CMP技术是指被抛光材料在化学和机械的共同作用下，工件表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。cmp抛光液中的化学成分与被抛磨工件材料表面进行化学反应，形成易去除的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。

在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：

①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；

②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；

③传递材料去除所需的机械载荷；

④维持抛光过程所需的机械和化学环境。

除抛光垫的力学性能以外，其表面组织特征，如微孔形状、孔隙率、沟槽形状等，可通过影响抛光液流动和分布，来决定抛光效率和平坦性指标。

 CMP过程中抛光垫必须对抛光液具有良好的保持性，在加工时可以涵养足够的抛光液，使CMP中的机械和化学反应充分作用。为了保持抛光过程的稳定性、均匀性和可重复性，抛光垫材料的物理性质、化学性质以及表面形貌等特性，都需要保持稳定。

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