衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。有数据显示，衬底成本大约占晶圆加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。

  SiC碳化硅衬底不止贵生产工艺还复杂，与Si硅片相比，SiC很难处理。SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表面与亚表层损伤，影响加工精度。

  所以在研磨、锯切和抛光阶段，对SIC衬底挑战也非常大，其加工难主要体现在：①硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6；②化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应；③加工设备尚不成熟。因此，碳化硅衬底切割、SIC衬底研磨抛光、加工的耗材还需不断发展和完善。

  SiC衬底的表面超光滑是必备条件。碳化硅衬底表面的不平整会导致其表面同质外延的SiC薄膜和异质外延的GaN薄膜位错密度的增加，从而影响器件性能。上述应用领域的快速发展要求SiC晶片表面能达到原子级平整且表面几乎无微观缺陷，SiC晶片的超精密平整技术研究对于促进第三代半导体技术的发展具有极其重要的意义。

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