在半导体芯片制造中，化学机械抛光CMP是关键工艺，其中CMP Slurry抛光液就是核心“耗材，直接决定芯片平整度、电路可靠性与性能。无论是 “导线”（互连层）还是 “绝缘骨架”（介质层），都需靠它实现精准平整。下面吉致电子小编就来拆解下半导体CMP抛光液的中金属互联层及介质层CMP抛光液的类型和应用场景。

一、金属互连层CMP抛光液（后端 BEOL 核心）

核心需求是选择性除金属、护绝缘/阻挡层，主流类型有：

铜（Cu）CMP抛光液

14nm及以下先进制程核心，因铜电阻率低成主流，分两步抛光：

①粗抛：靠氧化剂（如H₂O₂）、铜离子络合剂（如有机酸）+胶体二氧化硅颗粒，高速率去多余铜层；

②精抛：加铜腐蚀抑制剂（如BTA），只除残留铜，不损伤钽/钽氮阻挡层，避免凹陷、腐蚀。

钨（W）CMP抛光液

用于“钨栓塞”（层间导电柱）抛光，应对钨高硬度、高惰性：

化学端：强氧化剂（如 Fe (NO₃)₃、H₂O₂）活化钨，生成易除的WO₃；

机械端：用气相二氧化硅等高硬度颗粒，保证去除速率，且不损伤周围二氧化硅绝缘层。

钴（Co）CMP抛光液

3nm及以下制程下一代选择，钴电迁移抗性更强难点在：

控氧化剂浓度（如低浓度H₂O₂），防钴过度氧化；

适配钌Ru等新型阻挡层，实现“钴-钌-绝缘层”多层选择性抛光，是高端研发重点。

二、介质层CMP抛光液（前后端通用）

介质层（二氧化硅、氮化硅）是“绝缘骨架”，CMP要低粗糙度、无划伤：

二氧化硅（SiO₂）CMP抛光液

应用最广，分场景适配：

前端（FEOL）胶体二氧化硅+弱碱（pH9-11），用于硅片初始平整、STI 抛光，防伤硅衬底；

后端（BEOL）：用软质胶体二氧化硅，适配low-k材料（减信号延迟），防low-k开裂剥落。

氮化硅（Si₃N₄）CMP抛光液

用于硬掩膜、隔离层抛光，应对其高稳定性：

化学端：酸性（如 H₃PO₄基）或碱性（如KOH基+氧化剂，提升氮化硅活性；

机械端：用氧化铝等高硬颗粒，保证去除速率，且Si3N4/SiO2去除速率比＞10:1，防伤二氧化硅。

从14nm到3nm，CMP抛光液是芯片制造的关键拼图。而吉致电子深耕半导体材料领域并专注CMP抛光液及抛光耗材的研发，期望为全球客户定制贴合需求的解决方案，助力半导体产业突破技术难关，共促行业高质量发展。

无锡吉致电子科技有限公司

https://www.jzdz-wx.com

联系电话：17706168670