半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别
常用的半导体抛光液,按抛光对象的不同分W钨抛光液、CU铜抛光液、氧化层抛光液、STI抛光液等。其中铜抛光液slurry主要应用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺,而钨抛光液W slurry则大量应用于存储芯片制造工艺,在逻辑芯片中用量较少。
铜抛光液,主要由腐蚀剂、成膜剂和纳米磨料组成。腐蚀剂用来腐蚀溶解铜表面,成膜剂用于形成铜表面的钝化膜,钝化膜的形成可以保护腐蚀剂的进一步腐蚀,并可有效地降低金属表面硬度。除此之外,CMP抛光液中经常添加一些化学试剂以调节PH值,为抛光过程的化学反应提供一定的酸碱性环境,确保化学反应能顺利、高效地进行。
钨CMP抛光液主要用于金属钨(W)的CMP抛光,以达到精准的表面平整度和厚度控制。半导体W CMP抛光液通常包含了一些化学物质,如氧化剂、酸、碱等,以及磨料等。这些化学物质和磨料的组合可以提供高选择比和低表面粗糙度的抛光效果。在半导体制造中,W CMP抛光液广泛用于金属钨的制造,如金属钨的连接导线和金属栅极等。
吉致电子半导体抛光耗材包括CMP抛光液、研磨液、清洗液、无纺布研磨垫、抛光垫、阻尼布精抛垫等,应用于铜阻挡层系列、钨抛光液、硅抛光液、氧化物抛光液、STI抛光等使用。
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