吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

精密制造新标杆：吉致电子蓝宝石研磨液技术解析

蓝宝石研磨液Sapphire Slurry，也称为蓝宝石抛光液，是专为蓝宝石材料精密加工而设计的高性能抛光液。产品广泛应用于蓝宝石衬底、外延片、光学窗口、蓝宝石晶圆（Wafer）的减薄和抛光工艺，能够满足高平坦度、高表面质量的加工需求。吉致电子蓝宝石抛光液由高纯度磨粒、复合分散剂和分散介质精心配制而成，具有以下显著优势：1.高稳定性：悬浮体系稳定，不易沉降或结晶，确保抛光过程的一致性；2.高效抛光：抛光速度快，显著提升加工效率；3.精密加工：采用纳米SiO2粒子作为磨料，可在高效研磨的同时避免对工件表面造成物理损伤

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吉致电子：Oxide抛光液的核心作用与应用解析

氧化层抛光液（OX slurry）是一种专为半导体制造、金属加工及精密光学元件等领域设计的高性能化学机械抛光（CMP）材料。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，精准去除材料表面的氧化层、瑕疵及微观不平整，从而实现高平整度、低缺陷率的抛光效果。该技术贯穿芯片 “从砂到芯” 的全流程，是集成电路制造中晶圆平坦化工艺的关键材料。吉致电子氧化层抛光液的功能与优势如下：一、吉致电子CMP氧化层抛光液的核心功能1.精准表面处理通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，定向去除材料表面氧化层、瑕疵及微观不

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吉致电子解析：磷化铟衬底怎么抛光研磨

磷化铟（InP）作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的典型代表，凭借其高电子迁移率、宽禁带宽度和良好的光电性能，在光通信器件、激光器和探测器等领域占据关键地位。其精密加工要求严苛，尤其是表面粗糙度需达到纳米级（Ra < 0.1nm），传统机械研磨易导致晶格损伤，化学机械抛光（CMP）技术则成为实现原子级平整表面的核心工艺。吉致电子将系统介绍InP磷化铟衬底CMP抛光从粗磨到精抛的流程及控制要点。一、Inp磷化铟抛光准备工作材料：准备好磷化铟工件，确保其表面无明显损伤、杂质。同时准备吉致电子CMP研磨垫，如聚氨酯抛光垫，其

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吉致电子：氧化铈抛光液在CMP应用中的3个特性

在精密制造领域，化学机械抛光（CMP）工艺的重要性不言而喻，而高品质抛光液是其关键。纳米氧化铈（CeO2）因其特性，氧化铈抛光液在半导体领域、光学领域、晶圆硅片蓝宝石衬底材料中的多元应用，赋能多领域发展助力半导体产业升级。吉致电子作为CMP工艺耗材厂家，研发生产的氧化铈抛光液选用氧化铈微粉与高纯纳米氧化铈作磨料，粒径可按客户需求定制。氧化铈纯度高，切削力强，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均匀，长期储存不易沉淀，确保抛光性能稳定，为精密作业筑牢根基。氧化铈抛光液在CMP工艺中的优良性能主要体现在三个方面：①高硬度与

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吉致电子科普时间：半导体制造中晶圆和衬底的不同应用场景

在半导体制造领域，衬底和晶圆因自身特性不同，有着截然不同的应用场景。衬底作为半导体器件的基础支撑材料，主要应用于早期工艺环节。在集成电路制造中，它是后续外延生长、薄膜沉积等工艺的起始平台。比如在生产硅基半导体时，硅衬底为生长高质量的外延层提供稳定基底，保证外延层的晶体结构与衬底晶格匹配，从而为晶体管、二极管等器件的构建奠定基础。在光电器件制造方面，如发光二极管（LED），蓝宝石衬底常被使用，它为 LED 芯片的生长提供了合适的晶格结构，有助于实现高效的光电转换。此外，在功率半导体领域，碳化硅衬底因其优良的热导率和电

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半导体铜CMP抛光液：铜互连工艺的核心材料

半导体铜化学机械抛光液（Copper CMP Slurry）是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光（CMP）的关键材料。随着半导体技术的发展，铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能，取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用，确保铜层平整化并实现多层互连结构，CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。 一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成：主要磨料颗粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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硬盘玻璃的表面抛光主要用什么工艺？

    硬盘玻璃（也称为硬盘盘片基板或玻璃基板）是一种用于制造硬盘驱动器（HDD）盘片的特殊玻璃材料。它是硬盘盘片的基础材料，用于存储数据。硬盘玻璃通常采用特殊的铝硅酸盐玻璃或化学强化玻璃，具有硬度高、轻量化、低热膨胀系数、高表面光洁度的特点。硬盘玻璃的表面抛光是其制造过程中非常关键的一环，因为硬盘盘片需要极高的表面平整度和光洁度，以确保数据存储和读写的精确性。硬盘玻璃的表面抛光主要采用CMP化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

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突破技术壁垒：国产抛光垫替代Suba800的崛起之路

国产替代Suba800抛光垫（CMP Pad）的产品在近年来取得了显著的技术进步，逐渐在半导体集成电路市场上占据一席之地。以下是Suba抛光垫国产替代产品的优势和特点：一、Suba抛光垫国产替代产品的优势1.成本优势?国产CMP抛光垫的价格通常比进口产品低，能够显著降低生产成本，尤其适合对成本敏感的企业。?减少了进口关税和物流费用，进一步降低了采购成本。2.供应链稳定?国产化生产避免了国际供应链的不确定性（如贸易摩擦、物流延迟等），供货周期更短，响应速度更快。?国内厂商通常能提供更灵活的CMP抛光耗材订单服务，支持

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CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄

CMP（化学机械抛光）技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色，尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合，能够实现光学玻璃表面的超平滑处理，满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。 吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域：①精密光学镜头：在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中，通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化，成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口：航空航天光学窗口面临复杂空间环

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铌酸锂/钽酸锂晶体抛光液成分及特点

铌酸锂（LiNbO?）和钽酸锂（LiTaO?）衬底的CMP（化学机械抛光）抛光液是一种专门设计用于实现高效材料去除和表面平整化的化学机械混合物。其组成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化铝（Al?O?）纳米颗粒。磨料粒径通常在20-200 nm之间，以实现高效的材料去除和表面光滑。氧化剂：用于氧化衬底表面，使其更容易被磨料去除。常见的氧化剂包括过氧化氢（H?O?）、硝酸（HNO?）或高锰酸钾（KMnO?）。pH调节剂：抛光液的pH值通常控制在9-11之间，以优化化学反应和

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磷化铟衬底抛光液与CMP工艺的关联

磷化铟衬底抛光液与化学机械平面研磨工艺（CMP）的关联磷化铟（InP）作为第二代半导体材料的代表，因其优异的电学、光学和热学性能，在高速电子器件、光电子器件和微波器件等领域展现出巨大的应用潜力。然而InP衬底表面的高质量加工是实现高性能器件的关键，其中化学机械平面研磨工艺（CMP）扮演着至关重要的角色。一、 磷化铟衬底为什么使用CMP技术CMP是一种结合化学腐蚀和机械研磨的表面平坦化技术，通过抛光液slurry中的磨料成分与衬底表面发生化学反应，生成一层易于去除的软化层，再借助抛光垫Pad的机械作用将其去除，从而实

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无蜡吸附垫：精密制造的卓越之选

无蜡吸附垫的设计充分考虑了不同行业、不同工艺的实际需求，具有高度的通用性和灵活性。提高吸附稳定性，还能起到良好的排屑作用，防止加工过程中产生的碎屑堆积在吸附垫表面，影响加工精度和吸附效果。 以下是吉致电子无蜡吸附垫的介绍：组合式无蜡抛光吸附垫 结构：包括基布、吸附结构和粘贴结构。吸附结构由聚氨酯吸附层和环形气腔组成，聚氨酯吸附层粘贴在基布上，环形气腔设置在聚氨酯吸附层上，起到吸附固定且揭开时减少吸附力的作用；粘贴结构包括无残留双面胶和离型纸，无残留双面胶粘贴在基布上，离型纸粘贴在无残留双面胶上 。 优点：

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影响碳化硅衬底质量的重要工艺参数有哪些

碳化硅衬底提高加工速率和良品率的主要因素除了用对抛光液和抛光垫，在CMP抛光研磨过程的工艺参数也很重要：抛光压力：适当增加压力可以提高抛光效率，但过高的压力可能导致衬底表面产生划痕、损伤甚至破裂。一般根据衬底的厚度、硬度以及抛光设备的性能，压力范围在几十千帕到几百千帕之间。抛光转速：包括衬底承载台的转速和抛光垫的转速。转速影响抛光液在衬底和抛光垫之间的流动状态以及磨料的磨削作用。较高的转速可以加快抛光速度，但也可能使抛光液分布不均匀，导致表面质量下降。转速通常在每分钟几十转到几百转之间调整。抛光时间：由衬底需要去除

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吉致电子给您拜年啦！

亲爱的吉致电子合作伙伴：您好！2025年的春节钟声已经敲响，在这辞旧迎新、阖家团圆的美好时刻，吉致电子科技有限公司全体员工向您及您的家人致以最诚挚、最美好的新春祝福！过去一年，我们一同见证了行业的风云变幻，也共同经历了诸多挑战。但无论市场环境如何复杂，您始终坚定地站在我们身边，与我们并肩前行。这种不离不弃的信任，是我们最为珍视的财富，也是我们持续创新、提升自我的强大动力源泉。值此新春佳节，愿您和您的家人尽享健康之福，身体硬朗，活力满满。家庭生活幸福美满，亲情在欢声笑语中愈发深厚，每天都被温暖与爱意环绕。新的一年，

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碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案

SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强

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碳化硅衬底CMP工艺流程

碳化硅衬底CMP工艺流程如下：准备工作：对碳化硅SiC衬底进行清洗和预处理，去除表面的灰尘、油污等杂质，保证衬底表面洁净。同时，检查CMP抛光设备是否正常运行，调整好吉致电子碳化硅专用抛光垫的平整度和压力等参数。抛光液涂覆：通过自动供液系统，按照一定的流量和频率进行参数调整，确保抛光液在抛光过程中始终充足且均匀分布。CMP抛光过程：将SiC衬底固定在抛光机的承载台/无蜡吸附垫，使其与涵养抛光液的抛光垫接触。抛光机带动衬底和抛光垫做相对运动，在一定的压力和转速下，抛光液中的磨料对碳化硅衬底表面进行机械磨削，同时抛光液

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吉致电子2025年春节放假通知

尊敬的吉致电子合作伙伴：您好！旧岁已展千重锦，新年再进百尺竿。在这辞旧迎新的美好时刻，无锡吉致电子科技有限公司全体员工向您及您的家人致以最诚挚的新春祝福，感谢您一直以来对我们的支持与信任，您的认可与信赖是我们不断前行的动力。回首过去一年，我们共同经历了诸多挑战，也一同收获了成长与进步。我们深知，每一次突破与成就，都离不开您的坚定支持。您的宝贵建议，让我们的产品和服务不断完善，得以更精准地满足您的需求。在此，我们向您表达最衷心的感谢。现将我司 2025年春节放假时间安排告知如下：放假时间为 2025 年 1 月&nb

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半导体CMP--碳化硅衬底无蜡吸附垫的特点

碳化硅SiC衬底在CMP研磨抛光工艺中使用吉致无蜡吸附垫的好处主要体现在以下几个方面：①稳定性与吸附力真空吸附原理优势：利用真空吸附，可在吸附垫与衬底间形成强大负压，使衬底与吸附垫紧密贴合。如在化学机械抛光（CMP）中，能让晶圆衬底在高速旋转和研磨压力下保持原位，避免位移和晃动，确保抛光均匀性。②降低破片率：吉致电子半导体无蜡吸附垫强而稳定的吸附力可均匀分散外力，防止局部受力过大。在超薄晶圆或大尺寸晶圆抛光时，能有效避免因吸附不稳导致的晶圆破裂，提高生产效益。③简化工艺流程无需除蜡环节：传统吸附垫常需涂蜡辅助吸附，

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吉致电子--Apple Logo 无蜡吸附垫

无蜡吸附垫苹果logo研磨抛光垫是一种专为Apple logo研磨抛光设计的工具，其无蜡构造确保了高效稳定、无残留的CMP抛光效果，使用方便降低logo工件损耗率。吉致电子无蜡吸附垫Template主要特点无蜡构造：采用无蜡材料，有效降低抛光过程中残留物的产生，从而提升抛光品质。高精度研磨：能够实现精准的研磨和抛光作业，确保苹果logo的细节和清晰度得到完美呈现。卓越耐磨性：选用高品质材料，耐磨性强，显著延长了产品的使用寿命。环保安全：无蜡设计减少了对环境和操作人员的潜在影响。logo专用无蜡吸附垫应用范围logo

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CMP抛光垫在化学机械平面研磨中的作用和效果

CMP抛光垫在化学机械平面研磨中的作用和效果通过调整抛光垫的密度和硬度，可以根据目标值（如镜面光洁度、精度等）进行优化，确保工件表面达到镜面光洁度，同时与研磨相比，损伤降至最低。在CMP过程中，抛光垫主要发挥以下作用：1. 均匀施加压力：由于抛光垫通常由柔性材料制成，并具有一定的弹性，它能够在压力施加时均匀变形，确保材料的去除速率在整个晶圆表面上保持一致，避免局部去除过度或不足。2. 散热：CMP过程中会产生大量热量，抛光垫通常由具有良好导热性能的材料制成，例如聚氨酯等，能够快速传导热量，防止局部过热，从而保护晶圆

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