吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

硅晶圆芯片抛光如何选择无蜡吸附垫？

半导体制造领域，无蜡吸附垫Template正逐渐成为提升生产效率与加工精度的关键要素。相较于传统蜡模装夹工艺，无蜡吸附垫展现出诸多优势。如何挑选出契合晶圆、芯片CMP抛光需求的无蜡吸附垫，成为众多半导体企业关注的焦点。选择半导体无蜡吸附垫，吉致电子建议您可从以下几个方面考虑：考虑晶圆尺寸与类型：不同的半导体加工涉及不同尺寸的晶圆，如8英寸或12英寸等，需选择与之适配的无蜡吸附垫。同时，根据晶圆材料类型，如硅片、SiC、蓝宝石衬底等，选择具有相应材料兼容性的吸附垫，确保在加工过程中不会对晶圆造成化学腐蚀等损害。关注吸

查看详情>>

吉致电子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半导体制造升级

吉致电子碳化硅CMP研磨液采用多组分协同作用的设计理念，结合氧化铝磨料的高效机械作用与高锰酸钾的精密化学氧化，实现了材料去除率与表面质量的完美平衡。产品经过严格的质量控制和实际产线验证，具有以下核心优势：1. 高效化学-机械协同抛光机制吉致电子CMP研磨液的独特之处在于其双重作用机制：高锰酸钾(KMnO4)作为强氧化剂，在抛光过程中将碳化硅表面氧化生成较软的SiO2层，这一氧化层硬度显著低于碳化硅基底，随后被氧化铝磨料高效机械去除。通过调节pH值(通常控制在10-11之间)，实现了氧化速率与机械去除的最佳匹配，既保

查看详情>>

吉致电子：以创新CMP抛光液技术赋能碳化硅衬底新时代

随着第三代半导体产业的蓬勃发展，碳化硅(SiC)衬底凭借其卓越性能，正在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域掀起技术革命。作为国内领先的半导体材料解决方案提供商，吉致电子深耕碳化硅衬底CMP抛光液研发，为行业提供高性能、高稳定性的抛光解决方案。碳化硅衬底：高端应用行业的基石碳化硅衬底因其宽禁带、高导热等特性，成为制造高压、高温、高频器件的理想选择。在新能源汽车领域，采用SiC衬底的功率模块可使逆变器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC衬底的射频器件能显著提升信号传输效率。这些高端应用对衬底表面质量提出严苛要

查看详情>>

吉致电子无蜡吸附垫革新晶圆制造工艺：零残留·高平坦·更稳定

在半导体晶圆抛光领域传统蜡模装夹工艺存在效率低、良率受限等痛点，而半导体真空吸附垫Template技术的创新和使用正在推动行业变革。吉致电子通过定制化半导体晶圆抛光的CMP（化学机械平坦化）无蜡吸附垫、真空吸附板设计，可为半导体领域客户提升生产效率。吉致电子真空吸附垫/CMP抛光模版通过「无蜡革命」，为硅片、晶圆、SiC、蓝宝石衬底、光学玻璃等材料提供高精度抛光解决方案。传统蜡粘工艺的核心痛点效率瓶颈蜡模需加热/冷却固化，单次装夹耗时30分钟以上，影响产能。残留蜡清洗工序复杂，增加非生产

查看详情>>

国产替代｜吉致电子硅片CMP抛光液Slurry

一、CMP抛光技术：半导体制造的关键工艺化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半导体硅片制造的核心工艺之一，直接影响芯片性能与良率。在硅片加工过程中，CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现原子级表面平坦化（粗糙度<0.2nm），满足先进制程对晶圆表面超洁净、超平整的要求。吉致电子CMP抛光液的三大核心作用①高效抛光：纳米级磨料（如胶体SiO2）精准去除表面凸起，提升硅片平整度，减少微划痕。②润滑保护：特殊添加剂降低摩擦系数（<0.05），减少

查看详情>>

吉致电子：金刚石悬浮液的作用及功效（CMP抛光专用）

在半导体制造、精密光学、硬质合金加工等领域，材料表面的超精密抛光直接决定了产品的性能与可靠性。吉致电子凭借先进的研发实力和成熟的工艺技术，推出高性能金刚石抛光液/研磨液系列产品，为高硬度材料提供高效、稳定的抛光解决方案。吉致电子金刚石悬浮液产品（研磨液/抛光液）可满足不同抛光需求，根据材料特性和工艺要求分为以下几类：1. 按晶体结构分类单晶金刚石抛光液：晶体结构单一，切削力均匀，适合高精度表面抛光，减少亚表面损伤。多晶金刚石抛光液：由多向晶粒组成，材料去除率高，适用于高效粗抛和中抛。类多晶金刚石抛光液：兼具单晶和多

查看详情>>

3C产品镜面抛光解决方案：无麻点SiO2氧化硅抛光液

为什么3C产品镜面抛光首选CMP而非电解抛光？在3C行业（手机、笔记本、智能穿戴等），电解抛光因易导致边缘过蚀、材料限制等问题，逐渐被CMP（化学机械抛光）取代。吉致电子通过纳米级SiO?抛光液的机械-化学协同作用，可实现：①纳米级精度：表面粗糙度Ra＜2nm，满足光学级镜面要求②复杂结构适配：适用于铝合金中框、不锈钢按键等异形件③效率提升：较传统工艺缩短30%工时二氧化硅抛光液麻点问题深度解析客户反馈的麻点问题多源于：硅溶胶腐蚀：低纯度浆料中的Na?、Cl?引发金属电化学腐蚀工艺缺陷：前道粗抛残留划痕＞0.1μm

查看详情>>

Fujibo抛光垫国产替代挑战与吉致电子解决方案

Fujibo（日本富士纺）是知名的抛光垫制造商，其产品广泛应用于半导体、液晶显示器（LCD）、硬盘（HDD）蓝宝石衬底等精密加工领域。Fujibo抛光垫因其高精度抛光、均匀性、耐磨性好等特点，长期以来占据市场主导地位，但随着国内技术的突破和产业链的完善，国产抛光垫正逐步实现对进口产品的替代。吉致电子作为国内经验丰富的电子行业CMP抛光材料供应商，致力于为客户提供高性价比的国产抛光垫解决方案，助力企业降本增效，保障供应链安全。国产抛光垫替代Fujibo的五大优势1. 显著降低成本，提升竞争力国产抛光垫价格比Fujib

查看详情>>

化学机械CMPAl2O3氧化铝精抛液

吉致电子氧化铝精抛液（CMP Slurry）采用高纯度分级氧化铝微粉为原料，经特殊表面改性工艺处理，通过科学配方精密配制而成。具有以下显著优势：适用于化学机械平面研磨工艺CMP场景---铝合金、不锈钢、钨钢、铸铁件等金属材质;以及蓝宝石、碳化硅衬底、光学玻璃、精密陶瓷基板等半导体衬底材料的精密抛光加工。氧化铝精抛液性能优势突出：独特的抗结晶配方，确保抛光过程稳定对抛光设备无腐蚀，维护简便残留物易清洗，提高生产效率氧化铝精抛液效果卓越：创新的化学机械协同作用机制，显著提升抛光效率优化的表面处理工艺，确保抛光面质量达到

查看详情>>

化学机械抛光（CMP）如何优化陶瓷覆铜板平坦化？

陶瓷覆铜板（Ceramic Copper-Clad Laminate，简称陶瓷基覆铜板或DBC/DPC）是一种高性能电子基板材料，广泛应用于高功率、高温、高频等苛刻环境下的电子器件中。它由陶瓷基板和覆铜层通过特殊工艺结合而成，兼具陶瓷的优异性能和金属铜的导电特性。陶瓷覆铜板CMP研磨液是一种专用于化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工艺的特殊液体，用于对陶瓷覆铜板（如DBC、DPC等）表面进行高精度平坦化处理。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，去除铜层和陶

查看详情>>

从衬底到外延片：半导体材料的层级关系与作用

半导体衬底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半导体制造中的两种关键材料，它们的区别主要体现在定义、结构、用途和制备工艺上：1. 定义与作用衬底（Substrate）是半导体器件的“基础载体”，通常为单晶圆片（如硅、碳化硅、蓝宝石等），提供机械支撑和晶体结构模板。功能：确保后续外延生长或器件加工的晶体结构一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在衬底表面通过外延生长技术（如气相外延、分子束外延）沉积的一层单晶薄膜。功能：优化电学性能（如纯度、掺杂浓度）

查看详情>>

吉致电子：半导体陶瓷CMP工艺抛光耗材解析

在半导体陶瓷的化学机械抛光（CMP）工艺中，吉致电子（JEEZ Electronics）作为国产CMP耗材供应商，其抛光液（Slurry）和抛光垫（Polishing Pad）等产品可应用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是结合吉致电子的技术特点，半导体陶瓷CMP中的潜在应用方案：吉致电子CMP抛光液在半导体陶瓷中的应用半导体陶瓷CMP研磨抛光浆料特性与适配性CMP Slurry磨料类型：纳米氧化硅（SiO2）浆料：适用于SiC、GaN等硬质陶瓷，通过表面氧化反应（如SiC + H2O2 → SiO2 +

查看详情>>

CMP阻尼布抛光垫：多材料精密抛光的解决方案

阻尼布抛光垫/精抛垫是CMP工艺中材料纳米级精度的关键保障：在半导体化学机械抛光（CMP）工艺的最后精抛阶段，阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）扮演着决定晶圆最终表面质量的关键角色。这种特殊丝绒状材料的CMP抛光垫，质地细腻、柔软，表面多孔呈弹性，使用周期长。阻尼布抛光垫可对碳化硅衬底、精密陶瓷、砷化镓、磷化铟、玻璃硬盘、光学玻璃、金属制品、蓝宝石衬底等材质或工件进行精密终道抛光，在去除纳米级材料的同时，实现原子级表面平整度，是先进制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精抛阶段的特殊挑战与需求与粗抛或中抛阶段不同，精抛工艺面临

查看详情>>

如何解决二氧化硅抛光液结晶问题？吉致电子CMP抛光专家支招

在半导体、光学玻璃等精密制造领域，二氧化硅（SiO2）抛光液因其高精度、低损伤的特性被广泛应用。然而，抛光液在存储或使用过程中可能出现结晶结块现象，轻则影响抛光效果，重则导致工件划伤甚至报废。如何有效避免和解决这一问题？吉致电子凭借多年CMP抛光液研发经验，为您提供专业解决方案！一、结晶原因分析二氧化硅抛光液以高纯度硅粉为原料，通过水解法制备，其胶体粒子在水性环境中形成稳定的离子网状结构。但若水分流失、温度波动或pH失衡，粒子会迅速聚集形成硬质结晶。主要诱因包括：存储不当（温度过高/过低、未密封）抛光液停滞（流动不

查看详情>>

先进制程下的CMP挑战：无纺布抛光垫技术演进与实践

在化学机械平面化（CMP）工艺中，无纺布抛光垫是一种关键组件，其作用主要体现在以下几个方面：1. 表面平整化•机械研磨作用：复合无纺布抛光垫的纤维结构具有一定的弹性与刚性，能够承载研磨颗粒（如二氧化硅、氧化铝等），在压力下与晶圆表面接触，通过相对运动实现材料的均匀去除。•微观形貌调控：垫子的多孔结构和纤维分布有助于分散局部压力，减少划伤，促进全局平坦化。2. 研磨浆料的输送与分布•储存与释放浆料：无纺布的多孔特性可吸附并均匀释放化学研磨浆料（包含腐蚀性化学试剂和磨料），确保浆料持续供给

查看详情>>

碳化硅抛光垫选型指南：4道工序如何匹配CMP解决方案？

在碳化硅衬底的研磨和抛光工艺中，抛光垫的选择需根据工序特性（粗磨、精磨、粗抛、精抛）匹配不同性能的抛光垫。以下是关键要点及吉致电子产品的适配方案：碳化硅抛光垫选型要点一、碳化硅衬底粗磨阶段需求：高材料去除率、强耐磨性。推荐：高硬度复合无纺布抛光垫JZ-1020，压纹/开槽设计增强研磨液流动性，避免碎屑堆积。二、碳化硅衬底精磨阶段需求：平衡表面平整度与中等去除率。推荐：中硬度抛光垫，特殊纤维结构提升表面一致性，减少亚表面损伤。碳化硅SiC衬底 研磨垫（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅衬底粗抛阶段需求：过渡到低表面

查看详情>>

Template无蜡吸附垫在半导体CMP中的应用

在硅片抛光（尤其是化学机械抛光CMP）工艺中，无蜡吸附垫（Wax-free Adhesive Pad）相比传统蜡粘接方式具有显著优势，主要体现在工艺性能、缺陷控制、生产效率和环保合规等方面。吉致电子半导体行业晶圆、衬底、硅片专用无蜡吸附垫Template凭借五大核心优势，为半导体芯片生产带来革新体验。?①无蜡吸附垫:消除蜡污染，提升晶圆洁净度传统蜡粘接方式固定工件晶圆易造成蜡渍扩散、杂质吸附，干扰光刻、刻蚀等精密工序。吉致电子无蜡吸附垫 template 从源头杜绝蜡质污染，为晶圆打造纯净加工环境，有效降低芯片不良

查看详情>>

吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

查看详情>>

钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

查看详情>>

先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展

化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可

查看详情>>