吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

SIT Slurry平坦化流程与方法

浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，CMP抛光液平坦化。一，槽刻蚀1,隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体

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SIC碳化硅的化学机械抛光工艺

  碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。  SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。选择CMP

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3C镜面抛光液用什么抛光液

  3C产品表面镜面抛光一般不采用电解抛光方式，而是选择CMP机械抛光工艺。SiO2抛光液用于3C工件的镜面抛光工艺，主要由纳米级磨料制备而成，规格一般在10nm-150nm抛光后的产品镜面精度高，表面收光细腻。  氧化硅精抛液进行精抛工艺后，工件可以从雾面提升到镜面透亮的效果。抛光液配合精抛皮使用，镜面效果检测可达纳米级。3C金属抛光液用于镜面要求较高的工件抛光，因此必须做好前道工序。先粗抛打好基础，再精抛去除缺陷和不良效果。  有客户使用二氧化硅抛光液后工件表面会产生麻点，这是由于

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吉致电子抛光液---温度对蓝宝石衬底CMP工艺的影响

  温度在蓝宝石衬底抛光中起着非常重要的作用, 它对CMP工艺的影响体现在抛光的各个环节。  在CMP工艺的化学反应过程和机械去除过程这两个环节中, 受温度影响十分强烈。一般来说, 抛光液温度越高, 抛光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化学腐蚀严重, 表面完美性差。所以, 蓝宝石抛光液/研磨液温度必须控制在合适的范围内, 这样才能满足圆晶片的平坦化要求。实验表明, 抛光液在40℃左右的时候, 抛光速率达到了最大值, 随着温度继续升高, 抛光速率的上升趋于平缓, 并且产生抛光液蒸腾现象。&nbs

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蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响

蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响研究表明，在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in; 而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下,

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吉致电子蓝宝石研磨液CMP减薄工艺

  蓝宝石研磨液/抛光液，是通过化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于蓝宝石衬底、窗口片的研磨和减薄，达到减薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致电子蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。  吉致电子蓝宝石研磨液、CMP抛光液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研

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稀土抛光液--氧化铈抛光液的种类

  随着光学技术和集成电路技术的飞速发展，对光学元件的精密和超精密抛光以及集成电路的CMP抛光工艺的要求越来越高，甚至达到了极其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。铈系稀土抛光液因其切削能力强、抛光精度高、抛光质量好、使用寿命长，在光学精密抛光领域发挥了极其重要的作用。吉致电子氧化铈抛光液的种类和固含量可按抛光工件的用途来分：根据氧化铈的含量，氧化铈抛光液可分为低铈、中铈和高铈抛光液，其切削力和使用寿命也由低到高。1.含95%以上氧化铈的铈抛光液呈淡黄色，比重约7.3。主要适用于精密光学镜片的

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半导体抛光液--球型二氧化硅抛光液的用途

  球形硅微粉作为抛光液磨料，可大大提高产品的刚性、耐磨性、耐候性、抗冲击性、耐压性、抗拉性、阻燃性、良好的耐电弧绝缘性和耐紫外线辐射性。让我们来看看球型二氧化硅抛光液在电子芯片中的一些应用。  精密研磨粉高纯球形硅粉用于光学器件和光电行业的精密研磨，特别适用于半导体单晶多晶硅片、显像管玻壳玻屏、光学玻璃、液晶显示器(LCD、LED)玻璃基板、压电晶体、化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)、磁性材料等半导体行业的研磨抛光。  吉致电子用高纯球形硅粉制备成的超高纯硅溶胶抛光液slurry,

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纳米氧化硅抛光液的特点

  纳米二氧化硅抛光液由高纯纳米氧化硅SiO2等多种复合材料配置而成，通过电解法或离子交换法制备成纳米抛光液，硅抛光液磨料分散性好，具有高强度、高附着力、成膜性好、高渗透、高耐候性、高耐磨性等特点，是一种性能优良的CMP抛光材料。广泛应用于金属或半导体电子封装抛光工艺中。吉致电子硅抛光液，CMP抛光slurry应用范围：1、可用于微晶玻璃的表面抛光加工中。2、用于硅片的粗抛和精抛以及IC加工过程，适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圆的后道CMP清洗等半导体器件的加工过程、平面显示器、多

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半导体抛光液---半导体材料有哪些？

  半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带材料：如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道&

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吉致电子Slurry抛光浆料--阻挡层抛光液

  目前，超大规模集成电路芯片的集成度已经达到了数十亿个元件，特征尺寸已经达到了纳米级，这就需要微电子技术中的数百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质等必须通过CMP化学机械技术，抛光液和抛光垫磨抛达到平坦化。VLSI布线正从传统的铝布线工艺向铜布线工艺转变。  铜材质具有快速迁移的特性，容易通过介质层扩散，导致相邻铜线之间漏电，进而导致器件特性失效。一般在沉积铜之前，在介质衬底上沉积扩散阻挡层，工业上已经广泛使用的阻挡层材料是tan/ta。  化学抛光(CMP)技术slurry抛光浆料

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陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺

  陶瓷覆铜板的制作工艺主要是DPC工艺和DBC工艺，DPC产品具备线路精准度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是最适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。陶瓷覆铜基板需要用到CMP抛光工艺，利用抛光液和抛光垫达到表面光洁度或镜面效果。  CMP抛光液对陶瓷覆铜基板的抛光研磨，可以做到粗抛、中抛、精抛效果。粗抛工艺，陶瓷覆铜板表面去除率高，快速抛磨。精抛工艺，基板表面无划痕，可达反光镜面效果。吉致电子针对陶瓷覆铜板制备的抛光研

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吉致电子--不锈钢工件的研磨抛光工序

不锈钢抛光液CMP抛光液，主要应用于不锈钢工件表面研磨抛光工艺，不锈钢抛光液一般有去粗、粗抛、中抛、精抛镜面四道流程。去粗工艺:不锈钢抛光液用较粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割线等痕迹，研磨去除部分余料；的粗抛工艺:研磨移除划痕和刀痕，提高表面平整度；中抛工艺:进阶抛光划痕、麻点，抛光雾面，不锈钢中抛液提高不锈钢工件表面亮度。精抛镜面抛光：用不锈钢精抛液精细化抛磨，保持工件表面的亮度升级亮度反光度，不锈钢表面达到反光镜面。吉致电子CMP手机钛合金件研磨抛光液/铝合金件研磨抛光液/镁合金件研磨抛光液/不锈钢研磨

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不锈钢抛光液的CMP镜面抛光

  手机、电脑、平板电脑等移动终端设备，会用到不锈钢、钛合金、铝合金等金属材质，为了达到增强光泽度和平坦度，金属手机工件需要Logo抛光、摄像头保护件抛光、手机按键抛光、手机边框抛光等工艺流程。目前3C电子设备用到最多的抛光方式为CMP抛光工艺，最常用的金属抛光液--不锈钢抛光液。  吉致电子不锈钢抛光液针对这些不锈钢工件的抛光设计而成，适用于抛光304、316和316L等不锈钢材料。可用于不锈钢件的粗抛、中抛和精抛工艺，以达到镜面效果。不锈钢抛光液经过特殊配方调配，化学抛光作用温和，对机台和工

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吉致电子浅槽隔离抛光液怎么用

  吉致电子浅槽隔离抛光液适用范围：单晶硅、多晶硅的研磨抛光，存储器制程和背照式传感器(BSI)制程等。  STI Slurry 适用于集成电路当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率，碟型凹陷可调，低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。清除集成电路中铜抛光后表面的抛光颗粒和化学物残留，以防铜表面腐蚀，降低表面缺陷。  可定制选择稳定的选择比，去除速率，对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。BS

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吉致电子CMP不锈钢抛光液的特点

吉致电子CMP抛光液在不锈钢材料的表面精密加工工艺中，能够获得高亮度、无视觉缺陷的抛光效果，在手机、pad、数码相机等电子产品中有很好的应用。吉致电子不锈钢抛光液在实际应用中凭借高浓度、高稀释比例等卓越的性能得到了客户的充分肯定，主要用于不锈钢的CMP工艺，目前已在国内主流的手机代工客户处得到良好的应用。能抛光不锈钢LOGO镜面，抛光后光滑如镜，不出现R角，无麻点，无划伤，无抛光纹，达到理想的光洁度。不锈钢抛光液的特点：①能够在不锈钢的CMP过程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不锈钢抛光液具有表面张力低、易清洗、

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金属手机边框的镜面抛光方法是什么？

  手机金属外壳/手机边框材质一般为不锈钢、钛合金、铝合金等，如华为\Iphone手机金属边框要达到完美的镜面效果需要精抛步骤----手机镜面抛光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅抛光液外观为乳白色，呈悬浮液状态，在抛光过程中起到收光磨料的作用。  金属手机精抛液的主要技术要求是什么呢？①镜面抛光液PH值的选择：PH值高低很可能会影响到最终的抛光效果，高低差别会导致手机金属工件发黑氧化，以及麻点和起雾，所以如何控制PH值非常重要。②镜面抛光液磨粒大小的选择：氧化硅磨料颗粒大小，直接影响

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碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精

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碳化硅衬底抛光液的特点

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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吉致电子 射频滤波器抛光液slurry厂家

  射频滤波器发展至今，基本主要有两种构型，其中，一类是SAW滤波器（声表面波，Surface Acoustic Wave），另一类是BAW滤波器（体声波，Bulk Acoustic Wave），而BAW滤波器又可细分为SMR（固态装配谐振器,Solidly Mounted Resonator）和FBAR（薄膜腔谐振器,Film Bulk Acoustic Resonator）4-6。目前市场主流的滤波器是SAW（声表面波滤波器）、BAW（体声波滤波器）和FBAR（薄膜腔声谐振滤波器）  随着5

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