吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

黑色阻尼布抛光垫和白色阻尼布抛光垫的区别

白色阻尼布抛光垫和黑色阻尼布抛光垫的主要区别有哪些？黑白色阻尼布PAD的区别在于材质、用途和抛光效果。一、黑色/白色阻尼布材质和用途不同?白色阻尼布抛光垫?：通常采用中等硬度的材质，如中等密度的海绵或布料。这种抛光垫在去除中度划痕和污渍方面效果显著，适用于中等强度的抛光作业。它能够在抛光过程中保持适中的温度，避免对材料造成热损伤，因此在各种金属、塑料等材料的抛光过程中得到广泛应用?。黑色阻尼布抛光垫：采用较硬的材质，如高密度海绵或硬质布料。这种抛光垫具有较强的切削力和耐磨性，适用于去除重度划痕、污渍和氧化层。

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吉致电子CMP抛光液在光学玻璃加工中的应用进展

  CMP抛光液在光学玻璃领域的应用主要体现在实现光学玻璃表面的超精密加工，以满足对表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP抛光液通过化学作用和机械研磨的有机结合，能够有效地去除光学玻璃表面的材料，达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。随着光学技术的不断发展，对光学玻璃表面质量的要求也越来越高。CMP抛光液/研磨液作为一种先进的抛光材料，在光学玻璃领域的应用越来越广泛。   在CMP抛光过程中，抛光液中的化学成分与光学玻璃表面发生反应形成软质层。同时，抛光液中的磨料微粒，如纳米二氧化硅

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半导体抛光垫---吉致电子Suba pad替代

 在半导体硅片、衬底、光学玻璃以及精密陶瓷等材料的加工领域，CMP抛光工艺是至关重要的环节，而CMP抛光垫（CMP Pad）则是这一环节中的关键因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生产的SUBA抛光垫（Suba Pad）备受瞩目。   陶氏公司生产的SUBA抛光垫在CMP化学机械研磨方面有着优异的抛光性能，尤其在抛光半导体晶圆方面效果显著。半导体晶圆和衬底是现代集成电路产业的基石，晶圆和衬底表面的平坦度、光洁度等直接影响芯片的性能和质量。SUBA抛光垫凭借其独特的材料和结构，能够使抛光过程达到一

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吉致电子：碲锌镉衬底用什么抛光液？

  碲锌镉晶体是一种具有优异光电性能的半导体材料，其化学式为CdZnTe，也被称为CZT。这种材料在核辐射探测器、X射线和伽马射线探测器以及红外探测器等领域有着广泛的应用。由于其高电阻率、高原子序数和良好的能量分辨率，碲锌镉晶体特别适合用于高分辨率的放射线成像设备。此外，它还具有良好的化学稳定性和机械加工性能，使其在制造过程中易于加工成各种形状和尺寸。那么碲锌镉衬底用什么抛光液进行CMP加工呢？   碲锌镉CMP研磨抛光一般采用化学机械抛光（Chemical Mechanical Pl

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吉致电子--磷化铟抛光液在半导体CMP制程中的应用

无锡吉致电子科技提供的磷化铟衬底抛光液是一种专门用于半导体材料磷化铟表面处理的CMP化学机械抛光浆料。它包含特定的磨料和化学成分，能够有效去除磷化铟表面的微小缺陷和不平整，确保获得光滑、无损伤的表面。磷化铟抛光液在半导体制造过程中非常重要，它直接影响到最终器件的性能和稳定性。磷化铟衬底抛光液的选择和使用是一个复杂的过程，需要综合考虑多个因素，且在CMP抛磨使用时，需要根据磷化铟衬底的具体要求和抛光设备的特性来选择合适的InP抛光液，并严格控制抛光过程中的参数，如温度、压力和抛光时间等。首先，磷化铟CMP抛光液的成分

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吉致电子CMP抛光垫：从粗到精，体验高效抛光

  CMP（化学机械抛光）抛光垫是一种在半导体制造过程中用于平面化晶圆表面的关键材料。CMP抛光垫通过结合化学反应和机械研磨的方式，能够有效地去除晶圆表面的多余材料，从而达到高度平整的表面质量。抛光垫CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔结构，以便在抛光过程中储存和释放抛光液CMP Slurry，从而确保抛光过程的均匀性和效率。  CMP抛光垫在使用过程中需要定期更换，以保持其最佳的抛光性能。不同的CMP抛光垫适用于不同的抛光工艺和材料，因此选择合适的抛光垫对于确保晶圆质量

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金刚石悬浮液在半导体领域的应用

    金刚石悬浮液（CMP研磨液）在半导体集成电路领域的应用：适用于半导体晶圆抛光液CMP加工，蓝宝石衬底、碳化硅晶圆、氮化镓、磷化铟等半导体晶片。    金刚石悬浮液在半导体晶圆的CMP研磨抛光中发挥着重要作用。以蓝宝石衬底为例，蓝宝石材质硬度较高，传统的研磨液难以达到理想的抛光效果，而金刚石悬浮液因其高硬度、高韧性的金刚石颗粒，能够快速去除蓝宝石衬底表面的材料，同时保证加工表面的光洁度。对于碳化硅SiC和氮化镓、磷化铟等半导体晶片，金刚石悬浮液同样表

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吉致电子---什么是金刚石悬浮液CMP研磨液

   金刚石悬浮液（CMP研磨液）是一种由人造钻石磨粒分散于水基或油基液体中制备而成的抛光悬浮液。它在硅片、硬质合金、高密度陶瓷、蓝宝石衬底体等多个领域都有着广泛的应用。金刚石研磨液所含微粒是其发挥机械作用的关键因素。不同种类、不同粒度的金刚石微粉，抛光去除效果各不相同。例如，金刚石磨料硬度越高、粒径越大，磨削效率越高，但加工表面光洁度越低；反之，金刚石磨料硬度越低、粒径越小，磨削效率越低，而加工表面光洁度越高。所以，可以根据工件的具体参数选择   不同型号和粒径的金刚石研磨

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吉致电子--半导体CMP无蜡吸附垫

吉致电子无蜡吸附垫具有独特的孔隙结构，其吸附性能表现为真空状态吸附住被抛光物件，其复合结构与感压胶设计在高的压缩率及压缩回弹率，分别适合CMP中高压研磨制程，提供了优异平坦化、不易沾黏、易清洁、下片容易、耐酸碱、高寿命等特性。此外，无蜡吸附垫、芯片吸附垫、硅片吸附垫的孔隙结构还赋予其出色的透气性和渗透性，确保了抛光过程中热量的有效散发，避免工件因过热而受损。感压胶的灵活设计不仅提升了产品的适应性，使其能在各种复杂表面实现稳定吸附

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阻尼布抛光垫：提升工件CMP表面平坦度的秘诀

  绒面抛光垫，亦称阻尼布抛光垫，是由PU发泡微孔隙结构与底层特殊基材相结合的独特复合材料。其表层的细微开孔和高压缩率特性，使得抛光液Slurry得以充分涵养，从而促进机械与化学反应的充分作用。此外，表层优秀的研磨液流动性有助于提升工件表面的洁净度，降低表面粗糙度，并减少橘皮和微划伤等缺陷。  阻尼布抛光垫广泛应用于各种精密加工领域，如半导体、液晶显示屏、光学玻璃等。其优异的抛光性能不仅能够满足高精度的表面处理要求，而且在提高生产效率和降低材料消耗方面也表现出色。由于其独特的材料结构，绒面抛光垫

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吉致电子---Si硅片抛光液，为半导体护航

  半导体硅片抛光液是一种均匀分散胶粒的乳白色胶体，在半导体材料的CMP加工过程中起着至关重要的作用。其外观通常为乳白色或微蓝色透明溶液。半导体硅片Si抛光液主要有抛光、润滑、冷却等作用。在抛光方面，Si Slurry能够有效地去除半导体硅晶圆表面的杂质和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，经过抛光液处理后，晶片表面的微粗糙度可以达到 0.2nm 以下。在润滑作用中，它可以减少硅片与抛光设备之间的摩擦，降低磨损，延长设备的使用寿命。同时，在抛光过程中会产生热量，而抛光液的冷却作用可以及时带走热量，防止硅片

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吉致电子LN铌酸锂抛光液，CMP精密加工好助手

  铌酸锂化学式为LiNbO3简称LN，具有良好的非线性光学性质，可用作光波导材料，或用于制作中低频声表滤波器、大功率耐高温超声换能器等。铌酸锂掺杂技术如今被广泛应用。Mg:LN提高抗激光损伤阈值，优化在非线性光学领域的应用；Nd:Mg:LN晶体可实现自倍频效应；Fe:LN晶体可用于光学体全息存储。CMP研磨液抛光液能平坦化铌酸锂晶圆表面凹陷，晶圆快速达到理想粗糙度。  8寸铌酸锂晶圆在光电子器件和集成电路领域有着广泛的应用。相较于较小尺寸的晶圆，8英寸铌酸锂晶圆具有明显的优势。首先，它拥有更大

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半导体芯片研磨液与CMP工艺：铸就芯片制造的基石

  CMP工艺在芯片制造的关键环节  在蓬勃发展的半导体产业中，芯片制造如同一场精细的艺术创作，而半导体芯片研磨与CMP工艺则是其中重要的环节。芯片制造是一个高度复杂的过程，涉及多个步骤，CMP工艺在这个过程中起着不可或缺的作用。  随着芯片制程不断缩小，对晶圆表面平整度的要求越来越高。如果晶圆表面不平整，在后续的光刻、刻蚀等工艺中，就会出现对焦精度不准确、线宽控制不稳定等问题，严重影响芯片的性能和质量。例如，当制造层数增加时，如果晶圆表面不平整，可能导致金属薄膜厚度不均进而影响电阻值

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电子3C行业的好帮手---苹果logo研磨液

 客户经常会问macbook铝合金外面苹果logo是怎么加工的？苹果的背面Logo镜面是怎么做的？苹果logo抛光？ 苹果产品一直以其精湛的工艺和卓越的设计而备受瞩目，其中苹果logo的研磨工艺更是在整个产品中起到了至关重要的作用。  苹果logo采用了CMP化学机械平面抛光工艺，这一工艺借助CMP设备、研磨液 / 抛光液和抛光垫的共同作用，能够使金属工件表面达到镜面效果，极大地提升了Apple logo的质感。在苹果的笔记本电脑和手机上，闪闪发光的Apple Logo常常让人惊艳不已

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解锁高效，硬质合金CMP抛光液来袭

   硬质合金是由难熔金属的硬质化合物和粘结金属通过粉末冶金工艺制成的一种合金材料。它具有硬度高、耐磨、强度和韧性较好、耐热、耐腐蚀等一系列优良性能，被誉为“工业牙齿”，广泛用于切削工具、刀具、钴具和耐磨零部件，在军工、航天航空、机械加工、冶金、石油钻井、矿山工具、电子通讯、建筑等领域有着广泛的应用。常用硬质合金按成分和性能特点分为三类:钨钴类、钨钛钴类、钨钛钽(铌)类，每种都有其适用的领域和优势。硬质合金平面件，如钨钢、钨合金材质等使用CMP抛光液和CMP研磨工艺能达到

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吉致电子---磷化铟InP晶圆抛光液的市场现状

  目前，全球磷化铟（InP）晶圆市场的cmp抛光耗材主要由少数国外厂商主导。这些国外厂商凭借先进的技术和丰富的经验，在产品质量和性能方面具有显著优势。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企业在全球半导体slurry抛光液市场中具有较高的知名度和占有率。  相比之下，国内企业的磷化铟（InP）晶圆抛光液研发起步较晚，但近年来随着国内半导体的快速发展，国产cmp抛光耗材也大量进入市场，国内厂家也在不断加大研发投入，努力提升抛光液、抛光垫产品

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杜邦IC1000抛光垫的特点及国产替代

  在半导体晶圆及芯片的制造过程中，CMP是实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺，而IC1000作为一种高性能的抛光垫，为 CMP工艺的顺利进行提供了有力保障。  杜邦IC1000系列抛光垫能够存储和输送CMP抛光液至抛光区域，通过slurry的流动和分布使抛光工作持续均匀地进行。在化学机械抛光过程中，抛光液中的化学成分与晶圆表面材料产生化学反应，生成较易去除的物质，而dupont IC1000 Pad为这一化学反应提供了稳定的场所。同时，IC1000抛光垫能够去除抛光过程中产生的副产品，如氧化产物

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吉致电子铌酸锂LN抛光液的优点

  铌酸锂晶体LiNbO3化学机械抛光液能够显著降低工件表面粗糙度。在CMP化学机械加工工艺的优化下LN铌酸锂工件表面粗糙度得以快速降低，获得超光滑、无损伤的表面。表面粗糙度低不仅提高了工件的外观质量，更重要的是符合铌酸锂晶片高精度加工的严格需求。在一些对表面精度要求极高的应用领域，如光电子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的传输效率，减少散射损耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低损耗和高折射率对比度的光波导是构建大规模光子集成芯片的最基本单元，而超光滑的铌酸锂表面能够为光波导提供更好的

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Suba800抛光垫国产替代一样香

  Suba800是一款在半导体及集成电路相关领域被广泛使用的cmp抛光垫。其作为化学机械平面研磨工艺的知名耗材，产品特性显著且稳定性高，适用于半导体硅片、晶圆、精密陶瓷、蓝宝石衬底等工件的表面平坦化。  Suba800抛光垫还适用于光学和金属材料的抛光。在光学材料的抛光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光学性能。在金属工件抛光中，Suba800能够有效去除金属表面的氧化膜和划痕，使其表面更加光滑、亮丽。  无锡吉致电子科技有限公司生产的 Suba800国产替代产品

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DNA基因芯片cmp工艺

  基因芯片又称DNA芯或DNA微阵列。它是一种同时将大量的探针分子固定到固相支持物上，借助核酸分子杂交配对的特性对DNA样品的序列信息进行高效解读和分析的技术，主要应用在医学领域、生物学研究领域和农业领域。DNA芯片生产过程需要经过CMP研磨抛光去除基板水凝膜，达到理想表面效果。 吉致电子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的软材料,软材料包括但不限于聚合物、无机水凝胶或有机聚合物水凝胶等。基因芯片研磨液使用微米级磨料制备，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝

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