吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

CMP金刚石悬浮液/研磨液的特点及应用

吉致电子金刚石研磨液产品特点：（1）磨料类型多样化，包含单晶、多晶、类多晶及纳米级金刚石等；（2）金刚石悬浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金刚石研磨液粘度可调整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致电子金刚石悬浮液/研磨液应用领域：1、抛光液CMP半导体晶片加工：蓝宝石、碳化硅、氮化镓等半导体晶片;2、抛光液陶瓷加工：氧化锆指纹识别片、氧化锆陶瓷手机后壳及其它功能陶瓷;3、抛光液用于金属材料加工：不锈钢、模具钢、铝合金及其它金属材料。吉致电子CMP研发生产厂家，产品质量和效果媲美进口slurry，CMP抛光液粒度规

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CMP抛光液---纳米氧化铈抛光液的优点

  通常化学机械研磨抛光工艺使用的CMP抛光液有金刚石抛光液、氧化硅抛光液、氧化铝抛光液及氧化铈抛光液（又称稀土抛光液）。  纳米氧化铈为水性液体是吉致电子采用先进的分散工艺，将纳米氧化铈粉体分散在水相介质中，形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米氧化铈水性悬浮液。1.在抛光材料应用中，纳米CeO2抛光液相对硅溶胶，具有抛光划伤少、抛光速度快、易清洗良品率高等优势，且PH中性，使用寿命长、对抛光表面污染小，不易风干。2.在抛光军用红外激光硅片、异型硅、超薄硅片方面上，尤其是抛光超薄硅片，纳米氧化铈

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吉致电子常见的CMP研磨液

  CMP 化学机械抛光液slurry的主要成分包括：磨料、添加剂和分散液。添加剂的种类根据产品适用场景也有所不同，分金属抛光液和非金属抛光液。金属CMP抛光液含：金属络合剂、腐蚀抑制剂等。非金属CMP抛光液含：各种调节去除速率和选择比的添加剂。  根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中，铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm 及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线；硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。吉致电子常见的CMP研

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研磨液厂家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化学机械平面工艺中的研磨材料和化学添加剂的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性剂、氧化剂、PH缓冲胶和防腐剂等成分组成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二铝（Al2O3）、 氧化铈（CeO2）,金刚石（单晶、多晶）等。  通俗来讲，芯片制造就像盖高楼，一层一层往上叠加，要想楼不塌，在制造下一层前必须确保本层的平坦度，这就是CMP平坦化的诉求。Wafer晶圆在制造过程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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铜化学机械抛光液---什么是TSV技术？

铜机械化学抛光液---什么是TSV技术？TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。TSV的显著优势：TSV可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子

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抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料？

  CMP抛光液用于几代半导体材料？  CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光，科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。  目前，第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力

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不锈钢工件原始品质对CMP抛光效果的影响

  不锈钢镜面抛光效果的优良，不仅取决于抛光方案设计、抛光耗材（CMP抛光液、抛光垫）选择和抛光参数设置，不锈钢抛光工件的原始品质也影响到最终的抛光的效果。当抛光效果不尽人意时，不仅要对抛光方案、所使用耗材的品质进行评估和优化，同时对于工件的质量也要有所考虑。  不锈钢工件品质对CMP抛光工艺的影响1.优质的的不锈钢工件是获得良好抛光质量的前提条件，工件表面硬度不均或特性上有差异都会对抛光产生一定的困难。金属工件中的夹杂物和气孔都是影响抛光的不利因素。2.电火花加工后的金属表面难以研磨，若未在加

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吉致电子---氧化铈研磨液在半导体CMP制程中的作用

  粒径30-50nm的球形氧化铈研磨液用于半导体芯片制程：应用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成电路STI(浅沟槽隔离层)CMP  STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。  纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异  粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面C

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CMP抛光液厂家---苹果Logo专用抛光液

  果粉们时常被MacBook，Iphone上闪闪发光的Apple Logo所惊艳到，那么苹果手机和笔记本上的金属Logo是如何实现镜面工艺的呢？

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吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用

  CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光，吉致电子抛光液在半导体行业的应用，主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。  CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。  在半导体行业CMP环节之中，也存在

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蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液

蓝宝石抛光液是不是二氧化硅抛光液？蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺制备成的一种低金属离子CMP抛光液，是一种高纯度的氧化硅抛光液，广泛应用于多种材料的纳米级高平坦化抛光。吉致电子生产的蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底研磨减薄，蓝宝石A向抛光液，蓝宝石C向抛光液等。抛光范围如：硅片、锗片、化合物晶体磷化铟、砷化镓、精密光学器件、宝石饰品、金属镜面等研磨抛光加工。蓝宝石抛光液Sapphire Slurry的特点：1.高纯度（Cu含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的污染。2.高抛光速率，利用大粒径的胶

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2023吉致电子春节放假通知

尊敬的客户:新春伊始，万象更新，值此春节到来之际，无锡吉致电子科技有限公司全体员工感谢您长期以来对我司的支持与厚爱!向您致以最诚挚的祝福和问候!一路走来，有您相伴，因为您的支持，我们信心百倍！因为您的合作，我们硕果累累！因为您的指导，我们不断进步！因为您的呵护，我们心存感激！吉致电子科技有限公司期待与您携手共进，共同创造一个共赢辉煌的2023年，在新的一年里，我司会持续为您提供更优质的服务!公司春节放假时间具体安排如下:放假时间: 2023年1月14日--1月28日  开工时间：2023年1月29日因放假

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SiO2二氧化硅抛光液--硅溶胶粒径大小的区别

  二氧化硅抛光液SiO2 Slurry的制备中主要成分是纳米硅溶胶，一般分为大粒径硅溶胶和小粒径硅溶胶，那么怎么定义硅溶胶粒径大小呢，吉致电子小编为您详解： 大粒径硅溶胶与小粒径硅溶胶的定义 CMP精抛液中纳米硅溶胶颗粒的粒径为10-50nm，这个粒径范围的硅溶胶在市场上最常见，价格也相对便宜。如果对硅溶胶的纯度和pH值没有特殊要求，这种规格的硅溶胶价格相对比较便宜。 大粒径硅溶胶:粒径＞50nm的硅溶胶一般可称为大粒径硅溶胶。吉致电子科技生产的大粒径硅溶胶最大可达150n

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硅溶胶研磨液--精密工件镜面抛光效果秘密

  吉致电子硅溶胶研磨液/抛光液采用的是纳米级工艺，主要粒径在10-150nm。适用于各种材质工件的CMP表面镜面处理。以硅溶胶浆料为镜面的平面研磨的材料有半导体晶圆、光学玻璃、3C电子金属元件、蓝宝石衬底、LED显示屏等高精密元件。  硅溶胶抛光液也称二氧化硅抛光液、氧化硅精抛液，SiO2是硅溶胶的化学名，适用范围已扩展到半导体产品的CMP抛光工艺中。  CMP抛光机可以将氧化硅研磨液循环引入磨盘，同时起到润滑和冷却的作用，通过抛光液和抛光垫组合抛磨可以使工件表面粗糙度达到0.2um

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吉致电子陶瓷基板抛光液

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定因素。目前，已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷，分别是氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致电子陶瓷基板抛光液能抛磨这3种陶瓷材料，并达到理想RA值。浅谈一下三种陶瓷基板的性能：  氧化铝陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格，但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。  氮化铝覆铜板：在热特性方面

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STI Slurry平坦化流程与方法

浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，CMP抛光液平坦化。一，槽刻蚀1,隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体

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SIC碳化硅的化学机械抛光工艺

  碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。  SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。选择CMP

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3C镜面抛光液用什么抛光液

  3C产品表面镜面抛光一般不采用电解抛光方式，而是选择CMP机械抛光工艺。SiO2抛光液用于3C工件的镜面抛光工艺，主要由纳米级磨料制备而成，规格一般在10nm-150nm抛光后的产品镜面精度高，表面收光细腻。  氧化硅精抛液进行精抛工艺后，工件可以从雾面提升到镜面透亮的效果。抛光液配合精抛皮使用，镜面效果检测可达纳米级。3C金属抛光液用于镜面要求较高的工件抛光，因此必须做好前道工序。先粗抛打好基础，再精抛去除缺陷和不良效果。  有客户使用二氧化硅抛光液后工件表面会产生麻点，这是由于

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吉致电子抛光液---温度对蓝宝石衬底CMP工艺的影响

  温度在蓝宝石衬底抛光中起着非常重要的作用, 它对CMP工艺的影响体现在抛光的各个环节。  在CMP工艺的化学反应过程和机械去除过程这两个环节中, 受温度影响十分强烈。一般来说, 抛光液温度越高, 抛光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化学腐蚀严重, 表面完美性差。所以, 蓝宝石抛光液/研磨液温度必须控制在合适的范围内, 这样才能满足圆晶片的平坦化要求。实验表明, 抛光液在40℃左右的时候, 抛光速率达到了最大值, 随着温度继续升高, 抛光速率的上升趋于平缓, 并且产生抛光液蒸腾现象。&nbs

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蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响

蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响研究表明，在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in; 而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下,

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