Cu CMP研磨工艺通常包括三步。

第一步：用来磨掉晶圆表面的大部分金属。

第二步：通过降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属,并通过终点侦测技术（Endpoint）使研磨停在阻挡层上。

第三步：磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物,并用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆。

Cu CMP研磨工艺中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之对阻挡层和介质层具有高的选择性,而第三步的研磨液通常是偏碱性,对不同材料具有不同的选择性。这两种研磨液（金属研磨液/介质研磨液）都应该含有H₂O₂、抗腐蚀的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物。Al₂O₃ 或Si₂O₃可用作研磨颗粒,主要取决于研磨速率以及这种含有颗粒的胶体的稳定性。

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