化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造的关键步骤，这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整，达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，CMP耗材品质直接影响抛光效果，对提高晶圆制造质量至关重要。

  CMP抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。

  CMP抛光液的类别：根据应用领域，抛光液可分为硅抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、钴抛光液、介质层（TDL）抛光液、浅槽隔离层（STI）抛光液和3D封装硅通孔（TSV）抛光液。硅抛光液主要用于对硅晶圆的初步加工；铜及铜阻挡层抛光液主要用于对铜和铜阻挡层进行抛光；钨抛光液主要用于制造存储芯片，在逻辑芯片中只用于部分工艺段；钴抛光液主要用于10nm节点以下芯片。

  随着制程不断迭代，未来抛光材料将往专用化和定制化方向发展，吉致电子专业研发生产CMP抛光液及抛光耗材，为解决半导体晶圆抛光难题而努力！

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