吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

Suba800抛光垫国产替代一样香

  Suba800是一款在半导体及集成电路相关领域被广泛使用的cmp抛光垫。其作为化学机械平面研磨工艺的知名耗材，产品特性显著且稳定性高，适用于半导体硅片、晶圆、精密陶瓷、蓝宝石衬底等工件的表面平坦化。  Suba800抛光垫还适用于光学和金属材料的抛光。在光学材料的抛光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光学性能。在金属工件抛光中，Suba800能够有效去除金属表面的氧化膜和划痕，使其表面更加光滑、亮丽。  无锡吉致电子科技有限公司生产的 Suba800国产替代产品

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DNA基因芯片cmp工艺

  基因芯片又称DNA芯或DNA微阵列。它是一种同时将大量的探针分子固定到固相支持物上，借助核酸分子杂交配对的特性对DNA样品的序列信息进行高效解读和分析的技术，主要应用在医学领域、生物学研究领域和农业领域。DNA芯片生产过程需要经过CMP研磨抛光去除基板水凝膜，达到理想表面效果。 吉致电子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的软材料,软材料包括但不限于聚合物、无机水凝胶或有机聚合物水凝胶等。基因芯片研磨液使用微米级磨料制备，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝

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纳米抛光液---吉致电子氧化硅slurry的应用及特点

  吉致电子纳米级氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型CMP抛光产品。粒度均一的SiO2磨料颗粒在CMP研磨过程中分散均匀，能达到快速抛光的目的且不会对加工件造成物理损伤。纳米级硅溶胶抛光液不易腐蚀设备，提高了使用的安全性。制备工艺和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面划伤少。  吉致电子氧化硅slurry粒径分布可控，根据不同的抛光需求，生产出不同粒径大小的纳米氧化硅抛光液，粒径范围通常在 5-100nm 之间。以氧化硅为磨料的纳米抛

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吉致电子铌酸锂抛光液的重要作用

吉致电子铌酸锂晶体化学机械抛光液在多个领域展现出广泛的用途。铌酸锂在半导体行业中是晶圆制备过程中的关键材料。通过CMP化学机械抛光，能够有效提高晶圆的表面平整度和光洁度，为后续的半导体器件制造提供优质的基础。例如，在集成电路的生产中，铌酸锂晶体化学机械抛光液能够精确地去除工件表面的微小凸起和杂质，达到表面平坦化效果，确保后期芯片制造的性能和可靠性。铌酸锂cmp抛光液还能为光学表面提供高光洁度抛光，因其具有优良的电光、声光、压电等性能，在光电子领域有着广泛的应用。经过CMP抛光液处理后的铌酸锂光学元件，表面粗糙度极低

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欢度十一国庆：吉致电子与您共同庆祝祖国生日，共创美好未来

亲爱的吉致电子同仁、客户、合作伙伴： 2024年10月1日，中华人民共和国迎来75周年华诞，情牵华夏心连心，值此普天同庆的时刻，我们想借此机会表达对祖国、对奋斗拼搏的各位之深深热爱和祝福，愿我们的祖国更上一层楼！ 吉致电子作为一家富有浓厚爱国情怀且正在蓬勃发展的电子科技企业，我们深知自己的使命与愿景：致力于研发生产卓越的集成电路精密抛光产品，为国家半导体行业贡献一份力。吉致电子们与祖国同呼吸、共命运，有了祖国的支持我们的cmp抛光研磨产品才能不断地推陈出新，吉致电子将始终坚守初心，全力以赴为客户

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吉致电子：CMP钼金属研磨液，点亮钼材非凡光彩

  无锡吉致电子科技有限公司是CMP研磨液、抛光垫及CMP抛光耗材研发生产厂家，至今已有 20 余年的研发经验。  吉致电子CMP产品广泛应用于金属、光电、集成电路半导体、陶瓷、硬盘面板显示器等材质的表面深度处理，目前已发展为集研发、生产、销售于一体的现代工业科技厂家。目前我司生产的钼金属研磨液适用于平面形态的钼、钼合金工件的镜面抛光，通过  化学机械平面研磨工艺，使钼金属表面快速去粗和平坦化，过程简单来说就是利用抛光设备将钼金属抛光液化学氧化腐蚀钼合金表面，再通过抛光垫外力研磨去除氧

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吉致蓝宝石研磨液--高效研磨与抛光的理想选择

蓝宝石研磨液:高效研磨与抛光的理想选择蓝宝石研磨液，作为一种在精密加工领域中发挥着重要作用的研磨材料，主要用于蓝宝石衬底的研磨和减薄，以实现其表面的高精度和高质量处理。一，组成成分蓝宝石研磨液主要由以下几部分组成:1.优质聚晶金刚石微粉:这是研磨液的核心磨料，具有极高的硬度和耐磨性，能够有效地去除蓝宝石表面的材料，实现高效研磨。聚晶金刚石的独特结构使其在研磨过程中能够保持良好的切削性能，同时减少对工件表面的划伤2.复合分散剂:其作用是确保聚晶金刚石微粉能够均匀地分散在研磨液中，避免颗粒团聚,从而保证研磨液的稳定性和

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吉致电子--共庆2024花好月圆中秋节

  海上生明月，天涯共此时！2024中秋佳节将近，月到中秋分外明，佳节喜气伴你行。人逢喜事精神爽，人月两圆事业成。心宽气顺身体棒，合家幸福享天伦。  无论您在天涯海角，无锡吉致电子科技有限公司全体成员都深深祝褔您，----中秋团圆，幸福美满，佳节快乐!无锡吉致电子科技有限公司https://www.jzdz-wx.com/联系电话：17706168670邮编：214000?地址：江苏省无锡市新吴区新荣路6号

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吉致电子蓝宝石抛光液双面研磨与单面精磨

  蓝宝石衬底的表面平坦加工旨在去除线切产生的线痕、裂纹和残余应力等表面、亚表面损伤层，提升蓝宝石晶片的表面质量，从而达到 LED 芯片制备的表面质量要求。CMP化学机械研磨工艺是解决蓝宝石衬底表面平坦化的有效工艺之一，那么双面研磨与单面精磨工艺是怎样的，研磨抛光耗材该怎么选？  蓝宝石衬底双面研磨可实现上、下两个平面的实时同步加工，有效减小两个平面之间因加工引起的应力应变差，具有较好的表面翘曲度和平整度修正效果;但双面研磨后晶片表面仍然存在着厚度为(0~25)um的表面/亚表面损伤层，而化学机

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衬底与晶圆材料的选择与特性

衬底材料半导体衬底材料的选择对器件性能有重大影响。常见的衬底材料包括硅、砷化镓、碳化硅等。硅衬底：硅SI是最常见的衬底材料，因其优良的电学、热学和机械特性广泛应用于集成电路和微电子器件。硅衬底具有成本低、加工成熟、易于大规模生产等优点。砷化镓衬底：砷化镓GaAs具有高电子迁移率和良好的光电特性，常用于高频器件和光电器件。虽然成本较高，但在特定领域有无可替代的优势。碳化硅衬底：碳化硅SIC具有高硬度、高热导率和高温稳定性，适用于高温、高功率和高频应用。碳化硅衬底的加工难度较大，但其优异的性能使其在特定领域有着重要应用

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CMP抛光液---半导体抛光液种类有哪些

  半导体抛光液种类有哪些？CMP抛光液在集成电路领域的应用远不止晶圆抛光，半导体使用的CMP制程包括氧化层（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金属层（Metal CMP）。就抛光工艺而言，不同制程的产品需要不同的抛光流程，28nm制程需要12~13次CMP，进入10nm制程后CMP次数将翻倍，达到25~30次。STI CMP Slurry---浅沟槽隔离平坦化  STI浅沟槽隔离技术是用氧化物隔开各个门电路，使各门电路之间互不导通，STI CMP工艺的目标是去除填充在浅沟槽中的

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吉致电子 Cu CMP研磨工艺的三个步骤

Cu CMP研磨工艺通常包括三步。第一步：用来磨掉晶圆表面的大部分金属。第二步：通过降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属,并通过终点侦测技术（Endpoint）使研磨停在阻挡层上。第三步：磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物,并用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆。Cu CMP研磨工艺中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之对阻挡层和介质层具有高的选择性,而第三步的研磨液通常是偏碱性,对不同材料具有不同的选择性。这两种研磨液（金属研磨液/介质研磨液）都应该含有H2O2、抗腐蚀的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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CMP抛光垫的种类及特点

Cmp抛光垫种类可按材质结构主要有：聚合物抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫、复合型抛光垫。①聚合物抛光垫聚合物抛光垫的主要成分是发泡体固化聚氨酯，聚氨酯抛光垫具有抗撕裂强度高、耐磨性强、耐酸碱腐蚀性优异的特点，是最常用的抛光垫材料之一。 图 聚氨酯抛光垫微观结构 在抛光过程中，聚氨酯抛光垫表面微孔可以软化和使抛光垫表面粗糙化，并且能够将磨料颗粒保持在抛光液中，可以实现高效的平坦化加工。聚氨酯抛光垫表面的沟槽有利于抛光残渣的排出。但聚氨酯抛光垫硬度过高，抛光过程中变形小，加工过程中容

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半导体晶圆常见材质有哪些

半导体晶圆常见材质有哪些？晶圆常见的材质包括硅、蓝宝石、氮化硅等。一、硅晶圆硅是目前制造半导体器件的主要材料，因其易加工、价格较低等优良性能被广泛采用。硅晶圆表面光洁度高，可重复性好，在光电子技术、光学等领域有着重要的应用。其制造过程主要包括单晶生长、切片和抛光等工序。二、蓝宝石晶圆蓝宝石（sapphire）是一种高硬度透明晶体，其晶格结构与GaAs、Al2O3等半导体材料相近，尤其因其较大的带隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到广泛应用。此外，蓝宝石的高强度、高抗腐蚀性也使其成为防护材料，如用于

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吉致电子CMP抛光垫的作用

CMP技术是指被抛光材料在化学和机械的共同作用下，工件表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。cmp抛光液中的化学成分与被抛磨工件材料表面进行化学反应，形成易去除的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的机械载荷；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学性能以外，其表面组织

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衬底与晶圆在半导体制造中的应用

  衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料，承载着芯片和器件；而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圆则是衬底的一部分，具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜，而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。 衬底的应用：承载半导体芯片：衬底是半导体芯片的基础，提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。基础层的沉积：在制造过程中，衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积，如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保

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金属互连中的大马士革工艺

 在半导体制程中为了连接不同的电路元件，传递电子信号和为电路元件供电，需要使用导电金属来形成互连结构。铝曾经是半导体行业中用于这些互联结构的主要材料。然而，随着半导体技术的进步和特征尺寸的不断缩小，铜成为了替代选择，那么这个过程是如何演变的呢？  金属互连工艺历史：早期的集成电路使用了金作为互连材料，到60-90年代中期，铝逐渐成为集成电路制造中最主要的互连导线材料。1997年，美国 IBM 公司公布了先进的铜互连技术，标志着铜正式开始替代铝成为高性能集成电路的主要互连材料。 

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蓝宝石激光领域视窗抛光液

  蓝宝石激光领域视窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸从0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的规格制造,包括阶梯边缘、椭圆形边缘望造、孔、槽和楔角。  蓝宝激光领域视窗对快速移动的沙子、盐水和其他颗粒物具有抵抗力,非常适合所有类型的激光武器系统、大功率微波和其他需要极其平坦和坚固的光学技术的应用。  吉致电子蓝宝石激光领域视窗抛光液，具有良好的稳定性，提高蓝宝石视窗片抛光速率的同时保证蓝宝石表面光滑、无缺陷的全局平坦化质量。无锡吉致电子科

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半导体晶圆CMP化学机械研磨抛光的原因

 什么是CMP化学机械研磨抛光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其实为化学与机械研磨（C&MP）的意思，化学作用与机械作用平等。目前CMP已成为半导体制程主流，其重要的原因主要有二：①为了缩小芯片面积，因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线（七层以上），因线宽极细，且需多层堆叠，故光刻制程即为一关键步骤。若晶圆表面凹凸不平，平坦度差，则会影响光刻精确度，因此需以CMP达成晶圆上金属层间之全面平坦化（Global Planarization）。②为了降低元件之电

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SiC碳化硅衬底加工的主要步骤

SiC碳化硅衬底加工的主要分为9个步骤：晶面定向、外圆滚磨、端面磨、线切、倒角、减薄、CMP研磨、CMP抛光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射线衍射法为晶锭定向，当一束 X 射线入射到需要定向的晶面后，通过衍射光束的角度来确定晶面的晶向。2.外圆滚磨：在石墨坩埚中生长的单晶的直径大于标准尺寸，通过外圆滚磨将直径减小到标准尺寸。3.端面磨：SiC 衬底一般有两个定位边，主定位边与副定位边，通过端面磨开出定位边。4.线切割：线切割是碳化硅SiC 衬底加工过程中一道较为重要的工序。线切过程中造成的裂纹损伤、残留的亚表面

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