碳化硅SiC衬底因其脆硬性特性再叠加大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，被视为典型难加工材料。高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点。

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  碳化硅相较于第一、二代半导体材料具有更优良的热学、电学性能，如宽禁带、高导热、高温度稳定 性和低介电常数等，这些优势使得以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料广泛应用于高温、高频、高功率 以及抗辐射等极端工况.作为高性能微电子和光 电子器件制造的衬底基片，碳化硅衬底加工后的表面、亚表面质量对器件的使用性能有着极为重要的影响。因此，其加工不仅要保证较高的面型精度和亚纳米级的粗糙度，还要避免表面及亚表面损伤。

  碳化硅的主要加工过程分为切割、磨削、研磨、抛光。其中磨削/研磨以及抛光这两道工序是决定碳化硅衬底最终加工质量优劣的关键工序。

  以化学腐蚀为主的反应磨抛技术的核心是通过化学试剂或特种能场对碳化硅的表面进行氧化腐蚀，从而形成较软的变质层，再通过磨粒划擦将变质层去除。这类反应磨抛技术以抛光加工为主，其中又细分为CMP化学机械抛光 、电化学机械抛光、等离子体辅助抛光 、紫外光辅助化学抛光等不 同类型的抛光方法。

CMP化学机械抛光技术 

  目前业内最主流的化学腐蚀反应抛光技术是化学机械抛光技术（Chemical Mechanical Polishing， CMP），化学机械抛光技术是一种在加工过程中利用 化学试剂腐蚀和磨粒机械去除复合的方法对衬底材料进行超精密加工的反应抛光技术，能够获得超光滑甚至无损伤的衬底表面

  为了提高化学机械抛光作用，研究人员在两个方面进行了升级：

 ①材料的去除率，通过使用较硬的磨料可以有效提高机械作用。?

 ②改变抛光液的PH值或者加入氧化剂、催化剂可以提高化学作用。从碳化硅的化学机械抛光研究中可以看出，通过提高加工中的机械作用以及化学作用都可以提高 加工效率，也取得一定效果。

  化学机械抛光中最主要的优化方向是平衡化学反应的速率以及机械去除的速率。当化学反应的速率高于机械去除的速率时就无法及时去除化学反应生成的软质 SiO₂层，加工后碳化硅表面会残留一定厚度且成分为 SiO₂的损伤层；当机械去除的速率高于化学反应的速率时，碳化硅表面还来不及形成软质 SiO₂层就与磨料接触，导致材料去除率过低。因此，平衡化学反应速率和机械去除速率能够同时获得较高的表面质量以及材料去除率。

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