吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

圣诞仪式感拉满，吉致电子祝您幸福平安！

吉致电子科技“拍了拍你”！嗨，亲爱的吉致伙伴们：May you have the best Christmas ever愿你度过最美好的圣诞节！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣诞快乐。祝大家：平安喜乐，万事顺遂。“诞”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永远开心快乐，希望快乐不止圣诞！

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CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用

  化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造的关键步骤，这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整，达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，CMP耗材品质直接影响抛光效果，对提高晶圆制造质量至关重要。  CMP抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。&nbs

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吉致电子应邀出席半导体国际论坛并斩获奖牌

  2023年11月28日第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门开幕。IFWS&SSLCHINA是中国地区举办的、专业性最强、影响力最大的第三代半导体领域国际性年度盛会，也是规模最大、规格最高的第三代半导体全产业链综合性论坛。  吉致电子受邀出席大会，斩获大会颁发的“品牌力量”奖项。该奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，

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金属钼片的CMP抛光工艺

  工厂的钼片加工工艺采用粗磨、双端面立磨等研磨工艺，粗磨的合格率仅在85％左右，整体平行度不良居多，造成产品合格率下降，也造成后续加工难度，这与金属钼的特性有关，目前钼片采用CMP抛光工艺（抛光液+抛光垫）能达到镜面效果。  钼的特点：钼是一种难溶金属，具有很多优良的物力化学和机械性能。由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度均非常高。它的膨胀系数低，导电率大，导热性好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。&

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吉致电子氮化铝陶瓷基片抛光

氮化铝陶瓷基板具有高导热率、低介电常数、低热膨胀系数、高机械强度、高耐腐蚀性等特点。其作为电路元件及互连线承载体，广泛应用再军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、半导体电子设备、汽车等各个领域。氮化铝陶瓷经过CMP抛光后可用于半导体激光器、固体继电器、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。吉致电子氮化铝陶瓷抛光液可达镜面效果，特点如下：1、纳米级抛光液，抛光后具有较优的粗糙度2、陶瓷基片抛光液绿色无污染、不含卤素及重金属元素3、抛光液可循环使用，根据工艺要求可添加去离子水稀释氮化铝陶瓷基板通过CMP

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吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用

   抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。  通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC

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吉致电子荣获第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议“优秀组织奖”

  2023年11月8日-10日第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)在北京圆满落幕。本次会议聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者、龙头企业、资本机构莅临会议现场，通过大会报告、专场报告、高峰论坛、口头报告、项目路演和墙报等形式，分享全球宽禁带半导体技术最新研究进展，交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进行业互联互通。    吉致电子科技有限公司出席了此次会议，并在会议期间设有展台。吉致电子的代表们与全球各地的专家

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吉致电子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。  为获

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第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别

  随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来我国半导体材料市场发展迅猛，其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注，两者经常被拿来比较。  同为宽近带半导体的成员，碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料，它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。  随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求暴涨，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。  ①性能不同：高电子迁移

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半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液

  抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。  吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液

  氧化铝抛光液在LED行业的应用广泛，如蓝宝石衬底的CMP抛光，为避免大粒径磨料对工件造成划伤，通常选用粒径为50∼200nm，且粒径分布均匀的纳米α-Al2O3磨料。为了确保蓝宝石衬底能抛出均匀的镜面光泽，需要提升CMP抛光液的切削速率及平坦化效果，吉致电子科技生产的氧化铝抛光液/研磨液可专业用于蓝宝石抛光，氧化铝磨料具有分布窄，粒径小，硬度高、尺寸稳定性好，α相转晶完全，团聚小易分散等特点。  吉致电子对α-Al2O3颗粒的Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量都有

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吉致电子手机中框抛光液及智能穿戴设备表面处理

手机中框、智能穿戴设备表面处理，有抛光、喷砂等工艺。吉致电子3C产品专用抛光液及抛光耗材，速率快效果好。手机中框对于镜面抛光要求非常高，需要达到镜面效果，钛合金相比其他铝合金、不锈钢等金属是相对较硬的材质手机中框镜面抛光可以用氧化铝抛光液搭配抛光皮达到一个高亮面的效果，其效果可达到：1.悬浮性好，不易沉淀；2.颗粒分散均匀，不团聚，软硬度适中，有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致 的工件表面划伤缺陷。3.运用抛光过程中的化学新作用，提高抛光速度，改善抛光表面的质量。4.分散性好、乳液均一，程度提升抛光速率的同时降低微

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吉致电子--单晶金刚石研磨液的用途

  吉致电子单晶金刚石研磨液是由单晶金刚石微粉、水/油等液体配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和抛光效率。单晶金刚石硬度大、抗磨损性能好，具有良好的导热性能和耐高温性能，能够在高温高压环境下保持稳定的物理和化学性质。  吉致电子生产的单晶金刚石研磨液 / 单晶金刚石抛光液 / 单晶金刚石悬浮液产品可广泛应用于半导体、集成电路、光学仪器，精密陶瓷，硬质合金，LED显示屏等多种领域。溶剂一般分为水基，油基，润滑基，酒精基。金刚石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片抛光---吉致碳酸钙抛光液

生物基因芯片抛光该选择什么类型的研磨液/抛光液呢？通常CMP抛光液磨料为氧化硅、氧化铝、金刚石、氧化铈等，但用于基因芯片玻璃基底水凝层的去除效果不太理想。经过吉致电子研发和实验，配制的碳酸抛光液可有效抛光生物基因芯片达到理想的平坦度。吉致电子基因芯片抛光液 DNA Slurry选用微米级磨料，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝胶、纳米压印、抗蚀剂材料等。通过CMP工艺可有效去除基底涂层，对基底无划伤无残留，吉致电子碳酸钙抛光液、DNA芯片抛光液与国内外同类产品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致电子--磨具抛光液 配油盘加工抛光

金属模具研磨抛光---配油盘由强度较高的模具钢制成，一般研磨工艺很难达到抛光效果，即使有效抛磨时间也非常漫长。吉致电子使用CMP工艺研磨液和抛光垫结合，通过不同磨料制备的液体，快速去除工件表面凹凸不平坦，达到平整光滑的效果。硬质金属抛光研磨使用金刚石研磨液，实现平面快速抛光，去毛刺和划痕。吉致电子金刚石研磨液包括多晶、单晶、纳米三种不同类型的抛光液，由优质的金刚石微粉复合分散剂和分散介质组成，配方多样化，适用不同的研抛过程和于硬质材料的研磨和抛光。本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转

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吉致电子 Diamond slurry多晶金刚石研磨液

吉致电子多晶金刚石研磨液---由优质多晶金刚石微粉复合分散剂和分散介质制备而成，广泛适用于半导体行业、金属行业、光电行业等工件的研磨加工。金刚石研磨液主要应用领域：蓝宝石加工----用于蓝宝石A向、C向、R向、M向，蓝宝石LED衬底、蓝宝石盖板、蓝宝石窗口片。半导体加工----单晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化镓晶圆片加工陶瓷材料加工--氧化锆指纹识别片，氧化锆陶瓷手机后壳，氮化铝陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光学晶体加工--硒化锌晶体、硫化锌晶体以及其他晶体材料加工。金属材料加工--不锈钢、铝合金、硬质合金、钨钼合金以

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蓝宝石衬底研磨用什么抛光液

  CMP工艺怎么研磨蓝宝石衬底？需要搭配什么抛光液？蓝宝石抛光万能公式：粗抛、中抛、精抛，每道工序使用不同磨料的抛光液和抛光PAD：①蓝宝石CMP粗磨：蓝宝石衬底粗磨可以选择硬度高切削力强的吉致金刚石研磨液，搭配金刚石磨盘，速率高效果好可有效去除蓝宝石表面的不平和划痕。②蓝宝石CMP中抛：这一步可以用铜盘+小粒径的金刚石研磨液，用来去除粗抛留下的纹路，为镜面抛光做前期准备。③蓝宝石CMP精抛：CMP精抛是蓝宝石衬底最后一道工序，需要用到抛光垫+纳米氧化硅抛光液来收光，呈现平坦无暇的镜面效果。 

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半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别

  常用的半导体抛光液，按抛光对象的不同分W钨抛光液、CU铜抛光液、氧化层抛光液、STI抛光液等。其中铜抛光液slurry主要应用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺，而钨抛光液W slurry则大量应用于存储芯片制造工艺，在逻辑芯片中用量较少。  铜抛光液，主要由腐蚀剂、成膜剂和纳米磨料组成。腐蚀剂用来腐蚀溶解铜表面，成膜剂用于形成铜表面的钝化膜，钝化膜的形成可以保护腐蚀剂的进一步腐蚀，并可有效地降低金属表面硬度。除此之外，CMP抛光液中经常添加一些化学试剂以调节PH值，为抛光过程

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打磨碳化硅需要哪种抛光垫？

  打磨碳化硅需要哪种抛光垫？  打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫  吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。  压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

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二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同

  二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子高纯度CMP抛光产品。 硅溶胶抛光液是以液体形式存在，直径为10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有机液体（分散介质）里的分散体系，粒子的形貌多为球形，适用于各类工件的镜面抛光，如金属、蓝宝石衬底、半导体、光学玻璃、精密电子元器件等的镜面抛光。 本质上讲二氧化硅抛光液、硅溶胶抛光液都是一种东西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨抛光工艺中，机器通过压力泵把氧化硅抛光液输送到抛光槽内进行循环使用，

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