吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

半导体抛光液---半导体材料有哪些？

  半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带材料：如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道&

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吉致电子Slurry抛光浆料--阻挡层抛光液

  目前，超大规模集成电路芯片的集成度已经达到了数十亿个元件，特征尺寸已经达到了纳米级，这就需要微电子技术中的数百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质等必须通过CMP化学机械技术，抛光液和抛光垫磨抛达到平坦化。VLSI布线正从传统的铝布线工艺向铜布线工艺转变。  铜材质具有快速迁移的特性，容易通过介质层扩散，导致相邻铜线之间漏电，进而导致器件特性失效。一般在沉积铜之前，在介质衬底上沉积扩散阻挡层，工业上已经广泛使用的阻挡层材料是tan/ta。  化学抛光(CMP)技术slurry抛光浆料

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陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺

  陶瓷覆铜板的制作工艺主要是DPC工艺和DBC工艺，DPC产品具备线路精准度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是最适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。陶瓷覆铜基板需要用到CMP抛光工艺，利用抛光液和抛光垫达到表面光洁度或镜面效果。  CMP抛光液对陶瓷覆铜基板的抛光研磨，可以做到粗抛、中抛、精抛效果。粗抛工艺，陶瓷覆铜板表面去除率高，快速抛磨。精抛工艺，基板表面无划痕，可达反光镜面效果。吉致电子针对陶瓷覆铜板制备的抛光研

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吉致电子--不锈钢工件的研磨抛光工序

不锈钢抛光液CMP抛光液，主要应用于不锈钢工件表面研磨抛光工艺，不锈钢抛光液一般有去粗、粗抛、中抛、精抛镜面四道流程。去粗工艺:不锈钢抛光液用较粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割线等痕迹，研磨去除部分余料；的粗抛工艺:研磨移除划痕和刀痕，提高表面平整度；中抛工艺:进阶抛光划痕、麻点，抛光雾面，不锈钢中抛液提高不锈钢工件表面亮度。精抛镜面抛光：用不锈钢精抛液精细化抛磨，保持工件表面的亮度升级亮度反光度，不锈钢表面达到反光镜面。吉致电子CMP手机钛合金件研磨抛光液/铝合金件研磨抛光液/镁合金件研磨抛光液/不锈钢研磨

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不锈钢抛光液的CMP镜面抛光

  手机、电脑、平板电脑等移动终端设备，会用到不锈钢、钛合金、铝合金等金属材质，为了达到增强光泽度和平坦度，金属手机工件需要Logo抛光、摄像头保护件抛光、手机按键抛光、手机边框抛光等工艺流程。目前3C电子设备用到最多的抛光方式为CMP抛光工艺，最常用的金属抛光液--不锈钢抛光液。  吉致电子不锈钢抛光液针对这些不锈钢工件的抛光设计而成，适用于抛光304、316和316L等不锈钢材料。可用于不锈钢件的粗抛、中抛和精抛工艺，以达到镜面效果。不锈钢抛光液经过特殊配方调配，化学抛光作用温和，对机台和工

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吉致电子浅槽隔离抛光液怎么用

  吉致电子浅槽隔离抛光液适用范围：单晶硅、多晶硅的研磨抛光，存储器制程和背照式传感器(BSI)制程等。  STI Slurry 适用于集成电路当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率，碟型凹陷可调，低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。清除集成电路中铜抛光后表面的抛光颗粒和化学物残留，以防铜表面腐蚀，降低表面缺陷。  可定制选择稳定的选择比，去除速率，对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。BS

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吉致电子CMP不锈钢抛光液的特点

吉致电子CMP抛光液在不锈钢材料的表面精密加工工艺中，能够获得高亮度、无视觉缺陷的抛光效果，在手机、pad、数码相机等电子产品中有很好的应用。吉致电子不锈钢抛光液在实际应用中凭借高浓度、高稀释比例等卓越的性能得到了客户的充分肯定，主要用于不锈钢的CMP工艺，目前已在国内主流的手机代工客户处得到良好的应用。能抛光不锈钢LOGO镜面，抛光后光滑如镜，不出现R角，无麻点，无划伤，无抛光纹，达到理想的光洁度。不锈钢抛光液的特点：①能够在不锈钢的CMP过程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不锈钢抛光液具有表面张力低、易清洗、

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金属手机边框的镜面抛光方法是什么？

  手机金属外壳/手机边框材质一般为不锈钢、钛合金、铝合金等，如华为\Iphone手机金属边框要达到完美的镜面效果需要精抛步骤----手机镜面抛光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅抛光液外观为乳白色，呈悬浮液状态，在抛光过程中起到收光磨料的作用。  金属手机精抛液的主要技术要求是什么呢？①镜面抛光液PH值的选择：PH值高低很可能会影响到最终的抛光效果，高低差别会导致手机金属工件发黑氧化，以及麻点和起雾，所以如何控制PH值非常重要。②镜面抛光液磨粒大小的选择：氧化硅磨料颗粒大小，直接影响

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碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精

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碳化硅衬底抛光液的特点

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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吉致电子 射频滤波器抛光液slurry厂家

  射频滤波器发展至今，基本主要有两种构型，其中，一类是SAW滤波器（声表面波，Surface Acoustic Wave），另一类是BAW滤波器（体声波，Bulk Acoustic Wave），而BAW滤波器又可细分为SMR（固态装配谐振器,Solidly Mounted Resonator）和FBAR（薄膜腔谐振器,Film Bulk Acoustic Resonator）4-6。目前市场主流的滤波器是SAW（声表面波滤波器）、BAW（体声波滤波器）和FBAR（薄膜腔声谐振滤波器）  随着5

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氧化铝抛光液在蓝宝石窗口中的应用

  α -氧化铝(Al2O3)是众多氧化铝晶相中的最稳定的晶体相，它由其他晶相的氧化铝在高温下转变而成，是天然氧化物晶体中硬度最高的物质，硬度仅次于金刚石，远远大于二氧化硅溶胶颗粒，它是一种常用的抛光用磨料，被广泛用于许多硬质材料的抛光上。应用于CMP抛光液制备中，常用于在蓝宝石窗口的镜面抛光工艺中。 α -氧化铝(Al2O3)其实与蓝宝石是同一种物质或材料，材料结构中的原子排列模式完全相同，区别在于多晶体与单晶体。因此，从硬度上讲α-氧化铝(Al2O3)纳米粉体与蓝宝石晶体的硬度相当，可以用于

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蓝宝石抛光液的成分

  蓝宝石抛光液中的主要成分有磨料、表面活性剂、螯合剂、PH调节剂等，抛光液是影响CMP（化学机械抛光）效果最重要的因素之一。评价抛光液性能好坏的指标是流动性好，分散均匀，在规定时间内不能产生团聚、沉淀、分层等问题，磨料悬浮性能好，抛光速率快，易清洗且绿色环保等。  其中，磨料主要影响化学机械抛光中的机械作用。磨料的选用主要从磨料的种类、浓度以及粒径三个方面来考虑。目前CMP抛光液中常用的磨料主要有金刚石、氧化铝、氧化硅等单一磨料，也有氧化硅/氧化铝混合磨料以及核壳型的复合磨料等。行业内主流抛光

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半导体抛光液是什么？

  半导体抛光液是什么？简单来说抛光液是通过化学机械反应，去除半导体工件表面的氧化层，达到光洁度和高平坦要求的化学液体。  半导体CMP抛光液是超细固体研磨材料和化学添加剂的混合物，制备成均匀分散的悬浮液，起到研磨、润滑和腐蚀溶解等作用，主要原料包括研磨颗粒、PH调节剂、氧化剂和分散剂等。抛光液的分类：根据酸碱性可以分为：酸性抛光液和碱性抛光液、中性抛光液。根据抛磨材质可以分为：金属抛光液和非金属抛光液。根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等。其中，铜抛光液和钨抛

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CMP抛光液---复合磨料抛光液

  复合磨料抛光液  CMP抛光液产品除了混合磨料外，也有利用各种新兴材料制备复合磨料，常用的方法有纳米粒子包覆和掺杂等。如通过结构修饰改善纳米粒子的分散性、复合其他类型材料提升在酸、碱性抛光液中的综合性能等。  复合磨料抛光液相比混合磨料和单一磨料，在材料去除率及表面粗糙度方面均有明显的优势，能实现纳米级或亚纳米级超低损伤的表面形貌。但复合磨料的制备工艺相对比较复杂，目前仅处于实验室探索阶段，距离复合磨料在大规模生产上的应用还有较远的距离。  吉致电子科技25年抛光液生产厂

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相聚吉致 欢度中秋---2022年吉致电子科技中秋团建活动

相聚吉致 欢度中秋  月到中秋分外明，又是一年团圆日。2022年中秋月圆之际，吉致电子科技有限公司的小伙伴们举办了别开生面的庆祝活动，自制月饼、小游戏：企鹅敲冰、气球运杯子、谁是卧底等。  活动中大家同行协力，分工明确，亲手做了别致的冰皮月饼甜甜美美香香糯糯，就跟吉致大家庭一样充满甜蜜和快乐。小伙伴们在欢声笑语中迎接秋意浓情，共享团圆，吉致电子小编祝福大家祝福所有的客户朋友中秋愉快，事业圆满、家庭幸福，生活和和美美！本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转载，转载需附

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什么是混合磨料抛光液？

混合磨料抛光液  抛磨工件材质的升级和发展，对镜面要求越来越高，单一的磨料已无法满足CMP行业需求，研究人员开始尝试将不同粒径、不同形貌的一种或多种粒子组合到一起使用，开发出混合型抛光液。比如，在大粒径二氧化硅中加入小粒径的氧化硅，这样能明显提高抛光速率，且粒径相差越大提升率越高，这是因为在磨料在总的质量分数不变的条件下，增大小粒径磨料的占比能增加硅溶胶颗粒的总体数量，从而起到了提高抛光速率的作用。  大量的研究成果表明，混合粒子的使用能够不同程度的提高化学机械抛光的速率，但是对抛光后表面粗糙度

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纳米抛光液---纳米氧化铝抛光液

氧化铝粉体具有多个晶体形态，常见的有Y，θ，α，δ等相。其中α相的氧化铝为其他相的氧化铝高温转变而成。作为抛光液用的α氧化铝颗粒，根据抛光(粗抛/精抛)的要求不同，a -Al2O3平均颗粒大小可以从100nm到500/1000nm而不同,但不管是何种抛光，氧化铝的硬团聚体，或超大颗粒越少越好，这些超大颗粒会在抛光过程中给晶体表面造成划伤，导致整个抛光过程失败。所以，在制备以a-Al2O3为主体的抛光液过程中，如何控制超大颗粒是一关键。吉致电子氧化铝研磨液/氧化铝精抛液，颗粒经表面改性处理，按特殊化学配方充分混合制备

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什么是单一磨料的CMP抛光液？

单一磨料抛光液化学机械CMP抛光液在研究初期大多是使用单一磨料，如氧化铝抛光液（Al2O3）、二氧化硅抛光液（SiO2）、二氧化铈抛光液（CeO2）、氧化锆抛光液（ZrO2）和金刚石抛光液等。其中研究应用最多的是Al2O3、SiO2和CeO2磨料抛光液。氧化铝抛光液--Al2O3的硬度高，多用于蓝宝石、碳化硅、光学玻璃、晶体和合金材料的抛光，但含Al2O3的抛光液会出现选择性低、分散稳定性不好、易团聚的问题，容易在抛光表面造成划伤，一般需要配合各种添加剂使用才能获得良好的抛光表面。氧化硅抛光液--SiO2具有良好的

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CMP抛光液中磨料对抛光效果的影响

磨料对抛光效果的影响在CMP抛光过程中磨料的作用是借助机械力，通过化学反应去除工件或晶圆表面形成的钝化膜，从而达到表面平坦化的目的。CMP抛光液常用的磨料有硅溶胶SiO2、氧化铝Al2O3、氧化铈CeO2、金刚石等。磨料的种类磨料的种类和材质决定了抛光液中微粒的硬度和粒径，从而影响拋光效果。抛光铝合金工件实验中相对于氧化铝抛光液Al2O3磨料，氧化硅抛光液SiO2磨料能获得较好的表面平整度、更少的表面划痕和更小的尺寸。原因是硅溶胶抛光液SiO2磨粒尺寸较小，拋光时磨料嵌入晶圆表面的深度较小。 此外，通过优

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