光液。专业用于蓝宝石衬底、外延片、窗口、蓝宝石wafer的减薄和抛光。蓝宝石抛光液由纯度高的磨粒、复合分散剂和分散介质组成，具有稳定性高、不沉降不易结晶、抛光速度快的优点。   通过CMP工艺搭配蓝宝石专用slurry可实现蓝宝石晶圆的高平坦度加工,吉致电子抛光液利用纳米SiO2粒子研磨表面,不会对加工件造成物理损伤,达到精密加工。蓝宝石CMP抛光液的低金属的成分，可以有效防止产品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致电子氧化层抛光液性能有哪些？

  Oxide slurry 简称OX氧化物研磨液广泛用于氧化层材料的CMP抛光，抛光研磨后达到精准的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圆表面的氧化硅层或者上层金属与氧化硅之间的氧化硅层等。  吉致电子OX氧化层抛光液适用于4-12英寸氧化硅镀膜片的氧化层抛光液。JEEZ半导体抛光液性能优点：①使用纯度高的纳米抛光磨料，拥有高速率加工能力;②slurry粒径大小均匀因此能获得无缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗无残留，对后续工艺影响小。 

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第三代半导体材料--碳化硅晶圆SiC抛光液

  随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起。  碳化硅是新型电力系统，特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料，同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”。从国际技术发展水平来看，碳化硅方面，8英寸衬底开始产业化，车规级功率器件是当前开发重点，多家厂商已推出大功率模组及高温封装产品，碳化硅器件正向耐受更高电压

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吉致电子手机取卡针抛光液

  吉致电子手机液态金属抛光液，手机取卡针抛光液，研磨抛光浆料为粗抛、中抛、精抛浆料悬浮性好，特点是不易沉淀、不结晶、不腐蚀机台，易于清洗。  适用于3C电子产品，手机电子元器件、液态金属、喇叭网听筒/手机音量键、碳素钢抛光液可以迅速去除CNC刀纹、底纹等，抛光后无划伤、橘皮、坑点、针眼等缺陷不含重金属以及有害物质、环保无危害，可接触皮肤。  产品运用抛光液中的CMP化学机械作用，提高抛光速率改善抛光表面的质量颗粒粒径分布适中，最大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率颗粒分散性好，有

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半导体行业CMP化学机械平坦化工艺Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化学机械平坦化工艺，应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化加工。  CMP工艺融合了化学研磨和物理研磨的过程，而单一的化学或物理研磨在表面精度、粗糙度、均匀性、材料去除率及表面损失程度上都不能同时满足要求。CMP工艺兼具了二者的优点，通过抛光液/研磨液（slurry）与抛光垫（Pad）化学机械作用，在保证材料去除效率的同时，得到准确的表面材料层的厚度，获得较好的晶圆表面平坦度和均匀性，实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度，同

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CMP金刚石悬浮液/研磨液的特点及应用

吉致电子金刚石研磨液产品特点：（1）磨料类型多样化，包含单晶、多晶、类多晶及纳米级金刚石等；（2）金刚石悬浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金刚石研磨液粘度可调整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致电子金刚石悬浮液/研磨液应用领域：1、抛光液CMP半导体晶片加工：蓝宝石、碳化硅、氮化镓等半导体晶片;2、抛光液陶瓷加工：氧化锆指纹识别片、氧化锆陶瓷手机后壳及其它功能陶瓷;3、抛光液用于金属材料加工：不锈钢、模具钢、铝合金及其它金属材料。吉致电子CMP研发生产厂家，产品质量和效果媲美进口slurry，CMP抛光液粒度规

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CMP抛光液---纳米氧化铈抛光液的优点

  通常化学机械研磨抛光工艺使用的CMP抛光液有金刚石抛光液、氧化硅抛光液、氧化铝抛光液及氧化铈抛光液（又称稀土抛光液）。  纳米氧化铈为水性液体是吉致电子采用先进的分散工艺，将纳米氧化铈粉体分散在水相介质中，形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米氧化铈水性悬浮液。1.在抛光材料应用中，纳米CeO2抛光液相对硅溶胶，具有抛光划伤少、抛光速度快、易清洗良品率高等优势，且PH中性，使用寿命长、对抛光表面污染小，不易风干。2.在抛光军用红外激光硅片、异型硅、超薄硅片方面上，尤其是抛光超薄硅片，纳米氧化铈

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吉致电子常见的CMP研磨液

  CMP 化学机械抛光液slurry的主要成分包括：磨料、添加剂和分散液。添加剂的种类根据产品适用场景也有所不同，分金属抛光液和非金属抛光液。金属CMP抛光液含：金属络合剂、腐蚀抑制剂等。非金属CMP抛光液含：各种调节去除速率和选择比的添加剂。  根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中，铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm 及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线；硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。吉致电子常见的CMP研

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研磨液厂家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化学机械平面工艺中的研磨材料和化学添加剂的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性剂、氧化剂、PH缓冲胶和防腐剂等成分组成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二铝（Al2O3）、 氧化铈（CeO2）,金刚石（单晶、多晶）等。  通俗来讲，芯片制造就像盖高楼，一层一层往上叠加，要想楼不塌，在制造下一层前必须确保本层的平坦度，这就是CMP平坦化的诉求。Wafer晶圆在制造过程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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