随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来我国半导体材料市场发展迅猛，CMP Slurry 半导体抛光液的需求也在增长。其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注，两者经常被拿来比较。

  同为宽近带半导体的成员，碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料，它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求暴涨，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

  ①性能不同：高电子迁移率和电子饱和速度允许更高的工作频率，高临界场允许这些器件能在更高的电压和更低的漏电流中操作。对于射频和开关电源设备而言，氮化镓NaG的电子迁移率高于碳化硅SiC，而碳化硅高于硅，故氮化镓应该最终成为极高频率的最佳设备材料，高导热系数意味着材料能够更有效的传导热量，碳化硅具有更高的热导率，意味着碳化硅器件理论上可以在更高的功率密度下操作。氮化镓相对较差的导热性使系统设计人员处理氮化镓器件的热量管理面临一个挑战。

  ②应用不同：氮化镓和碳化硅在材料性能上各有优劣，因此在应用领域上各有侧重和互补。

  氮化镓的商业化应用始于led照明和激光器，而射频和功率器件是发挥氮化镓宽禁带半导体特性的主要应用领域。5G基站会用到多发多收天线阵列方案，氮化镓射频器件对于整个天线系统的功耗和尺寸都有巨大的改进，因此5G通信将是氮化镓射频器件市场的主要增长驱动因素。碳化硅能大大降低功率转换中的开关损耗，因此具有更好的能源转换效率，更容易实现模块的小型化，更耐高温。目前主要用于高温、高频、高效能的大功率元件，如智能电网、交通、新能源汽车、光伏、风电。其中新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动因素，主要的运动器件有功率控制单元、逆电器、BCDC转换器、车载充电器等。

  吉致电子关于第三代半导体材料碳化硅、氮化镓的CMP化学机械表面平坦化工艺，研发的研磨液抛光液，具有低缺陷、高去除率和良好的平坦化效果，我司碳化硅抛光液、氮化镓抛光液在实际应用中均有良好的表现，数据媲美进口半导体抛光液，可以做到国产化替代。

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