什么是CMP化学机械研磨抛光？
CMP（Chemical Mechanical Polishing）其实为化学与机械研磨（C&MP）的意思，化学作用与机械作用平等。

目前CMP已成为半导体制程主流，其重要的原因主要有二：
①为了缩小芯片面积，因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线（七层以上），因线宽极细，且需多层堆叠，故光刻制程即为一关键步骤。若晶圆表面凹凸不平，平坦度差，则会影响光刻精确度，因此需以CMP达成晶圆上金属层间之全面平坦化（Global Planarization）。
②为了降低元件之电阻电容延迟（RC Delay），提高运算速度，因此将内联机由电阻系数较高之铝改为较低之铜。但铜不易产生高挥发性之化合物，以目前技术，不易进行量产之等离子蚀刻，所以目前多采镶嵌制程，即先在绝缘层上定义所需图案，再沉积铜金属，最后再以CMP将多余铜金属磨除。

机械研磨与化学作用，而达成磨平晶圆上之金属层、阻障层、绝缘层。晶圆上不平表面与研磨垫（Pad）互相接触研磨，两者之间并添加由酸性或碱性研磨液（Solution）与超细固体研磨粒（Abrasive）组成之研磨浆（Sluny）。藉由研磨粒之「机械」研磨磨与研磨液之「化学」作用，二种作用同时进行，而将不平表面去除，使表面平坦。
CMP主要消耗品为载具膜（Carrier Film）、研磨垫pad及研磨浆slurry。广义CMP包含CMP后清洁（Post-CMP Cleaning）。

CMP工艺高效稳定、工艺组合灵活，可实现晶圆纳米级全局平坦化，满足先进制程技术需求，已在集成电路、先进封装、大硅片等制造工艺中批量应用。

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