吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

铜化学机械抛光液---什么是TSV技术？

铜机械化学抛光液---什么是TSV技术？TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。TSV的显著优势：TSV可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子

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抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料？

  CMP抛光液用于几代半导体材料？  CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光，科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。  目前，第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力

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不锈钢工件原始品质对CMP抛光效果的影响

  不锈钢镜面抛光效果的优良，不仅取决于抛光方案设计、抛光耗材（CMP抛光液、抛光垫）选择和抛光参数设置，不锈钢抛光工件的原始品质也影响到最终的抛光的效果。当抛光效果不尽人意时，不仅要对抛光方案、所使用耗材的品质进行评估和优化，同时对于工件的质量也要有所考虑。  不锈钢工件品质对CMP抛光工艺的影响1.优质的的不锈钢工件是获得良好抛光质量的前提条件，工件表面硬度不均或特性上有差异都会对抛光产生一定的困难。金属工件中的夹杂物和气孔都是影响抛光的不利因素。2.电火花加工后的金属表面难以研磨，若未在加

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吉致电子---氧化铈研磨液在半导体CMP制程中的作用

  粒径30-50nm的球形氧化铈研磨液用于半导体芯片制程：应用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成电路STI(浅沟槽隔离层)CMP  STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。  纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异  粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面C

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CMP抛光液厂家---苹果Logo专用抛光液

  果粉们时常被MacBook，Iphone上闪闪发光的Apple Logo所惊艳到，那么苹果手机和笔记本上的金属Logo是如何实现镜面工艺的呢？

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吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用

  CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光，吉致电子抛光液在半导体行业的应用，主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。  CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。  在半导体行业CMP环节之中，也存在

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蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液

蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液？蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子CMP抛光液，是一种高纯度的氧化硅抛光液，广泛应用于多种材料的纳米级高平坦化抛光。吉致电子生产的蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底研磨减薄，蓝宝石A向抛光液，蓝宝石C向抛光液等。抛光范围如：硅片、锗片、化合物晶体磷化铟、砷化镓、精密光学器件、宝石饰品、金属镜面等研磨抛光加工。蓝宝石抛光液Sapphire Slurry的特点：1.高纯度（Cu含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的污染。2.高抛光速率，利用大粒径的胶

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2023吉致电子春节放假通知

尊敬的客户:新春伊始，万象更新，值此春节到来之际，无锡吉致电子科技有限公司全体员工感谢您长期以来对我司的支持与厚爱!向您致以最诚挚的祝福和问候!一路走来，有您相伴，因为您的支持，我们信心百倍！因为您的合作，我们硕果累累！因为您的指导，我们不断进步！因为您的呵护，我们心存感激！吉致电子科技有限公司期待与您携手共进，共同创造一个共赢辉煌的2023年，在新的一年里，我司会持续为您提供更优质的服务!公司春节放假时间具体安排如下:放假时间: 2023年1月14日--1月28日  开工时间：2023年1月29日因放假

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SiO2二氧化硅抛光液--硅溶胶粒径大小的区别

  二氧化硅抛光液SiO2 Slurry的制备中主要成分是纳米硅溶胶，一般分为大粒径硅溶胶和小粒径硅溶胶，那么怎么定义硅溶胶粒径大小呢，吉致电子小编为您详解： 大粒径硅溶胶与小粒径硅溶胶的定义 CMP精抛液中纳米硅溶胶颗粒的粒径为10-50nm，这个粒径范围的硅溶胶在市场上最常见，价格也相对便宜。如果对硅溶胶的纯度和pH值没有特殊要求，这种规格的硅溶胶价格相对比较便宜。 大粒径硅溶胶:粒径＞50nm的硅溶胶一般可称为大粒径硅溶胶。吉致电子科技生产的大粒径硅溶胶最大可达150n

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硅溶胶研磨液--精密工件镜面抛光效果秘密

  吉致电子硅溶胶研磨液/抛光液采用的是纳米级工艺，主要粒径在10-150nm。适用于各种材质工件的CMP表面镜面处理。以硅溶胶浆料为镜面的平面研磨的材料有半导体晶圆、光学玻璃、3C电子金属元件、蓝宝石衬底、LED显示屏等高精密元件。  硅溶胶抛光液也称二氧化硅抛光液、氧化硅精抛液，SiO2是硅溶胶的化学名，适用范围已扩展到半导体产品的CMP抛光工艺中。  CMP抛光机可以将氧化硅研磨液循环引入磨盘，同时起到润滑和冷却的作用，通过抛光液和抛光垫组合抛磨可以使工件表面粗糙度达到0.2um

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吉致电子陶瓷基板抛光液

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定因素。目前，已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷，分别是氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致电子陶瓷基板抛光液能抛磨这3种陶瓷材料，并达到理想RA值。浅谈一下三种陶瓷基板的性能：  氧化铝陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格，但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。  氮化铝覆铜板：在热特性方面

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STI Slurry平坦化流程与方法

浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，CMP抛光液平坦化。一，槽刻蚀1,隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体

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SIC碳化硅的化学机械抛光工艺

  碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。  SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。选择CMP

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3C镜面抛光液用什么抛光液

  3C产品表面镜面抛光一般不采用电解抛光方式，而是选择CMP机械抛光工艺。SiO2抛光液用于3C工件的镜面抛光工艺，主要由纳米级磨料制备而成，规格一般在10nm-150nm抛光后的产品镜面精度高，表面收光细腻。  氧化硅精抛液进行精抛工艺后，工件可以从雾面提升到镜面透亮的效果。抛光液配合精抛皮使用，镜面效果检测可达纳米级。3C金属抛光液用于镜面要求较高的工件抛光，因此必须做好前道工序。先粗抛打好基础，再精抛去除缺陷和不良效果。  有客户使用二氧化硅抛光液后工件表面会产生麻点，这是由于

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吉致电子抛光液---温度对蓝宝石衬底CMP工艺的影响

  温度在蓝宝石衬底抛光中起着非常重要的作用, 它对CMP工艺的影响体现在抛光的各个环节。  在CMP工艺的化学反应过程和机械去除过程这两个环节中, 受温度影响十分强烈。一般来说, 抛光液温度越高, 抛光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化学腐蚀严重, 表面完美性差。所以, 蓝宝石抛光液/研磨液温度必须控制在合适的范围内, 这样才能满足圆晶片的平坦化要求。实验表明, 抛光液在40℃左右的时候, 抛光速率达到了最大值, 随着温度继续升高, 抛光速率的上升趋于平缓, 并且产生抛光液蒸腾现象。&nbs

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蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响

蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响研究表明，在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in; 而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下,

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吉致电子蓝宝石研磨液CMP减薄工艺

  蓝宝石研磨液/抛光液，是通过化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于蓝宝石衬底、窗口片的研磨和减薄，达到减薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致电子蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。  吉致电子蓝宝石研磨液、CMP抛光液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研

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稀土抛光液--氧化铈抛光液的种类

  随着光学技术和集成电路技术的飞速发展，对光学元件的精密和超精密抛光以及集成电路的CMP抛光工艺的要求越来越高，甚至达到了极其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。铈系稀土抛光液因其切削能力强、抛光精度高、抛光质量好、使用寿命长，在光学精密抛光领域发挥了极其重要的作用。吉致电子氧化铈抛光液的种类和固含量可按抛光工件的用途来分：根据氧化铈的含量，氧化铈抛光液可分为低铈、中铈和高铈抛光液，其切削力和使用寿命也由低到高。1.含95%以上氧化铈的铈抛光液呈淡黄色，比重约7.3。主要适用于精密光学镜片的

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半导体抛光液--球型二氧化硅抛光液的用途

  球形硅微粉作为抛光液磨料，可大大提高产品的刚性、耐磨性、耐候性、抗冲击性、耐压性、抗拉性、阻燃性、良好的耐电弧绝缘性和耐紫外线辐射性。让我们来看看球型二氧化硅抛光液在电子芯片中的一些应用。  精密研磨粉高纯球形硅粉用于光学器件和光电行业的精密研磨，特别适用于半导体单晶多晶硅片、显像管玻壳玻屏、光学玻璃、液晶显示器(LCD、LED)玻璃基板、压电晶体、化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)、磁性材料等半导体行业的研磨抛光。  吉致电子用高纯球形硅粉制备成的超高纯硅溶胶抛光液slurry,

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纳米氧化硅抛光液的特点

  纳米二氧化硅抛光液由高纯纳米氧化硅SiO2等多种复合材料配置而成，通过电解法或离子交换法制备成纳米抛光液，硅抛光液磨料分散性好，具有高强度、高附着力、成膜性好、高渗透、高耐候性、高耐磨性等特点，是一种性能优良的CMP抛光材料。广泛应用于金属或半导体电子封装抛光工艺中。吉致电子硅抛光液，CMP抛光slurry应用范围：1、可用于微晶玻璃的表面抛光加工中。2、用于硅片的粗抛和精抛以及IC加工过程，适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圆的后道CMP清洗等半导体器件的加工过程、平面显示器、多

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