吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

吉致电子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。  为获

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第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别

  随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来我国半导体材料市场发展迅猛，其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注，两者经常被拿来比较。  同为宽近带半导体的成员，碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料，它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。  随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求暴涨，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。  ①性能不同：高电子迁移

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半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液

  抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。  吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液

  氧化铝抛光液在LED行业的应用广泛，如蓝宝石衬底的CMP抛光，为避免大粒径磨料对工件造成划伤，通常选用粒径为50∼200nm，且粒径分布均匀的纳米α-Al2O3磨料。为了确保蓝宝石衬底能抛出均匀的镜面光泽，需要提升CMP抛光液的切削速率及平坦化效果，吉致电子科技生产的氧化铝抛光液/研磨液可专业用于蓝宝石抛光，氧化铝磨料具有分布窄，粒径小，硬度高、尺寸稳定性好，α相转晶完全，团聚小易分散等特点。  吉致电子对α-Al2O3颗粒的Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量都有

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吉致电子手机中框抛光液及智能穿戴设备表面处理

手机中框、智能穿戴设备表面处理，有抛光、喷砂等工艺。吉致电子3C产品专用抛光液及抛光耗材，速率快效果好。手机中框对于镜面抛光要求非常高，需要达到镜面效果，钛合金相比其他铝合金、不锈钢等金属是相对较硬的材质手机中框镜面抛光可以用氧化铝抛光液搭配抛光皮达到一个高亮面的效果，其效果可达到：1.悬浮性好，不易沉淀；2.颗粒分散均匀，不团聚，软硬度适中，有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致 的工件表面划伤缺陷。3.运用抛光过程中的化学新作用，提高抛光速度，改善抛光表面的质量。4.分散性好、乳液均一，程度提升抛光速率的同时降低微

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吉致电子--单晶金刚石研磨液的用途

  吉致电子单晶金刚石研磨液是由单晶金刚石微粉、水/油等液体配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和抛光效率。单晶金刚石硬度大、抗磨损性能好，具有良好的导热性能和耐高温性能，能够在高温高压环境下保持稳定的物理和化学性质。  吉致电子生产的单晶金刚石研磨液 / 单晶金刚石抛光液 / 单晶金刚石悬浮液产品可广泛应用于半导体、集成电路、光学仪器，精密陶瓷，硬质合金，LED显示屏等多种领域。溶剂一般分为水基，油基，润滑基，酒精基。金刚石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片抛光---吉致碳酸钙抛光液

生物基因芯片抛光该选择什么类型的研磨液/抛光液呢？通常CMP抛光液磨料为氧化硅、氧化铝、金刚石、氧化铈等，但用于基因芯片玻璃基底水凝层的去除效果不太理想。经过吉致电子研发和实验，配制的碳酸抛光液可有效抛光生物基因芯片达到理想的平坦度。吉致电子基因芯片抛光液 DNA Slurry选用微米级磨料，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝胶、纳米压印、抗蚀剂材料等。通过CMP工艺可有效去除基底涂层，对基底无划伤无残留，吉致电子碳酸钙抛光液、DNA芯片抛光液与国内外同类产品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致电子--磨具抛光液 配油盘加工抛光

金属模具研磨抛光---配油盘由强度较高的模具钢制成，一般研磨工艺很难达到抛光效果，即使有效抛磨时间也非常漫长。吉致电子使用CMP工艺研磨液和抛光垫结合，通过不同磨料制备的液体，快速去除工件表面凹凸不平坦，达到平整光滑的效果。硬质金属抛光研磨使用金刚石研磨液，实现平面快速抛光，去毛刺和划痕。吉致电子金刚石研磨液包括多晶、单晶、纳米三种不同类型的抛光液，由优质的金刚石微粉复合分散剂和分散介质组成，配方多样化，适用不同的研抛过程和于硬质材料的研磨和抛光。本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转

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吉致电子 Diamond slurry多晶金刚石研磨液

吉致电子多晶金刚石研磨液---由优质多晶金刚石微粉复合分散剂和分散介质制备而成，广泛适用于半导体行业、金属行业、光电行业等工件的研磨加工。金刚石研磨液主要应用领域：蓝宝石加工----用于蓝宝石A向、C向、R向、M向，蓝宝石LED衬底、蓝宝石盖板、蓝宝石窗口片。半导体加工----单晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化镓晶圆片加工陶瓷材料加工--氧化锆指纹识别片，氧化锆陶瓷手机后壳，氮化铝陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光学晶体加工--硒化锌晶体、硫化锌晶体以及其他晶体材料加工。金属材料加工--不锈钢、铝合金、硬质合金、钨钼合金以

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蓝宝石衬底研磨用什么抛光液

  CMP工艺怎么研磨蓝宝石衬底？需要搭配什么抛光液？蓝宝石抛光万能公式：粗抛、中抛、精抛，每道工序使用不同磨料的抛光液和抛光PAD：①蓝宝石CMP粗磨：蓝宝石衬底粗磨可以选择硬度高切削力强的吉致金刚石研磨液，搭配金刚石磨盘，速率高效果好可有效去除蓝宝石表面的不平和划痕。②蓝宝石CMP中抛：这一步可以用铜盘+小粒径的金刚石研磨液，用来去除粗抛留下的纹路，为镜面抛光做前期准备。③蓝宝石CMP精抛：CMP精抛是蓝宝石衬底最后一道工序，需要用到抛光垫+纳米氧化硅抛光液来收光，呈现平坦无暇的镜面效果。 

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半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别

  常用的半导体抛光液，按抛光对象的不同分W钨抛光液、CU铜抛光液、氧化层抛光液、STI抛光液等。其中铜抛光液slurry主要应用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺，而钨抛光液W slurry则大量应用于存储芯片制造工艺，在逻辑芯片中用量较少。  铜抛光液，主要由腐蚀剂、成膜剂和纳米磨料组成。腐蚀剂用来腐蚀溶解铜表面，成膜剂用于形成铜表面的钝化膜，钝化膜的形成可以保护腐蚀剂的进一步腐蚀，并可有效地降低金属表面硬度。除此之外，CMP抛光液中经常添加一些化学试剂以调节PH值，为抛光过程

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打磨碳化硅需要哪种抛光垫？

  打磨碳化硅需要哪种抛光垫？  打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫  吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。  压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

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二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同

  二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子高纯度CMP抛光产品。 硅溶胶抛光液是以液体形式存在，直径为10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有机液体（分散介质）里的分散体系，粒子的形貌多为球形，适用于各类工件的镜面抛光，如金属、蓝宝石衬底、半导体、光学玻璃、精密电子元器件等的镜面抛光。 本质上讲二氧化硅抛光液、硅溶胶抛光液都是一种东西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨抛光工艺中，机器通过压力泵把氧化硅抛光液输送到抛光槽内进行循环使用，

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碳化硅Sic衬底加工流程有哪些

碳化硅衬底是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片，简单流程可概括为原料合成→晶体生长→。1、原料合成将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。2、晶体生长以高纯度碳化硅微粉为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 生长碳化硅晶体将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨甘场下部和顶部，通过电磁感应将

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半导体抛光---硅片抛光垫怎么选

  硅片抛光涉及到半导体工件的技术加工领域，硅片抛光垫的多孔结构和软性磨料材料，可以适应不同硅片材料的表面结构，达到不同表面加工的需求。在微电子、半导体、光电等领域中，CMP抛光垫的使用越来越广泛，尤其是在制造高性能晶体管、集成电路和MEMS等微纳米器件中，CMP抛光垫的质量和性能至关重要。   硅片抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的

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吉致电子---常见的半导体研磨液有哪些

  吉致电子半导体研磨液有哪些？常见的CMP研磨液有氧化铝研磨液，金刚石研磨液，蓝宝石研磨液。分别用于磨削工件、半导体制程、光学玻璃晶圆等工件加工。  其中金刚石研磨液，它的硬度非常高，性能稳定切削力强，被广泛应用于led工业、半导体产业、光学玻璃和宝石加工业、机械加工业等不同行业中。研磨液是半导体加工生产过程中的一项非常重要工艺，它主要是通过CMP研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工，达到平坦度。研磨液是影响半导体表面工作质量的重要经济因素。吉致电子用经验和技术服务每一位客户，有CMP

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蓝宝石抛光用什么抛光液

  在生产蓝宝石衬底的时候产生裂痕和崩边现象的比例比较高，占总是的5%-8%。我国蓝宝石批量生产的技术还很不成熟，切割完的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹，抛光后易形成很深的麻坑或划伤。因此需要通过CMP研磨抛光技术来达到工件平坦度，抛光过程中影响抛光质量的因素有很多，如抛光液的组分和PH值、压力、温度、流量、转速和抛光垫的质量等。  蓝宝石晶圆的抛光需要对抛光液材质有很高的要求，磨料太软会导致抛光时间过长而抛光效果不理想。目前抛蓝宝石合适的是钻石抛光液，钻石抛光液磨料是采用金刚石，有很高的硬度，搭配

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半导体先进制程PAD抛光垫国产替代进行中

  国内半导体制造的崛起加速推动了半导体材料的国产化进程。在政策、资金以及市场需求的带动下，我国集成电路产业迅猛发展，带动上游材料需求增长。先进制程CMP抛光液及CMP抛光垫用量大增，国产替代进行中。  CMP抛光垫（CMP PAD）一般分为聚氨酯抛光垫、无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫等，高精密研磨抛光垫应用于半导体制作、平面显示器、玻璃光学、各类晶圆衬底、高精密金属已经硬盘基板等产业，目前主要型号有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最广的。&n

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CMP在半导体晶圆制程中的作用

  化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲，半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造，后道工艺是芯片的封装测试。  前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。  晶圆制造前道加工环节主要包括 7 个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注

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钨钢用什么研磨液和抛光液

  硬质合金也就是钨钢，在现代工业中的应用非常广泛，如钢铁、交通、建筑等领域对硬质合金的需求愈发旺盛，随着对深加工产品需求的高涨，硬质合金将向精深加工、工具配套方向发展;向超细、超粗及涂层复合结构等方向发展;向循环经济、节能环保方向发展;向精密化、小型化方向发展。那么钨钢研磨用什么抛光液？  钨钢用于高精度机械加工、高精度刀具材料、车床、冲击钻钻头、玻璃刀刀头、瓷砖割刀之上。这类硬质工件需要经过研磨抛光工艺来达到使用标准。钨钢特点是耐磨、硬度高、韧性强，耐腐蚀等一系列优良性能，尤其它的高硬度和耐

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