碳化硅衬底提高加工速率和良品率的主要因素除了用对抛光液和抛光垫，在CMP抛光研磨过程的工艺参数也很重要：

1. 抛光压力：适当增加压力可以提高抛光效率，但过高的压力可能导致衬底表面产生划痕、损伤甚至破裂。一般根据衬底的厚度、硬度以及抛光设备的性能，压力范围在几十千帕到几百千帕之间。

2. 抛光转速：包括衬底承载台的转速和抛光垫的转速。转速影响抛光液在衬底和抛光垫之间的流动状态以及磨料的磨削作用。较高的转速可以加快抛光速度，但也可能使抛光液分布不均匀，导致表面质量下降。转速通常在每分钟几十转到几百转之间调整。

3. 抛光时间：由衬底需要去除的材料量和预期的表面质量决定。抛光时间过短，无法达到所需的平整度和粗糙度要求；过长则可能造成过度抛光，浪费时间和材料，甚至影响衬底的性能。需通过实验和经验，结合实时监测结果来确定合适的抛光时间。

4. 抛光液流量：确保碳化硅抛光液能持续有效地覆盖在抛光区域。流量过小，可能导致磨料供应不足，化学反应不充分，影响抛光效果；流量过大，则会造成抛光液的浪费，增加成本，还可能影响抛光区域的稳定性。流量一般根据抛光设备的规格和抛光工艺要求进行调整。

吉致电子碳化硅SiC抛光液特点：

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·专为满足Sic晶圆基片C面、单晶硅、多晶硅从研磨到 CMP工艺各阶段的规格而设计

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