碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。

  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。

  为获得高效的研磨速率，吉致电子SiC单晶衬底研磨液，需具有以下性能：

①悬浮性好，能分散高硬度磨料，并保持体系稳定。

②高去除速率，减少工艺步骤。

③研磨后SiC表面均匀（Ra＜1 nm），不容易产生深划伤，提高良率及减少后续抛光时间。

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